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IGBT主要供應(yīng)商和分銷商大盤點(diǎn)
由于工業(yè)與消費(fèi)領(lǐng)域的需求增長(zhǎng)，中國(guó)絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)市場(chǎng)未來(lái)幾年將快速增長(zhǎng)。需求擺在這里，IGBT要從哪里采購(gòu)呢？本文盤點(diǎn)了IGBT主要供應(yīng)商和分銷商，包括Top 15海外供應(yīng)商和Top 8國(guó)內(nèi)供應(yīng)商。
2013-08-05
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八大步驟輕松搞定IGBT選型
提高IGBT的導(dǎo)通效率往往需要付出代價(jià)：IGBT通常具備相對(duì)較高的開關(guān)損耗，這可降低應(yīng)用開關(guān)頻率。面對(duì)眾多的IGBT產(chǎn)品，選擇的正確與否決定著你得到的電氣性能和成本。應(yīng)該如何選型？八大步驟，輕松搞定。
2013-08-03
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Vishay開發(fā)出可承受1850A電流尖峰沖擊的緩沖電容
中高功率逆變器中的IGBT切換時(shí)會(huì)引起很大的電壓和電流尖峰，這種尖峰是導(dǎo)致嚴(yán)重EMI的重要原因。Vishay最新開發(fā)的緩沖電容可承受2500V/μs的高能脈沖和1850A的峰值電流，壽命超過(guò)30萬(wàn)小時(shí)，可耐105℃高溫。
2013-07-20
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IGBT管的萬(wàn)用表檢測(cè)方法
IGBT管，我們?cè)谌粘Ｉ睢⒐ぷ髦卸冀?jīng)常用到，但不知道大家對(duì)“IGBT管的萬(wàn)用表檢測(cè)方法”是否知道呢？本文收集整理了一些資料，希望本文能對(duì)各位讀者有比較大的參考價(jià)值。
2013-07-12
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BJT重獲新生？SiC BJT讓光伏逆變器系統(tǒng)成本顯著降低
過(guò)去30 年，基于硅的 BJT在大多數(shù)電源設(shè)計(jì)中被MOSFET和IGBT等CMOS替代產(chǎn)品逐漸取代，但是今天，碳化硅賦予 BJT 新的生命，以更高的效率特別是能夠使用更便宜的元件，收復(fù)失地，重新成為受歡迎的替代產(chǎn)品。SiC BJT真的這么厲害嗎？讓我們用事實(shí)和數(shù)據(jù)來(lái)說(shuō)話。
2013-06-25
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有效防止IGBT短路新設(shè)計(jì)
短路故障是IGBT裝置中常見的故障之一，本文針對(duì)高壓大容量IGBT的短路故障，分析了IGBT的短路特性，基于已有的IGBT驅(qū)動(dòng)器和有源電壓箝位技術(shù)，設(shè)計(jì)了一種閉環(huán)控制IGBT關(guān)斷過(guò)電壓的驅(qū)動(dòng)電路。通過(guò)實(shí)驗(yàn)證明，這種電路可以提高IGBT短路保護(hù)的可靠性。
2013-05-29
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英飛凌推出節(jié)約20%PCB面積的高壓IGBT門極驅(qū)動(dòng)器
近日，英飛凌科技股份有限公司推出新一代應(yīng)用于新能源汽車的高壓IGBT門級(jí)驅(qū)動(dòng)器--EiceDRIVER SIL和EiceDRIVER Boost，與目前的解決方案相比可顯著節(jié)約高達(dá)20%PCB面積，可替代目前的解決方案中高達(dá)60%的分立元件，極大降低整體系統(tǒng)成本。使汽車系統(tǒng)供應(yīng)商便能夠更輕松地設(shè)計(jì)出更具成本效益的HEV電力傳動(dòng)傳動(dòng)子系統(tǒng)。
2013-05-28
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半月談：探究光伏發(fā)電 深入解析逆變技術(shù)
盡管近年來(lái)光伏行業(yè)形勢(shì)不容樂(lè)觀，但有預(yù)測(cè)顯示，到2015年，光伏組件、逆變器營(yíng)收將出現(xiàn)強(qiáng)勁增長(zhǎng)。因此，光伏發(fā)電逆變技術(shù)前景十分看好。本文將主要針對(duì)高壓、大容量逆變器的關(guān)鍵技術(shù)進(jìn)行講解，并分析該如何正確地為光伏逆變器應(yīng)用選擇IGBT。
2013-05-22
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igbt模塊和igbt電源模塊
電源模塊，相信大家一定不會(huì)陌生了。不知道大家對(duì)igbt模塊是否有了解呢？什么是igbt電源模塊呢？以下，小編將與大家分享igbt模塊和igbt電源模塊的相關(guān)方面知識(shí)。
2013-05-19
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新型電源柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)
高功率電平帶來(lái)更高的系統(tǒng)電壓，轉(zhuǎn)換器內(nèi)所用各種組件的切斷電壓也更高。單通道UCC27531作為一種小型、非隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，它的高電源/輸出驅(qū)動(dòng)電壓范圍為10到35V，讓其成為12V Si MOSFET應(yīng)用和IGBT/SiC FET應(yīng)用的理想選擇。
2013-05-17
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安森美推出降低30%開關(guān)損耗的截止型IGBT器件
近日，安森美半導(dǎo)體推出新的第二代場(chǎng)截止型(FSII)IGBT器件，降低開關(guān)損耗達(dá)30%，因而提供更高能效，并轉(zhuǎn)化為更低的外殼溫度，為設(shè)計(jì)人員增強(qiáng)系統(tǒng)總體性能及可靠性的選擇。這些新器件針對(duì)目標(biāo)應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化，相比現(xiàn)有器件能降低外殼溫度達(dá)20%。
2013-05-16
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IGBT在太陽(yáng)能應(yīng)用中的高能效設(shè)計(jì)
對(duì)于太陽(yáng)能逆變器來(lái)說(shuō)，絕緣柵雙極晶體管(IGBT)能比其他功率元件提供更多的效益，其中包括高載流能力、以電壓而非電流進(jìn)行控制，并能使逆并聯(lián)二極管與IGBT配合。本文將介紹如果利用全橋逆變器拓?fù)浼斑x用合適的IGBT，使太陽(yáng)能應(yīng)用的功耗降至最低。
2013-05-14
- 國(guó)產(chǎn)芯片與系統(tǒng)深度融合！兆易創(chuàng)新聯(lián)袂普華軟件破局汽車電子
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