【導(dǎo)讀】如何評(píng)估IGBT模塊的損耗與結(jié)溫？英飛凌官網(wǎng)在線仿真工具IPOSIM，是IGBT模塊在選型階段的重要參考。這篇文章將針對(duì)IPOSIM仿真中的散熱器熱阻參數(shù)Rthha，給大家做一些清晰和深入的解析。
● IPOSIM中Rthha定義：折算到每個(gè)Switch(開關(guān))的散熱器熱阻
● 折算思路：對(duì)于常規(guī)模塊，先確定散熱器的總熱阻，再根據(jù)散熱器包含的Switch數(shù)量，折算出熱阻Rthha。對(duì)于PIM模塊，其散熱器熱阻需要額外計(jì)算。
一、兩電平仿真中的Rthha的定義與設(shè)置
在兩電平逆變拓?fù)渲校總€(gè)Switch基本單元為：T1+D1
兩電平舉例說明：3XFF600R12KE4 per Inverter
(FF600R12KE4)
62mm封裝的半橋模塊如上，三個(gè)半橋模塊置于散熱器，組成完整的三相逆變拓?fù)洹＜僭O(shè)每個(gè)模塊200W損耗，散熱器的溫升30℃，則散熱器總熱阻為30℃/(200W*3)=0.05K/W。
散熱器總共包含了6個(gè)Switch基本單元，因此IPOSIM中Rthha為：0.05*6=0.30K/W。
二、三電平仿真中的Rthha的定義與設(shè)置
三電平的拓?fù)湎鄬?duì)復(fù)雜一些，以常見的三種拓?fù)銷PC1、NPC2和ANPC為例，分別進(jìn)行說明：
在NPC1拓?fù)渲校總€(gè)Switch基本單元為：T1+D1+T2+D2+D5
在NPC2拓?fù)渲校總€(gè)Switch基本單元為：T1+D1+T2+D2
在ANPC拓?fù)渲校總€(gè)Switch基本單元為：T1+D1+T2+D2+T5+D5
三電平NPC1舉例說明：
3XF3L150R07W2E3_B11 per Inverter
(F3L150R07W2E3_B11)
在中小功率的三電平應(yīng)用里，1個(gè)模塊就能裝下三電平的1個(gè)甚至3個(gè)橋臂。如Easy2B封裝的三電平模塊F3L150R07W2E3_B11，模塊內(nèi)為1個(gè)NPC1橋臂，3個(gè)模塊置于散熱器上，組成完整的三電平的三相逆變拓?fù)洹＜僭O(shè)每個(gè)Easy2B模塊損耗200W, 散熱器的溫升30℃，則散熱器總熱阻為：30℃/(200W*3)=0.05K/W。
散熱器總共包含了6個(gè)Switch基本單元，因此IPOSIM中Rthha為：0.05*6=0.30K/W。
三電平ANPC舉例說明：
3XFF600R12ME4_B72 per phase
(FF600R12ME4_B72)
在大功率的三電平應(yīng)用里，往往需要多個(gè)模塊才能組成1個(gè)三電平橋臂，如EconoDual3™封裝的半橋模塊FF600R12ME4_B72，3個(gè)模塊組成1個(gè)ANPC或NPC1的橋臂，同樣3個(gè)模塊置于散熱器上，只是三電平拓?fù)涞哪骋幌唷＜僭O(shè)3個(gè)模塊損耗一共1200W，散熱器溫升50℃，則散熱器總熱阻為50℃/1200W=0.042K/W。
散熱器只包含了2個(gè)Switch基本單元，因此IPOSIM中Rthha為：0.042*2=0.084K/W。
三、變頻器PIM模塊仿真中的Rthha的定義與設(shè)置
在中小功率的變頻器應(yīng)用里，常常會(huì)用到PIM模塊(包含整流、制動(dòng)和逆變)，如英飛凌最新IGBT7系列EasyPIM模塊FP25R12W2T7_B11。
如下圖所示，是基于有限元熱仿真的散熱器表面溫度分布：環(huán)境溫度50℃，散熱器表面最高溫度82.3℃，其中每個(gè)整流二極管RD的損耗為3W，每個(gè)IGBT的損耗為10W，每個(gè)FWD的損耗為4W。
考慮到模塊內(nèi)整流部分和逆變部分的相互影響，我們可分別計(jì)算逆變(Inv)和整流(Rec)部分的Switch對(duì)應(yīng)的散熱器熱阻Rthha，其中：
PIM模塊逆變部分的散熱器熱阻Rthha(Inv)=(82.3℃-50℃)/(10W+4W)=2.30K/W
PS：如果按散熱器總熱阻X6去折算逆變部分的熱阻，會(huì)存在低估的情況：
散熱器總熱阻=(82.3℃-50℃)/(6*10W+6*4W+6*3W)=0.317K/W，
即0.317*6=1.90K/W，
比上述的熱阻值2.30K/W偏低約18%。
散熱器(總)熱阻在不同工況下的變化
散熱器的熱阻并非定值，而是會(huì)隨熱源的分布變化而變化。
在一些大功率三電平的應(yīng)用場(chǎng)合，一方面，各個(gè)模塊之間的損耗不同；同時(shí)，模塊間損耗差異還會(huì)隨著工況不同而變化，因此，需要格外關(guān)注此時(shí)散熱器總熱阻的變化情況。如下，分別以常見白模塊和黑模塊三電平NPC1拓?fù)錇槔M(jìn)行簡(jiǎn)單的分析。
案例一
基于EconoDual™3白模塊NPC1三電平，在某種水冷條件下，不同工況時(shí)的散熱器總熱阻：
案例二
基于PrimePACK™3黑模塊NPC1三電平，在某種水冷條件下，不同工況時(shí)的散熱器總熱阻：
因此，需考慮最惡劣工況下的熱阻，或者在不同工況仿真時(shí)，采取不同的散熱器熱阻應(yīng)對(duì)，以獲得更準(zhǔn)確的仿真結(jié)果。
綜上所述，文章總結(jié)了在IPOSIM中Rthha參數(shù)，在兩電平和三電平應(yīng)用中的定義與設(shè)置，以及一些常見的問題，期望對(duì)大家如何正確選取Rthha進(jìn)行準(zhǔn)確的IPOSIM仿真有所幫助。
紙上得來終覺淺，絕知此事要躬行。
趕緊打開IPOSIM試試吧。
免責(zé)聲明：本文為轉(zhuǎn)載文章，轉(zhuǎn)載此文目的在于傳遞更多信息，版權(quán)歸原作者所有。本文所用視頻、圖片、文字如涉及作品版權(quán)問題，請(qǐng)聯(lián)系小編進(jìn)行處理。
推薦閱讀：
