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貿(mào)澤推出EIT計(jì)劃第5期 - 探討私有5G網(wǎng)絡(luò)的潛力
2022年9月30日 – 提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷(xiāo)商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 今天宣布推出其Empowering Innovation Together?計(jì)劃的最新一期。本期將探討用于工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)部署的私有5G網(wǎng)絡(luò)的商業(yè)用例，這些網(wǎng)絡(luò)可按照5G New Radio (NR) Release 16獨(dú)立擁有、管理和保護(hù)。
2022-10-01
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高轉(zhuǎn)換率、符合CISPR 5類(lèi)電磁輻射標(biāo)準(zhǔn)的穩(wěn)壓器長(zhǎng)這樣
當(dāng)設(shè)計(jì)中需要優(yōu)先考慮并盡可能減少EMI（電磁干擾）時(shí)，線(xiàn)性穩(wěn)壓器可以算得上一種低噪聲解決方案，但考慮到散熱和效率要求其并不適用于該種場(chǎng)景，反而需要選擇開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器。即使在對(duì)EMI敏感的應(yīng)用中，開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器通常也是輸入電源總線(xiàn)上的第一個(gè)有源元件，無(wú)論下游變換器如何，它都會(huì)顯著影響整個(gè)轉(zhuǎn)換器的EMI性能。確?？梢酝ㄟ^(guò)電源IC的選取可以抑制EMI并達(dá)到效率要求，LT8614 Silent Switcher?穩(wěn)壓器做到了這一點(diǎn)。
2022-09-29
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什么是射頻衰減器？如何為我的應(yīng)用選擇合適的RF衰減器？
本文延續(xù)之前的一系列短文，面向非射頻工程師講解射頻技術(shù)；我們將探討IC衰減器，并針對(duì)其類(lèi)型、配置和規(guī)格提出一些見(jiàn)解。本文旨在幫助工程師更快了解各種IC產(chǎn)品，并為終端應(yīng)用選擇合適的產(chǎn)品。該系列的相關(guān)文章包括："為應(yīng)用選擇合適的RF放大器指南"、"如何輕松選擇合適的頻率產(chǎn)生器件"和"RF解密–了解波反射"。
2022-09-28
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使用碳化硅進(jìn)行雙向車(chē)載充電機(jī)設(shè)計(jì)
電動(dòng)汽車(chē)（EV）車(chē)載充電機(jī)（OBC）可以根據(jù)功率水平和功能采取多種形式，充電功率從電動(dòng)機(jī)車(chē)等應(yīng)用中的不到 2 kW，到高端電動(dòng)汽車(chē)中的 22 kW 不等。傳統(tǒng)上，充電功率是單向的，但近年來(lái)，雙向充電越來(lái)越受到關(guān)注。本文將重點(diǎn)關(guān)注雙向 OBC，并討論碳化硅（SiC）在中功率（6.6 kW）和高功率（11 - 22 kW）OBC 中的優(yōu)勢(shì)。
2022-09-27
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構(gòu)建滿(mǎn)足特定應(yīng)用要求的DPS系統(tǒng)需要考慮這些因素！
器件電源(DPS) IC具有靈活的電壓驅(qū)動(dòng)和電流驅(qū)動(dòng)容量，能夠?yàn)樽詣?dòng)測(cè)試設(shè)備(ATE)提供動(dòng)態(tài)測(cè)試能力。當(dāng)負(fù)載電流介于兩個(gè)設(shè)定限流值之間時(shí)，DPS IC可以作為電壓源；在達(dá)到設(shè)定限流值時(shí)，DPS IC可以順利轉(zhuǎn)換為精密電流源。
2022-09-27
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最新的1200V CoolSiC MOSFET中的.XT技術(shù)如何提高器件性能和壽命
由于碳化硅（SiC）器件的低導(dǎo)通損耗和低動(dòng)態(tài)損耗，英飛凌CoolSiC? MOSFET越來(lái)越多地被用于光伏、快速電動(dòng)車(chē)充電基礎(chǔ)設(shè)施、儲(chǔ)能系統(tǒng)和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等工業(yè)應(yīng)用。但與此同時(shí)，工程師也面臨著獨(dú)特的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。實(shí)現(xiàn)更小的外形尺寸，同時(shí)保持功率變換系統(tǒng)的散熱性能，是相互矛盾的挑戰(zhàn)，但英飛凌創(chuàng)新的.XT技術(shù)與SiC技術(shù)提供了一個(gè)解決方案。
2022-09-27
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關(guān)斷柵極電壓欠沖對(duì)SiC MOSFET導(dǎo)通行為的影響
本文探討了關(guān)斷時(shí)發(fā)生的柵極電壓欠沖對(duì)導(dǎo)通開(kāi)關(guān)特性的影響。這種影響來(lái)自于閾值電壓的遲滯效應(yīng)，指柵偏壓變化時(shí)，閾值電壓的完全可恢復(fù)瞬態(tài)偏移。閾值電壓的遲滯效應(yīng)是由半導(dǎo)體-絕緣體界面缺陷中，電荷的短期俘獲和釋放引起的。因此，關(guān)斷時(shí)的柵極電壓欠沖會(huì)對(duì)碳化硅（SiC）MOSFET的開(kāi)關(guān)特性產(chǎn)生影響。
2022-09-20
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如何加強(qiáng)對(duì)Type-C數(shù)據(jù)線(xiàn)的充電保護(hù)？
USB Type-C（USB-C）電纜和連接器規(guī)范極大地簡(jiǎn)化了實(shí)現(xiàn)互連和為數(shù)碼相機(jī)和超薄平板電腦等電子產(chǎn)品供電的方式（圖1）。該規(guī)范支持高達(dá)15W的USB-C充電應(yīng)用，而USB-C功率傳輸（PD）將充電能力擴(kuò)展至100W，包括各種可互換充電的設(shè)備。USB Type-C在系統(tǒng)保護(hù)方面帶來(lái)了新的挑戰(zhàn)。新連接器的間距比USB Micro-B小，增加了VBUS發(fā)生機(jī)械短路的風(fēng)險(xiǎn)。此外，由于USB PD具有高電壓，需要更強(qiáng)大的保護(hù)。最后，電子負(fù)載越來(lái)越復(fù)雜，需要加強(qiáng)ESD和電壓浪涌保護(hù)。此設(shè)計(jì)解決方案首先探討了USB Type-C PD架構(gòu)以及與D+/D-數(shù)據(jù)信號(hào)保護(hù)相關(guān)的挑戰(zhàn)，然后提出了一種高度集成的2xSPDT開(kāi)關(guān)，只需較少的BOM和PCB占用空間，就能夠攻克這些挑戰(zhàn)。
2022-09-19
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加速工業(yè)自動(dòng)化升級(jí)，貿(mào)澤電子2022技術(shù)創(chuàng)新周第二期活動(dòng)來(lái)襲
2022年9月16日 – 專(zhuān)注于引入新品推動(dòng)行業(yè)創(chuàng)新?的電子元器件分銷(xiāo)商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics)宣布于9月19 - 22日舉辦貿(mào)澤電子技術(shù)創(chuàng)新周第二期專(zhuān)題活動(dòng)。本期內(nèi)容將重點(diǎn)聚焦工業(yè)自動(dòng)化，特邀來(lái)自Analog Devices, Amphenol, Phoenix Contact, Silicon Labs, TDK (Shanghai) Electronics, Texas Instruments等國(guó)際知名廠(chǎng)商的資深技術(shù)專(zhuān)家，并攜手哈爾濱工業(yè)大學(xué)電磁驅(qū)動(dòng)與控制研究所副所長(zhǎng)，寧波市智能制造技術(shù)研究院副院長(zhǎng)在每天下午14:00-15:10和15:10-16:10兩個(gè)時(shí)間段，為大家?guī)?lái)工業(yè)自動(dòng)化的前沿應(yīng)用與方案，展望工業(yè)自動(dòng)化未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)。
2022-09-16
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Molex與貿(mào)澤聯(lián)手推出射頻連接器內(nèi)容中心，介紹射頻連接器在智能農(nóng)業(yè)等領(lǐng)域中的應(yīng)用
2022年9月15日 – 專(zhuān)注于引入新品的全球半導(dǎo)體和電子元器件授權(quán)分銷(xiāo)商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 宣布與Molex合作推出新的內(nèi)容中心，深入探索射頻連接器的功能、挑戰(zhàn)和變革潛力。此內(nèi)容中心提供十多項(xiàng)關(guān)于射頻技術(shù)的豐富資源，包括播客節(jié)目、白皮書(shū)、博客文章和產(chǎn)品指南等。每項(xiàng)內(nèi)容都直接鏈接到貿(mào)澤網(wǎng)站上的Molex產(chǎn)品頁(yè)面，讓用戶(hù)輕松找到其設(shè)計(jì)所需的工具。
2022-09-15
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了解為高分辨率、高幀率CMOS圖像傳感器設(shè)計(jì)供電方案的挑戰(zhàn)
了解為當(dāng)今高分辨率、高幀率CMOS圖像傳感器設(shè)計(jì)供電方案的關(guān)鍵挑戰(zhàn)，是設(shè)計(jì)一個(gè)滿(mǎn)足每位設(shè)計(jì)工程師要求的含LDO (DC-DC, PMIC)的優(yōu)化的電源系統(tǒng)方案的關(guān)鍵要素。電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員需要知道不同應(yīng)用中的電源方案有何不同，比方說(shuō)，一個(gè)800萬(wàn)像素（MP）的相機(jī)與一個(gè)5000萬(wàn)像素的相機(jī)的電源方案有何不同，或幀率的不同（30 fps、60 fps、120 fps）如何改變他們的電源設(shè)計(jì)，多大頻率需要高電源抑制比(PSRR)，等等。本文意在強(qiáng)調(diào)在為當(dāng)今任何圖像傳感器確定供電方案之前的基本考量。
2022-09-15
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GaN HEMT 大信號(hào)模型
GaN HEMT 為功率放大器設(shè)計(jì)者提供了對(duì) LDMOS、GaAs 和 SiC 技術(shù)的許多改進(jìn)。更有利的特性包括高電壓操作、高擊穿電壓、功率密度高達(dá) 8 W/mm、fT 高達(dá) 25 GHz 和低靜態(tài)電流。另一方面，GaN RF 功率器件具有自加熱特性，并且元件參數(shù)的非線(xiàn)性與信號(hào)電平、熱效應(yīng)和環(huán)境條件之間存在復(fù)雜的依賴(lài)關(guān)系。這些因素往往給準(zhǔn)確預(yù)測(cè)器件大信號(hào)性能造成更多困難。
2022-09-15
- 安森美與舍弗勒強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，EliteSiC技術(shù)驅(qū)動(dòng)新一代PHEV平臺(tái)
- 安森美與英偉達(dá)強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，800V直流方案賦能AI數(shù)據(jù)中心能效升級(jí)
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