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使用 GaN IC 離線電源的大容量電容器優化
額定功率75W以下的適配器可細分為：輸入濾波器、二極管整流器、輸入輸出電容器、IC控制器、輔助電源、磁性元件、功率器件和散熱器。集成解決方案在縮小和簡化轉換器方面已經取得了長足的進步，目前的剩余組件是磁性元件、輸入“大容量”電容器、輸出電容器和 EMI 輸入級。大量的研究和工程工作集中在高頻交流/直流轉換器設計上，以減小磁性元件的尺寸。然而，輸入大容量電容器占據與適配器內的磁性元件相同或更大的體積。
2024-05-07
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測試共源共柵氮化鎵 FET
Cascode GaN FET 比其他類型的 GaN 功率器件更早進入市場，因為它可以提供常關操作并具有更寬的柵極驅動電壓范圍。然而，電路設計人員發現該器件在實際電路中使用起來并不那么容易，因為它很容易發生振蕩，并且其器件特性很難測量并獲得可重復的提取。許多設計人員在電路中使用大柵極電阻時必須減慢器件的運行速度，這降低了使用快速 GaN 功率器件的優勢。
2024-04-07
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雙脈沖測試（DPT）的方法解析
雙脈沖測試（DPT）是一種被廣泛接受的評估功率器件動態特性的方法。以IGBT在兩電平橋式電路中應用為例，如下圖，通過調節直流母線電壓和第一個脈沖持續時間，可以在第一個脈沖結束和第二個脈沖開始時捕捉到被測器件在任何所需的電壓和電流條件下的開關瞬態行為。
2024-03-19
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談談SiC MOSFET的短路能力
在電力電子的很多應用，如電機驅動，有時會出現短路的工況。這就要求功率器件有一定的扛短路能力，即在一定的時間內承受住短路電流而不損壞。目前市面上大部分IGBT都會在數據手冊中標出短路能力，大部分在5~10us之間，例如英飛凌IGBT3/4的短路時間是10us，IGBT7短路時間是8us。而 大 部 分 的 SiC MOSFET 都 沒 有 標 出 短 路 能 力 ， 即 使 有 ， 也 比 較 短 ， 例 如 英 飛 凌 的CoolSiCTM MOSFET單管封裝器件標稱短路時間是3us，EASY封裝器件標稱短路時間是2us。
2024-02-01
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I-NPC三電平電路的雙脈沖及短路測試方法
雙脈沖測試(DPT)是一種被廣泛接受的評估功率器件動態特性的方法。以IGBT在兩電平橋式電路中應用為例，如下圖，通過調節直流母線電壓和第一個脈沖持續時間，可以在第一個脈沖結束和第二個脈沖開始時捕捉到被測器件在任何所需的電壓和電流條件下的開關瞬態行為。DPT結果量化了功率器件的開關性能，并為功率變換器的設計（如開關頻率和死區時間的確定、熱管理和效率評估）提供了參考依據，那么對于三電平電路，雙脈沖測試需要怎么做呢？
2024-01-24
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?碳化硅助力實現 PFC 技術的變革
碳化硅（SiC）功率器件已經被廣泛應用于服務器電源、儲能系統和光伏逆變器等領域。近些年來，汽車行業向電力驅動的轉變推動了碳化硅（SiC）應用的增長， 也使設計工程師更加關注該技術的優勢，并拓寬其應用領域。
2024-01-03
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泰克助力汽車測試及質量監控實現效率和創新最大化
對于功率器件工程師而言，最大限度降低開關損耗是一項嚴峻挑戰，尤其對于那些使用碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 器件的工程師更是如此。這種先進材料有望提高效率，但也有其自身的復雜性。測量硅 (Si)、碳化硅 (SiC) 和氮化鎵金屬氧化物半導體場效應晶體管 (GaN MOSFET) 和絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 的開關參數，并評估其動態行為的標準方法是雙脈沖測試 (DPT)。
2023-12-05
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從 L1~L5 自動駕駛芯片發生了哪些變化？
汽車芯片主要分為功能芯片、功率器件和傳感器三大類。在傳統燃油車中，平均芯片搭載量約為 500-600 顆/輛，而隨著前面提到的汽車電動化、智能化的演進，平均芯片搭載量已提升至 1000 顆/輛，在新能源車中更是超過了 2000 顆/輛，未來隨著電車智能化的升級，還有望提升至 3000 顆/輛，甚至更多。
2023-12-04
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OBC PFC車規功率器件結溫波動與功率循環壽命分析
隨著新能源汽車(xEV)在乘用車滲透率的逐步提升，車載充電機(OBC)作為電網與車載電池之間的單向充電或雙向補能的車載電源設備，也得到了非常廣泛的應用。相比車載主驅電控逆變器， 電源類OBC產品復雜度高，如何實現其高功率密度、高可靠性、高效率、高性價比等核心指標的優化與平衡，一直是OBC不斷技術迭代與產品革新的方向。
2023-11-26
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上海貝嶺車載逆變電源功率器件解決方案
作為一種電源轉換器，車載逆變電源能夠將儲能電池直流電轉換為220V的交流電，給筆記本電腦、數碼相機、無人機等設備提供電能。其輸出波形包括修正弦波和純正弦波兩種類型，修正弦波車載逆變電源價格便宜，但輸出波形質量較差，適用于小功率用電設備；純正弦波車載逆變電源可提供高質量交流電，適用于大部分用電設備，工作穩定，但價格較貴。
2023-11-23
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商業、建筑和農業車輛應用中TO-247PLUS分立封裝的回流焊接
今天，功率半導體為很多應用提供高功率密度的解決方案。如何將功率器件的發熱充分散出去是解決高功率密度設計的關鍵。通過使用IGBT焊接在雙面覆銅陶瓷板(DCB)上可以幫助減少散熱系統的熱阻，前提是需要IGBT單管封裝支持SMD工藝。本文將展示一種可回流焊接的TO-247PLUS單管封裝，該封裝可將器件芯片到DCB基板的熱阻降至最低。
2023-11-21
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氮化鎵取代碳化硅，從PI開始？
在功率器件選擇過程中，以氮化鎵、碳化硅為代表的寬禁帶半導體越來越受到了人們的重視，在效率、尺寸以及耐壓等方面都相較于硅有了顯著提升，但是如何定量分析這三類產品的不同？Power Intergrations（PI）資深培訓經理Jason Yan日前結合公司新推出的1250V氮化鎵(GaN)產品，詳細解釋了三類產品的優劣，以及PI對于三種產品未來的判斷，同時還介紹了PI氮化鎵產品的特點及優勢。
2023-11-16
- 安森美與舍弗勒強強聯手，EliteSiC技術驅動新一代PHEV平臺
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