【導(dǎo)讀】SiCMOSFET與SiMOSFET各有其優(yōu)勢(shì)，SiMOSFET管的輸出阻抗高，反向耐壓提高，通態(tài)電阻隨之上升，有效限制了高壓場(chǎng)合的應(yīng)用。SiCMOSFET管的阻斷電壓高，工作頻率高，且耐高溫，這兩種MOSFET管隔油器優(yōu)勢(shì)特點(diǎn)和應(yīng)用的場(chǎng)合，本文就詳細(xì)講述SiMOSFET管和SiCMOSFET管的性價(jià)比哪個(gè)高。
SiC與Si性能對(duì)比
簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，SiC主要在以下3個(gè)方面具有明顯的優(yōu)勢(shì)為:擊穿電壓強(qiáng)度高（10倍于Si），更寬的能帶隙（3倍于Si），熱導(dǎo)率高（3倍于Si），這些特性使得SiC器件更適合應(yīng)用在高功率密度、高開關(guān)頻率的場(chǎng)合。
SiCMOSFET性能明顯優(yōu)于SiMOSFET
1.極其低的導(dǎo)通電阻RDS(ON)，導(dǎo)致了極其優(yōu)越的正向壓降和導(dǎo)通損耗，更能適應(yīng)高溫環(huán)境下工作。
2.SiCMOSFET管具有SiMOSFET管的輸入特性，即相當(dāng)?shù)偷臇艠O電荷，導(dǎo)致性能卓越的切換速率。
3.寬禁帶寬度材料，具有相當(dāng)?shù)偷穆╇娏?，更能適應(yīng)高電壓的環(huán)境應(yīng)用。
SiCMOSFET與SiMOSFET在設(shè)備中應(yīng)用對(duì)比
現(xiàn)代工業(yè)對(duì)電力電子設(shè)備提出了許多新的要求，要求體積小、功率大、發(fā)熱量小、設(shè)備輕便等。面對(duì)這些新要求，SiMOSFET一籌莫展，而SiCMOSFET就開始大顯身手了。通過(guò)對(duì)SiCMOSFET管與SiMOSFET管相關(guān)電氣參數(shù)進(jìn)行比較，我們可以肯定SiCMOSFET將成為高壓高頻場(chǎng)合中應(yīng)用的主流器件，可謂應(yīng)用SiCMOSFET者得天下。
圖1：SiCMOSFET與SiMOSFET在設(shè)備中應(yīng)用的對(duì)比圖
低電阻特性，SiC具有低電阻特性，在同等電壓和電流等級(jí)的MOSFET中，SiCMOSFET的內(nèi)阻要幾倍小于SiMOSFET的內(nèi)阻，且SiC的模塊體積小型化，有利于增加系統(tǒng)功率密度。
高速工作特性，SiCMOSFET相對(duì)于SiMOSFET具有更高頻率的工作特性，使系統(tǒng)中的電容電感器件體積小型化，減小系統(tǒng)整體體積，同時(shí)也降低了生產(chǎn)加工成本。
高溫工作特性，SiCMOSFET比SiMOSFET更適合應(yīng)用于高溫工作環(huán)境，原因在于一方面SiCMOSFET自身?yè)p耗小，發(fā)熱量小，自身溫升相對(duì)較小，另一方面，熱導(dǎo)率高3倍于SiMOSFET。
圖2：SiC與Si性價(jià)比對(duì)照?qǐng)D
有了以上特性對(duì)比結(jié)果，我們可以清楚的認(rèn)識(shí)到SiCMOSFET性能全面優(yōu)于SiMOSFET。雖然單個(gè)SiCMOSFET價(jià)格高于SiMOSFET，
但是應(yīng)用了SiCMOSFET的系統(tǒng)設(shè)備整體價(jià)格低于應(yīng)用SiMOSFET的設(shè)備，原因在于SiCMOSFET各項(xiàng)優(yōu)秀性能使得設(shè)備中的電容容值減小、電感降低、散熱片面積和體積減少以及設(shè)備整體體積和成本明顯減小。歡迎撥打世強(qiáng)服務(wù)熱線電話40088-73266獲得專業(yè)快捷的服務(wù)！
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