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汽車安全傳感器市場商機無限
汽車的安全性已經(jīng)成為企業(yè)和消費者最為關(guān)心的問題。如今的汽車企業(yè)，為了滿足消費者對產(chǎn)品安全性日益苛刻的要求，開始想方設法地將最尖端的科技運用到汽車上。除了底盤控制系統(tǒng)和安全氣囊等傳統(tǒng)的安全配置以外，一些新興的汽車電子安全產(chǎn)品開始得到了普及。比如TPMS（汽車輪胎壓力監(jiān)測系統(tǒng)）、倒車雷達、具有遠程故障診斷和道路救援功能的Telematics（移動信息系統(tǒng)）以及一些智能化識別系統(tǒng)等等。
2008-09-05
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EG-2102CA/EG-2121CA HCSL：Epson Toyocom SAW振蕩器
Epson Toyocom公司開發(fā)研制出適用于PCI Express 、FB-DIMM (Fully Buffered DIMM) 、HCSL（高速電流驅(qū)動邏輯、High-speed Current Steering Logic） 輸出的低抖動 、低相位噪音 的表面聲波（SAW）振蕩器：EG-2102CA HCSL與EG-2121CA HCSL。
2008-09-02
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SCGC1B系列：ALPS用于8管腳SIM卡的連接器
ALPS推出了用于SIM（Subscriber Identity Module）卡的SCGC1B系列連接器，并從今年的9月起開始生產(chǎn)并出售樣品。SIM卡為IC卡，該卡記錄了可特定電話號碼的固有ID編碼。
2008-08-26
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SCHG1B系列：ALPS8管腳SIM卡和microSD卡二合一連接器
ALPS推出可適應SIM（Subscriber Identity Module）卡和microSD卡的SCHG1B系列組合式連接器，并從今年的9月起開始生產(chǎn)并銷售樣品。
2008-08-26
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南方芯源在西安成立研發(fā)中心西安芯派
2008年8月18日，Samwin公司投資發(fā)起設立的西安芯派科技有限公司正式成立，主要從事MOSFET全新溝通工藝，電源管理IC及射頻技術(shù)應用三個方面的產(chǎn)品研發(fā)。該中心的成立將進一步提高Samwin產(chǎn)品的技術(shù)先進度。
2008-08-20
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Molex推出新型microSD卡連接器
Molex推出新系列的microSD卡連接器，提供附加功能在移動和袖珍型設備中幫助控制卡的彈出。專為世界上最小的記憶卡存儲系統(tǒng)microSD而設計，Molex的microSD卡連接器具有兩種外形高度，解決了在彈簧式卡彈出系統(tǒng)中可能出現(xiàn)的卡飛出和卡卡住的問題。
2008-08-20
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298D系列：Vishay便攜應用固體鉭芯片電容器系列小封裝產(chǎn)品
Vishay宣布擴展其 298D系列 MicroTan? 固體鉭芯片電容器，推出0402 封裝尺寸的298D。此電容器充分利用已獲專利的MAP（多陣列封裝）裝配技術(shù)以擴展產(chǎn)品系列，現(xiàn)已可在超薄小型0402 K封裝中提供4.7μF-4V至10μF-4V的電容電壓。
2008-08-15
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安森美半導體ESD保護二極管榮獲《Electronic Products》2007“年度產(chǎn)品”獎
安森美半導體的ESD9L5.0S ESD保護二極管榮獲美國《Electronic Products》雜志頒發(fā)2007“年度產(chǎn)品”獎。產(chǎn)品評選包括技術(shù)上的重大進展、應用、設計創(chuàng)新或性價比有出色表現(xiàn)。
2008-08-04
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P10L：Vishay Sfernice微型面板電位計
Vishay宣布推出具有長久使用壽命、溫度系數(shù)低至 ±150 ppm/°C 且具有 9.6mm 小型尺寸的新型低成本面板電位計。
2008-07-11
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Si8445DB：Vishay新型20V P通道TrenchFET功率MOSFET
日前，Vishay推出新型 20V p 通道TrenchFET功率MOSFET，該器件采用MICRO FOOT芯片級封裝，具有很小占位面積以及 1.2 V 時超低的導通電阻。
2008-06-18
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SiA***DJ：Vishay新型小型封裝Siliconix功率MOSFET
Vishay宣布推出15款采用 2 mm×2 mm 的 PowerPAK SC-70 封裝、厚度為 0.8 mm 的新型功率 MOSFET。
2008-05-28
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TR8系列：Vishay新型模塑MicroTan鉭芯片電容
Vishay宣布推出新型TR8系列模塑MicroTan鉭芯片電容，采用0805封裝的該類電容具有0.8Ω超低ESR（在100 kHz和47 μF條件下），而采用0603封裝的具有業(yè)內(nèi)最低的1.5Ω ESR值。
2008-05-14
- 安森美與舍弗勒強強聯(lián)手，EliteSiC技術(shù)驅(qū)動新一代PHEV平臺
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