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泰克圖形源表儀器2461具備最高脈沖源和阱性能，滿足高功率器件測量應用需求
近日，泰克科技公司宣布，發布一款簡便易用的圖形源測量單元(SMU)儀器--Keithley 2461，新器件用以優化和分析高功率材料、器件和模塊的特性。
2016-01-14
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提高晶閘管dV/dt耐受性的設計訣竅，你知道嗎？
晶閘管(SCR)是一種半導體開關器件。早在1956年，Moll等人就發表了這種開關器件的理論基礎。盡管低功率器件在當代開關領域已基本銷聲匿跡，并被高壓雙極結型晶體管(BJT)、金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)及絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)等所取代，但它們在兆瓦級開關器件領域仍無可替代，例如2kA、1.2kV的SCR就被應用于機車驅動器中，或用來控制鋁材生產廠中的電爐等。
2015-12-07
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飛一般的速度，帶你體驗全球最快的功率開關
穩壓器和DC-DC電源內的硅功率器件不久將會被GaN FET代替。與硅MOSFET相比，其開關速度要快得多，且RDS(on)更低。這將能增強電源的電源效率，為大家帶來益處。如果您正在設計帶有GaN器件的電源電路，您需要掌握該器件的開關速度。為測量這一速度，示波器、探頭和互連的速度必須足夠快，以盡量減少其對測量產生的影響。
2015-11-24
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嵌入式設計必讀：電路設計之三極管基礎電路設計寶典
在嵌入式電路中經常使用IO口來控制某些電路的開關功能，此時可把三極管用作開關器件。在使用時需要利用開關三極管如9014和9015等小功率器件，此時的三極管處于飽和狀態。本文用實例來說明該類電路的特點。
2015-09-09
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三星CSP封裝工藝日趨完善 推出3款倒裝芯片新品
近日，三星電子在廣州國際照明展會上展出3款倒裝芯片新品。其中包括：大功率器件LM301A、倒裝COB、第二代CSPLED。三星表示，第二代CSPLED器件可降低熱阻，三星電子將參加9日至12日在中國廣州舉行的國際照明博覽會，公開主要技術戰略及新產品。三星參加這次中國廣州展覽會的意義非凡，因為中國市場作為全球照明市場的橋頭堡，隨著LED照明需求的增加，飛速增長。
2015-06-11
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【原創】盤點感應加熱電源的基礎知識
感應加熱電源憑借著可局部加熱、操作簡單、加熱速度快的優勢占據市場，在功率器件方面很多感應加熱電源已采用IGBT，性能方面大幅度提升，但感應加熱電源仍存在一些問題，本文就來介紹感應加熱電源的性能問題以及獨特優點。
2015-06-05
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專家精講：功率器件氮化鎵的發展趨勢及應用
工程師福音，全新領域的功率器件氮化鎵，電阻方面可實現更高的輸出電流，并且不會增加元件的數量、成本及復雜性并降低功率密度，是不是很炫？到底是如何實現的，將來如何發展？看本文詳解！
2015-05-29
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GaN功率器件價格向MOSFET看齊，在哪些領域能夠替代？
現如今，部分GaN功率器件逐漸向MOSFET功率管看齊，怎么做到這一點的？但是GaN功率器件在業界內經常取代MOSFET功率器件，那么在哪些應用領域能夠取代。
2015-05-12
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大功率LED芯片制造技巧，只需五點輕松搞定
要想獲得大功率器件，一個大功率大LED面板芯片是少不了的。然而大功率的LED芯片制造并不容易，小編總結了五個常用的技巧幫你攻克LED大功率芯片的制造難題。
2015-04-24
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百科全書大講壇：細說SSR固態繼電器的二三事
固態繼電器簡稱SSR，是由分立電子器件、電力電子功率器件、微電子電路器件一起構成的無觸點開關。固態繼電器用隔離器件就實現了控制端與負載端的隔離。本文就SSR固態繼電器的工作原理和常見問題，細說繼電器的二三事。
2015-03-25
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全球最快的功率開關，究竟有多快？帶你一測究竟
相信再過不久，GaN FET 將會取代穩壓器和DC-DC電源內的硅功率器件。然而與硅MOSFET相比，開關速度相對要快上許多，且RDS（ON)更低。要想設計帶有GAN器件的電源電路，必須要掌握器件的開關速度。
2015-02-28
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電源設計成功的三步曲，不看必后悔
本文為功率器件設計提供了一個簡單的三步方法，使工程師，即使不是電源專家，也可以構建能夠提供高效率和高功率密度的復雜電源鏈。同時消除了來自設計過程的痛苦和風險，無需工程師花時間學習技術。無需特殊培訓，工程師們就可以使用這一方法，縮短研發時間。
2014-12-04
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