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西部電子行業(yè)發(fā)展前沿 參觀注冊(cè)好禮相送
2013年6月20—22日，中國(guó)電子展（CEF）系列展覽之一的“2013中國(guó)（成都）電子展” (www.icef.com.cn )將在成都世紀(jì)城新國(guó)際會(huì)展中心召開(kāi)。在20000平方米的展廳中，將匯集國(guó)內(nèi)外的600余家領(lǐng)軍企業(yè)參展，12場(chǎng)專業(yè)研討會(huì)和高峰論壇。
2013-05-13
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微波射頻電路及系統(tǒng)設(shè)計(jì)研討會(huì) 助力西部核心產(chǎn)業(yè)發(fā)展 為西部RF、微波和高頻電路及系統(tǒng)行業(yè)策劃的新技術(shù)交流會(huì)
“2013成都高頻電路及系統(tǒng)技術(shù)研討會(huì)”（6月21日 成都世紀(jì)城新國(guó)際會(huì)展中心）如火如荼進(jìn)行中，此次會(huì)議與“2013中國(guó)成都電子展”同期舉辦。是由專注于微波、射頻、無(wú)線技術(shù)的行業(yè)門(mén)戶網(wǎng)站微波射頻網(wǎng)（MWRF.NET）和中國(guó)歷史最悠久、最權(quán)威的中國(guó)電子展組委會(huì)聯(lián)合主辦的，已開(kāi)通官方網(wǎng)站：http://www.mwrfexpo.com/2013/cd.shtml和www.icef.com.cn。
2013-05-13
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基于UCC27531的電源開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)
德州儀器UCC27531單通道柵極驅(qū)動(dòng)器可以非常靠近電源開(kāi)關(guān)柵極放置。相比在一塊單IC中組合高側(cè)/低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器，它的靈活度更高，可幫助最小化驅(qū)動(dòng)器和電源開(kāi)關(guān)之間的電感，并讓設(shè)計(jì)人員能夠更好地控制開(kāi)關(guān)柵極。
2013-05-09
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SiC BJT：比同類產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)高達(dá)40%的輸出功率提升
飛兆半導(dǎo)體最近推出的碳化硅(SiC)雙極結(jié)型晶體管(BJT)將成為IGBT的下一個(gè)替代技術(shù)，它可以在更高的溫度下轉(zhuǎn)換更高的電壓和電流。SiC BJT允許更高的開(kāi)關(guān)頻率，傳導(dǎo)和開(kāi)關(guān)損耗降低(30-50%)，從而能夠在相同的尺寸的系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)高達(dá)40%的輸出功率提升。
2013-05-08
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封裝技術(shù)的概述與比較
目前，封裝技術(shù)在當(dāng)代的應(yīng)用可謂是越來(lái)越廣泛，通過(guò)對(duì)上一遍文章的了解，我們也大致已經(jīng)對(duì)封裝技術(shù)多多少少有所了解了，現(xiàn)在我們就繼續(xù)來(lái)深入了解封裝技術(shù)，關(guān)于封裝技術(shù)的B功率型LED封裝技術(shù)概述、封裝技術(shù)的功率型LED白光技術(shù)、封裝技術(shù)的LED單芯片封裝、封裝技術(shù)的半導(dǎo)體封裝技術(shù)、封裝技術(shù)的比較、封裝技術(shù)的微電子封裝技術(shù)、封裝技術(shù)的IC發(fā)展對(duì)微電子封裝推動(dòng)、封裝技術(shù)的COB技術(shù)、封裝技術(shù)的Flipchip技術(shù)。
2013-05-08
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PI推出支持LED照明應(yīng)用的Expert Suite 9.0電源設(shè)計(jì)軟件
近日，Power Integrations宣布推出其廣受歡迎的電源設(shè)計(jì)軟件的更新版本-PI Expert Suite 9.0。新版軟件現(xiàn)在增加了對(duì)其LinkSwitch-PL和LinkSwitch-PH LED驅(qū)動(dòng)器IC以及近期推出的TinySwitch-4離線式開(kāi)關(guān)IC產(chǎn)品系列的設(shè)計(jì)支持。
2013-05-07
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第一講：基于SiC雙極結(jié)型晶體管的高能效設(shè)計(jì)
為努力實(shí)現(xiàn)更高的功率密度并滿足嚴(yán)格的效率法規(guī)要求以及系統(tǒng)正常運(yùn)行時(shí)間要求，工業(yè)和功率電子設(shè)計(jì)人員在進(jìn)行設(shè)計(jì)時(shí)面臨著不斷降低功率損耗和提高可靠性的難題。SIC雙極結(jié)型晶體管可實(shí)現(xiàn)效率和功率密度的大幅提升，以及改善功率密度、可靠性和效率。從而實(shí)現(xiàn)電力電子的高能耗設(shè)計(jì)。
2013-05-06
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MEMS加速傳感器更快速、方便、準(zhǔn)確檢測(cè)心臟功能
通過(guò)基于微電子機(jī)械系統(tǒng)（MICRO ELECTRO MECHANICAL SYSTEM,MEMS）的加速傳感器和陀螺儀的設(shè)計(jì)，正越來(lái)越多地應(yīng)用于醫(yī)療領(lǐng)域。本文將給大家詳細(xì)介紹MEMS加速傳感器在心臟功能檢測(cè)方面相對(duì)于傳統(tǒng)方法的巨大優(yōu)勢(shì)。
2013-05-04
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電涌保護(hù)器（SPD）工作原理及結(jié)構(gòu)
電涌保護(hù)器(Surge protection Device)是電子設(shè)備雷電防護(hù)中不可缺少的一種裝置，過(guò)去常稱為“避雷器”或“過(guò)電壓保護(hù)器”英文簡(jiǎn)寫(xiě)為SPD。電涌保護(hù)器的作用是把竄入電力線、信 號(hào)傳輸線的瞬時(shí)過(guò)電壓限制在設(shè)備或系統(tǒng)所能承受的電壓范圍內(nèi)，或?qū)?qiáng)大的雷電流泄流入地，保護(hù)被保護(hù)的設(shè)備或系統(tǒng)不受沖擊而損壞。
2013-05-04
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FAN3180：集成3.3V輸出電壓穩(wěn)壓器的單通道2A底邊驅(qū)動(dòng)器
近日，飛兆半導(dǎo)體公司推出FAN3180驅(qū)動(dòng)器，這是集成了3.3V輸出電壓穩(wěn)壓器的單通道2A底邊驅(qū)動(dòng)器，可為微控制器或ASIC供電，并為外部半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)提供強(qiáng)大的柵極驅(qū)動(dòng)。
2013-04-26
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Vishay新款功率MOSFET導(dǎo)通電阻比前一代器件低45%
Vishay Siliconix 新型N溝道TrenchFET功率MOSFET——SiR872ADP，電壓擴(kuò)大至150V，為DC/DC應(yīng)用提供18mΩ導(dǎo)通電阻，適用于DC/DC轉(zhuǎn)換器、DC/AC逆變器，以及通信磚式電源、太陽(yáng)能微逆變器和無(wú)刷直流電機(jī)的升壓轉(zhuǎn)換器中的初級(jí)側(cè)和次級(jí)側(cè)的同步整流。
2013-04-24
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IDT推出首款雙模無(wú)限電源接收器IC
IDT近日宣布：推出業(yè)界首款雙模無(wú)線電源接收器IC，這款接收器同時(shí)兼容無(wú)線充電聯(lián)盟 (Wireless Power Consortium，WPC) 和PMA聯(lián)盟 (Power Matters Alliance，PMA) 標(biāo)準(zhǔn)。IDT的創(chuàng)新接收器彌合了互相競(jìng)爭(zhēng)的傳輸標(biāo)準(zhǔn)間的技術(shù)差異，使移動(dòng)設(shè)備和配件OEM廠商能夠使用單一的物料清單(BOM) 來(lái)同時(shí)支持WPC和PMA標(biāo)準(zhǔn)。
2013-04-20
- 安森美與舍弗勒強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，EliteSiC技術(shù)驅(qū)動(dòng)新一代PHEV平臺(tái)
- 安森美與英偉達(dá)強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，800V直流方案賦能AI數(shù)據(jù)中心能效升級(jí)
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