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艾邁斯歐司朗與Quadric達成合作，攜智能圖像傳感器亮相CES展會
全球領先的光學解決方案供應商艾邁斯歐司朗與端側AI機器學習處理器IP創新者Quadric宣布達成戰略合作，雙方將聯合開發集成傳感模塊，結合艾邁斯歐司朗前沿的Mira系列可見光和紅外光CMOS傳感器與Quadric新型Chimera? GPNPU處理器。這些模塊實現超低功耗，雙方的融合將為可穿戴設備、機器人、工業及安防市場提供創新的智能傳感方案。合作產品已在2023年1月5日至8日拉斯維加斯CES展會首次亮相，并進行現場演示。
2023-01-09
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安森美和Ampt攜手合作，助力光伏電站供應商提高能效
2023年1月6日 — 領先于智能電源和智能感知技術的安森美(onsemi，美國納斯達克股票代號：ON)，和世界頭號大型光伏（PV）太陽能和儲能系統直流優化器公司Ampt LLC宣布攜手合作，以滿足市場對直流組串優化器的高需求。Ampt在其直流組串優化器中使用了安森美的EliteSiC系列碳化硅（SiC）技術之N溝道SiC MOSFET，用于關鍵的功率開關應用。
2023-01-07
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數字控制回路的模擬組件（模擬控制器轉向易于編程的數字控制環路）
移動、汽車和物聯網 （IoT） 電氣和電子系統的加速部署，加上上市時間窗口的縮短，導致需要對支持它們的 IC 進行更快速、更低成本的測試。
2023-01-06
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集成電路發展策略與內外環境認知
近年來，集成電路行業處在風口浪尖，備受關注。在剛剛結束的2022 ICS集成電路峰會上，魏少軍教授、李珂先生等行業專家給出了他們的觀點，用事實和數據說明，在成熟的集成電路工藝和EDA工具上實現芯片產品創新，并不需要最先進的工藝，追求能量效率這個指標，就能實現產品創新特色。說到美國單向脫鉤，表示我們不想脫鉤，就會出現半脫鉤，美國要確保領先中國二代半導體技術。2023年他們會加大對中國遏制，不會減緩，只會加強。本期文章根據各位專家的觀點，從成熟技術創新，供應鏈安全，補人才短板，半脫鉤下策略發展四個方面來看集成電路發展策略與內外環境認知。
2023-01-06
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芯片國產替代：替代策略與實施要則干貨
在缺“芯”困局之下，國產替代的呼聲愈發高漲。但就目前的產業環境而言，國產芯片替代實際上機遇與挑戰并存。半導體行業由于其自身“高精尖”特質所致，是典型的資產密集、技術密集、人才密集型產業。產品從研發到量產的周期較長，需數十年。同時，芯片國產化的機遇也是空前的。國家利好政策不斷發布：投資補助、稅收優惠等為半導體產業發展保駕護航，加之眾多資本持續加大對芯片產業的投資力度，也有助于國產廠商的發展及技術突破。本文內容根據2022 ICS集成電路峰會論壇上，深圳市大盛唐科技有限公司總經理韓軍龍帶來的國產替代實戰分享，來了解關于芯片國產替代的策略及實施要則。
2023-01-06
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瑞薩電子推出首款支持新Matter協議的Wi-Fi開發套件
2023 年 1 月 5 日，中國北京訊 - 全球半導體解決方案供應商瑞薩電子（TSE：6723）今日宣布，推出首款支持新Matter協議的開發套件，同時宣布將在未來所有Wi-Fi、低功耗藍牙?（BLE），和IEEE 802.15.4（Thread）方案中，以及最近收購的Dialog Semiconductor和Celeno Communications產品上，提供對Matter的支持。
2023-01-05
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安森美的主驅逆變器碳化硅功率模塊被現代汽車選中用于高性能電動汽車
2023年1月5日 —領先于智能電源和智能感知技術的安森美(onsemi，美國納斯達克股票代號：ON)，宣布安森美的EliteSiC系列碳化硅（SiC）功率模塊已被起亞（Kia Corporation）選中用于EV6 GT車型。這款電動汽車（EV）從零速加速到60英里/小時只需3.4秒，最高時速達161英里/小時。在該高性能電動汽車的主驅逆變器中，EliteSiC功率模塊實現了從電池的直流800V到后軸交流驅動的高效電源轉換。安森美會繼續與現代起亞汽車集團（Hyundai Motor Company and Kia Corporation，簡稱HMC/KIA）合作，將EliteSiC技術用于其即將推出的基于電動化全球模塊型平臺（E-GMP）的高性能電動汽車。
2023-01-05
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OBC DC/DC SiC MOSFET驅動選型及供電設計要點
新能源汽車動力域高壓化、小型化、輕型化是大勢所趨。更高的電池電壓如800V系統要求功率器件具有更高的耐壓小型化要求功率拓撲具有更高的開關頻率。碳化硅（SiC）作為第三代半導體代表，具有高頻率、高效率、小體積等優點，更適合車載充電機OBC、直流變換器 DC/DC、電機控制器等應用場景高頻驅動和高壓化的技術發展趨勢。本文主要針對SiC MOSFET的應用特點，介紹了車載充電機OBC和直流變換器DC/DC應用中的SiC MOSFET的典型使用場景，并針對SiC MOSFET的特性推薦了驅動芯片方案。最后，本文根據SiC MOSFET驅動對供電的特殊要求，對不同供電設計方案的優劣勢進行了分析。
2023-01-05
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細數心臟起搏器和ICD之間的差異
對于全球數百萬需要借助外力來調節心律的人來說，心臟起搏器和植入式心律轉復除顫器（ICD）是他們所依賴的、能夠改變生活的技術。雖然這兩種設備都是植入式醫療設備，旨在改善心律失常（一種心臟不規則跳動的疾病）患者的生活質量，但它們各自有著不同的用途。
2023-01-05
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貿澤電子推出傳感器設計資源網站
2023年1月3日 – 提供超豐富半導體和電子元器件?的業界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿澤電子 (Mouser Electronics) 宣布推出全新資源網站，專門提供傳感器設計指南。該網站收錄了豐富的技術文章，并且還在持續更新中。這些文章專門介紹傳感器設計應用的復雜性，并為工程師提供解決復雜設計挑戰所需的信息。讀者可訪問https://resources.mouser.com/sensor-design-guides進入該資源網站。
2023-01-04
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ADI和Seeing Machines攜手推進先進駕駛輔助系統，加速提升駕駛安全
中國，北京—2023年1月4日—Analog Devices, Inc. (Nasdaq: ADI)（全球領先的半導體公司）和Seeing Machines (LSE:SEE)（先進的計算機視覺技術公司，擅長設計基于AI的駕駛員監測系統，以提高行駛安全性）宣布達成合作，共同支持高性能駕駛員和乘客監測系統(DMS/OMS)技術的研發。
2023-01-04
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Si對比SiC MOSFET 改變技術—是正確的做法
相比基于硅(Si)的MOSFET，基于碳化硅(SiC)的MOSFET器件可實現更高的效率水平，但有時難以輕易決定這項技術是否更好的選擇。本文將闡述需要考慮哪些標準因素。
2023-01-04
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