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采用被動式紅外傳感器做運動檢測 有沒有簡捷實現的方案？
本文首先討論運動檢測的基本原理，然后展示開發者如何使用與 Microchip DM080104 ATtiny 1627 Curiosity Nano 連接的 PIR 進行運動檢測。最后，介紹一種可替代復雜算法開發的運動檢測方法。這種方法充分發揮了機器學習 (ML) 技術的優勢。其中包括入門所需的技巧和竅門。
2024-07-16
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譽滿而歸｜英麥科2024慕尼黑上海電子展圓滿收官！
2024年7月8日至10日，為期三天的慕尼黑上海電子展(electronica China)在上海新國際博覽中心圓滿落下帷幕，這一全球電子行業矚目的盛事，成功匯聚了國內外頂尖電子企業，共同呈現了一場前所未有的科技盛宴。
2024-07-15
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2024中國（深圳）集成電路峰會將于8月16日盛大開啟
2024年8月16日，由中國半導體行業協會集成電路設計分會指導，深圳市人民政府主辦，深圳市半導體行業協會承辦的中國集成電路產業年度頂級盛會——2024中國（深圳）集成電路峰會（簡稱“ICS2024峰會”）將在深圳（具體地點另行通知）隆重召開，誠邀產業各界嘉賓齊聚深圳，共談芯事，共謀芯路，誠邀相關單位洽談推廣合作。
2024-07-15
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直流電能計量應用的發展與技術優勢
在基于寬帶隙半導體（例如GaN和SiC器件）的高效經濟型功率轉換技術發展的推動下，許多應用現在都看到了轉換為直流電能的好處。因此，精確的直流電能計量變得越來越重要，特別是涉及到電能計費的地方。本文將討論直流計量在電動汽車充電站、數據中心、微電網等方面的發展機會，以及由ADI推出的相關解決方案。
2024-07-12
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意法半導體公布2024年第二季度財報和電話會議時間安排
服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體 (STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM) 將在2024年7月25日歐洲證券交易所開盤前公布2024年第二季度財務數據。
2024-07-12
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電驅逆變器SiC功率模塊芯片級熱分析
本文提出一個用尺寸緊湊、高成本效益的DC/AC逆變器分析碳化硅功率模塊內并聯裸片之間的熱失衡問題的解決方案，該分析方法是采用紅外熱像儀直接測量每顆裸片在連續工作時的溫度，分析兩個電驅逆變模塊驗證，該測溫系統的驗證方法是，根據柵源電壓閾值選擇每個模塊內的裸片。我們將從實驗數據中提取一個數學模型，根據Vth 選擇標準，預測當逆變器工作在電動汽車常用的電壓和功率范圍內時的熱不平衡現象。此外，我們還能夠延長測試時間，以便分析在電動汽車生命周期典型電流負荷下的芯片行為。測試結果表明，根據閾壓為模塊選擇適合的裸片可以優化散熱性能，減少熱失衡現象。
2024-07-11
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DIC EXPO 2024國際（上海）顯示技術及應用創新展完美收官！
DIC EXPO 2024國際（上海）顯示技術及應用創新展今日圓滿收官！本屆展會在為期三天的開展期內，300余家國內外核心顯示企業齊聚上海展示產業鏈最新技術解決方案，前來參觀交流的專業觀眾接踵而至，現場人流絡繹不絕。
2024-07-09
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重磅！嘉立創、一博科技、嘉捷通、金晟達等PCB行業巨頭集結，一年只此一次！
為擴大博覽會在國內外的影響力，并緊貼電子信息行業發展的脈搏，本屆展會精心策劃了多個核心展區，涵蓋基礎電子元器件、半導體IC、特種電子、智能終端、AI大數據、智能制造等前沿領域，旨在展示最新技術成果，引領行業發展潮流。值得一提的是，今年的西部電博會吸引了PCB行業的眾多佼佼者，包括嘉立創、一博科技、嘉捷通、金晟達、強達電路等在內的20多家企業集體參展。
2024-07-09
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RF ADC為什么有如此多電源軌和電源域？
為了解電源域和電源的增長情況，我們需要追溯ADC的歷史脈絡。早期ADC采樣速度很慢，大約在數十MHz內，而數字內容很少，幾乎不存在。電路的數字部分主要涉及如何將數據傳輸到數字接收邏輯——專用集成電路 (ASIC) 或現場可編程門陣列 (FPGA)。用于制造這些電路的工藝節點幾何尺寸較大，約在180 nm或更大。使用單電壓軌(1.8 V )和兩個不同的域（AVDD和DVDD，分別用于模擬域和數字域），便可獲得足夠好的性能。
2024-07-09
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芯原戴偉民：AIGC為端側AI帶來巨大機會
芯原在世界人工智能大會（WAIC 2024）同期舉辦的“RISC-V和生成式AI論壇”上，芯原股份創始人、董事長兼總裁，中國RISC-V產業聯盟理事長戴偉民表示，AIGC為端側AI帶來巨大機會，在其中，汽車便是其中最大的終端。此外，他還分享了AIGC芯片的機遇與挑戰。
2024-07-08
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功率器件模塊：一種滿足 EMI 規范的捷徑
相鄰或共用導電回路的電子器件容易受到電磁干擾 (EMI) 的影響，使其工作過程受到干擾。要確保各電氣系統在同一環境中不干擾彼此的正常運行，就必須最大限度地減少輻射。通常，由于硅 (Si) IGBT 和碳化硅 (SiC) MOSFET 等功率半導體器件在工作期間需要進行快速開關，因此通常會產生傳導型 EMI。在開關狀態轉換過程中，器件兩端的電壓和流經器件的電流會迅速改變狀態。開、關狀態間變化會產生 dv/dt 和 di/dt，從而在開關頻率的諧波頻率上產生 EMI。
2024-07-08
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DigiKey 將在 2024 慕尼黑上海電子展為觀眾帶來精彩的行業洞見和前沿技術展示
2024 慕尼黑上海電子展將在 7 月 8 日至 10 日期間于上海新國際博覽中心舉行。DigiKey 邀請了來自Analog Devices、Bel Fuse、 DFRobot、Microchip、 Molex、Omron、onsemi、 Renesas 和 YAGEO 行業領先品牌的供應商嘉賓，以及行業專家、專業客戶和關鍵意見領袖參與訪談和演示。訪談話題將涵蓋人工智能、汽車、互連、工業自動化、物聯網、新能源等熱點領域，為觀眾帶來精彩的行業洞見和前沿技術展示。DigiKey誠邀各位參會者蒞臨2024 慕尼黑上海電子展 E5展館5206號展位。
2024-07-05
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