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借助更多的選項響應正反饋
負反饋什么時候會變成正反饋？當控制工程師想要實現不錯的增益和相位裕度時。本博文概述第 4 代 SiC FET 如何為設計人員提供理想性能和多種器件選擇，同時支持更高的設計靈活性，從而實現成本效益最優的功率設計。
2023-07-24
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華潤微總裁李虹：中國半導體市場下滑趨勢有到底跡象！
6月17日，在廣州南沙召開的第二屆中國?南沙國際集成電路產業論壇（2023 IC NANSHA）上，國內IDM大廠華潤微（SH688396）總裁李虹在演講中表示，中國半導體市場規模在過去的一年當中，增速弱于全球，呈現周期性衰退，但下滑趨勢有到底跡象。
2023-07-24
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工程師必須知道的大電流單通道柵極驅動器設計技巧
NCD(V)5700x 是大電流單通道柵極驅動器，內置電流隔離功能，用于在高功率應用中實現高系統效率和可靠性。其特性包括：互補輸入（IN+ 和 IN-），開漏故障（1686908889869977.png）和就緒 (RDY) 輸出，復位或清除故障功能（1686908875512772.png），有源米勒箝位 (CLAMP)，去飽和保護 (DESAT)，去飽和情況下軟關斷，拉電流 (OUTH) 和灌電流 (OUTL) 分離驅動輸出（僅限 NCD(V)57000），精確欠壓閉鎖 (UVLO)，低傳播延遲（最大值90 ns）和小脈沖失真（最大值25 ns），較高的共模瞬變抗擾度 (CMTI)——在 VCM = 1500 V條件下可承受 100kV/us（最小值），輸入信號范圍涵蓋 5 V 和 3.3 V，輸出差分偏置電壓（VDD2-VEE2）最高 25 V（最大值），VDD2 額定值為 25 V（最大值），VEE2 額定值為 -10 V（最大值）。NCD(V)5700x 提供 5 kVrms 電流隔離和 1.2 kV 工作電壓能力，輸入和輸出之間的爬電距離保證至少 8 mm。寬體 SOIC-16 封裝滿足增強型安全絕緣要求。
2023-07-21
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LM358的工作電壓范圍
手邊有一堆之前購買到的 LM358 低功耗雙運放 IC 芯片。下面計劃對其基本功能進行測試。這是在面包板上搭建的一個振蕩電路。電路輸出方波和三角波。應用 LM358 其中的一個運放，R1，R2 正反饋網絡使得LM358形成斯密特特性的比較器。R3, C1 構成負反饋，形成多諧振蕩器。這是測量電路工作波形。藍色信號是 LM358的輸出，青色波形是 C1 電容上的充放電波形。振蕩頻率為 1.826kHz。下面應用這個電路來測量兩個特性。一個是振蕩電路隨著工作電壓變化，對應的頻率變化。另外一個是該電路的最大工作電壓是多少。下面讓我們看一下測量的結果。
2023-07-20
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安森美與博格華納擴大碳化硅戰略合作， 協議總價值超10億美元
智能電源和智能感知技術的領先企業安森美(onsemi，美國納斯達克股票代碼：ON)與提供創新可持續的車行方案的全球領先供應商博格華納(BorgWarner，紐約證交所股票代碼：BWA)，擴大碳化硅（SiC）方面的戰略合作，協議總價值超10億美元。博格華納計劃將安森美的EliteSiC 1200 V和750 V功率器件集成到其VIPER功率模塊中。長期以來，雙方已在廣泛的產品領域開展戰略合作，其中即包括EliteSiC器件。
2023-07-19
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安森美引領行業的Elite Power仿真工具和PLECS模型自助生成工具的技術優勢
本文旨在介紹 安森美 (onsemi) 的在線 Elite Power 仿真工具和 PLECS 模型自助生成工具 (SSPMG) 所具有的技術優勢，提供有關如何使用在線工具和可用功能的更多詳細信息。我們首先介紹一些與 SPICE 和 PLECS 模型有關的基礎知識，接下來介紹開關損耗提取技術和寄生效應影響的詳細信息，并介紹虛擬開關損耗環境的概念和優勢。該虛擬環境還可用來研究系統性能對半導體工藝變化的依賴性。最后，本文詳細介紹對軟硬開關皆適用的 PLECS 模型以及相關的影響。總結部分闡明了安森美工具比業內其他用于電力電子系統級仿真的工具更精確的原因。
2023-07-19
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具有更高效率與優勢的碳化硅技術
碳化硅（SiC）技術具有比傳統的硅（Si）、絕緣柵雙極晶體管（IGBT）等技術具有更多優勢，包括更高的開關頻率，更低的工作溫度，更高的電流和電壓容量，以及更低的損耗，進而可以實現更高的功率密度、可靠性和效率。本文將為您介紹SiC的發展趨勢與在儲能系統（ESS）上的應用，以及由Wolfspeed推出的SiC電源解決方案。
2023-07-19
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貿澤電子第六次斬獲Molex年度全球優質服務代理商獎
2023年7月19日 – 提供超豐富半導體和電子元器件?的業界知名新品引入 (NPI) 代理商貿澤電子 (Mouser Electronics) ，宣布榮獲全球電子產品知名企業和連接創新者Molex頒發的2022年度全球優質服務（目錄）代理商獎。這也是貿澤第六次斬獲這一全球知名獎項，貿澤憑借2022年度全球客戶數大幅增長，以及增速迅猛的銷售業績而獲此殊榮。
2023-07-19
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貿澤電子為設計工程師提供豐富多樣的技術電子書
專注于推動行業創新的知名新品引入 (NPI) 代理商?貿澤電子 (Mouser Electronics) 發布了三本與設計相關的新電子書，深入開展一系列技術探討，包括城市空中運輸電動交通工具的未來、車隊遠程信息處理設計，以及下一代系統架構的進展。
2023-07-18
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PFC電路：死區時間理想值的考量
由于該電路是進行同步整流工作的電路，所以我們通過仿真來探討高邊（HS）和低邊（LS）SiC MOSFET SCT2450KE的死區時間理想值，即不直通的最短時間。死區時間可以通過仿真工具的PWM控制器參數TD1（HS）和TD2（LS）來分別設置。
2023-07-18
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計算DC-DC補償網絡的分步過程
本文旨在幫助設計人員了解DC-DC補償的工作原理、補償網絡的必要性以及如何使用正確的工具輕松獲得有效的結果。該方法使用LTspice?中的一個簡單電路，此電路基于電流模式降壓轉換器的一階（線性）模型1。使用此電路，無需執行復雜的數學計算即可驗證補償網絡值。
2023-07-17
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絕緣柵雙極晶體管(IGBTs)簡史
盡管人們對寬帶隙(WBG)功率半導體器件感到興奮，但硅基絕緣柵雙極晶體管(IGBTs)在今天比以往任何時候都更加重要。在我們10月份發布的電動汽車電力電子報告[2]中，TechInsights預測，xEV輕型汽車動力總成的產量將從2020年的910萬增長到2026年的4310萬，這使得其復合年增長率(CAGR)達到25%。SiC MOSFET目前預計占市場的約26%，到2029年預計將占市場份額的50%。
2023-07-16
- 安森美與舍弗勒強強聯手，EliteSiC技術驅動新一代PHEV平臺
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