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如何解決超薄筆記本電腦的音頻挑戰？
在工作環境中，人們使用筆記本電腦的方式不斷發生意想不到的變化。疫情使得遠程辦公已成為一種常態化。而在各種遠程位置的混合辦公環境這一趨勢則推動了對便攜性和更佳音頻體驗的更高偏好。根據 IDC PCD Tracker Historical 2022年第三季度報告（圖1所示），行業正在加速采用超薄筆記本電腦。
2023-05-09
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貿澤電子隆重推出新一期EIT計劃，重點介紹綠色能源儲能系統
2023年5月9日 – 提供超豐富半導體和電子元器件?的業界知名新品引入 (NPI) 代理商貿澤電子 (Mouser Electronics) 宣布推出其屢獲殊榮的Empowering Innovation Together?（共求創新，EIT）計劃2023全新內容系列。本年度第一期EIT的主題是綠色能源儲能系統，重點關注儲能系統的需求、潛力和未來，以及這些系統所需要的眾多元件和電池化學成分。
2023-05-09
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ADC參數如何以及為何變化的四個影響因素
影響ADC性能的第一個挑戰是集成。MCU將緊挨著設計完美的ADC。快速開關MCU會將開關噪聲和接地反彈引入ADC電路。向任何有經驗的模擬設計師詢問影響板級模擬性能的電路布局問題，他會告訴你任何莎士比亞戲劇相媲美的悲劇故事。現在想象一下，電路板尺寸減小到IC的面積，問題變得難以解決。時鐘同步和管理技術可用于將這些影響降至最低，但外設和異步事件的相互作用仍會影響ADC性能。
2023-05-08
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什么是PLC？看完就明白
PLC（Programmable Logic Controller，可編程控制邏輯控制器）以微處理器為基礎，融合計算機技術、自動化技術和通訊技術的新型工業控制裝置，實現工業自動化控制中的聯網通訊、人機交互、過程控制、邏輯編程等功能，具有操作簡單、可靠穩定等特點。
2023-05-08
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揭秘碳化硅芯片的設計和制造
眾所周知，對于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)來說，高質量的襯底可以從外部購買得到，高質量的外延片也可以從外部購買到，可是這只是具備了獲得一個碳化硅器件的良好基礎，高性能的碳化硅器件對于器件的設計和制造工藝有著極高的要求，接下來我們來看看安森美(onsemi)在SiC MOSFET器件設計和制造上都獲得了哪些進展和成果。
2023-05-06
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如何快速調試英飛凌LED驅動芯片LITIX TLD6098-X系列的設計
TLD6098-2ES是寬電壓輸入雙通道多拓撲DC/DC控制器，兩個通道上的電流或者電壓可以通過不同的拓撲實現閉環控制，作為一級恒壓源或者恒流源。目前TLD6098可以支持的拓撲有：對地升壓、SEPIC、反激、對電池升壓、降壓。
2023-05-06
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多電壓SoC電源設計技術
最小化功耗是促進IC設計現代發展的主要因素，特別是在消費電子領域。設備的加熱，打開/關閉手持設備功能所需的時間，電池壽命等仍在改革中。因此，采用芯片設計的最佳實踐來幫助降低SoC（片上系統）和其他IC（集成電路）的功耗變得非常重要。
2023-05-06
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什么是寬禁帶半導體？
禁帶寬度和電場強度越高，器件越不容易被擊穿，耐壓可以更高；熱導率和熔點越高，器件越容易散熱，也更容易耐高溫；電子遷移率越高，器件的開關速度也就越快，因此可以做高頻器件。不難看出，SiC和GaN器件在高溫、高壓、高頻應用領域的顯著優勢。
2023-05-05
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貿澤電子新品推薦：2023年第一季度推出逾15,000個新物料
2023年4月25日 – 業界知名的全球授權代理商貿澤電子 (Mouser Electronics)，專注于快速引進新產品與技術，幫助客戶設計出先進產品，并加快產品上市速度，實現從設計鏈到供應鏈?的全程優勢。貿澤受到1200多家半導體和電子元件制造商的信任，幫助他們將產品分銷到全球市場。貿澤旨在為客戶提供全面認證的原廠產品，并提供全方位的制造商可追溯性。
2023-05-03
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安森美和極氪簽署碳化硅功率器件長期供應協議
2023 年 4 月 26日—智能電源和智能感知技術的領導者安森美（onsemi，美國納斯達克上市代號：ON）和豪華智能純電品牌極氪智能科技（ZEEKR）宣布雙方簽署長期供應協議（LTSA）。安森美將為極氪提供EliteSiC碳化硅（SiC）功率器件，以提高其智能電動汽車（EV）的能效，從而提升性能，加快充電速度，延長續航里程。
2023-05-03
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安森美向海拉交付第10億顆感應傳感器IC
智能電源和智能感知技術的領導者安森美（onsemi，美國納斯達克上市代號：ON）宣布，已向海拉（HELLA）交付第10億顆感應傳感器接口集成電路（IC），海拉是一家國際汽車零部件供應商，也是佛瑞亞（FORVIA）集團旗下公司。這顆由安森美設計的IC被用于海拉的汽車線控系統非接觸型感應位置傳感器（CIPOS?）技術。在長達25年的合作中，兩家公司開發的創新設計縮小了海拉模塊和安森美IC的尺寸，以更好地適配對模塊外形尺寸有著高要求的應用。
2023-05-03
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總結肖特基勢壘二極管對寬帶隙材料的利用
由于碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 等寬帶隙材料具有優于硅 (Si) 的固有材料特性，因此工業界采用寬帶隙材料來滿足功率器件應用中的低功耗需求。這種需求導致了基于 SiC 和 GaN 的 SBD 的制造。
2023-04-29
- 安森美與舍弗勒強強聯手，EliteSiC技術驅動新一代PHEV平臺
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