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聚焦新基建，2020貿澤電子技術創新主題周正式啟動！
2020年6月2日－專注于引入新品推動行業創新的電子元器件分銷商貿澤電子 (Mouser Electronics) 宣布將于6月至11月開啟“2020 貿澤電子技術創新主題周”線上直播系列活動，著力聚焦新基建下的智能化發展。屆時將邀請到業內大咖嘉賓坐鎮直播間，就廣大工程師及設計人員關注的話題進行深度探討。第一期的主題周活動將以“工業控制與機器人”為專題，6月3日到5日的每天下午2點到4點貿澤將攜手ADI、SiliconLabs、Vicor等國際知名原廠與行業專家們準時與你線上相約，分享行業發展、應用趨勢及最新解決方案。
2020-06-02
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雙電層電容器分類和優點
雙電層電容器有（ElectricalDoule-LayerCapacitor），又可稱超級電容器，一種新型儲能裝置，擁有高能量密度的電化學電容器，比一般的電解電容器容量高上千倍。雙電層電容器有充電時間短、使用壽命長、溫度特性好、節約能源和綠色環保等特點。
2020-06-01
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安森美半導體任命Bernie Colpitts為首席會計官
2020年5月22日 —推動高能效創新的安森美半導體 (ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON)，宣布任命Bernard (“Bernie”)為安森美半導體公司及其全資子公司Semiconductor Components Industries, LLC (“SCILLC”)的首席會計官，以及SCILLC財務副總裁 。 Colpitts此前是總部位于美國德克薩斯州的視頻游戲零售商GameStop Corp.的高級副總裁兼首席會計官。
2020-05-28
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射頻集成電路的電源管理
隨著射頻集成電路(RFIC)中集成的元件不斷增多，噪聲耦合源也日益增多，使電源管理變得越來越重要。本文將描述電源噪聲可能對RFIC 性能造成的影響。雖然本文的例子是集成鎖相環(PLL)和電壓控制振蕩器(VCO)的 ADRF6820 正交解調器，但所得結果也適用于其他高性能RFIC。
2020-05-20
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詳解MEMS VOA光衰減器的工作原理
MEMS（Micro Electro Mechanical System，微機電系統）技術被廣泛應用于光纖通信系統中，MEMS技術與光學技術的結合，通常稱作MOEMS技術。最為常用的MOEMS器件包括光衰減器VOA、光開關OS、可調光學濾波器TOF、動態增益均衡器DGE、波長選擇開關WSS和矩陣光開關OXC。
2020-05-20
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兩款新器件重塑信號發生器
過去，任意波形發生器最棘手的部分是輸出級的設計。典型信號發生器的輸出范圍在25 mV 到5 V 之間。為了驅動一個50 Ω 的負載，傳統設計采用高性能分立式器件，并聯大量集成器件，或者成本昂貴的ASIC，而要構造出穩定且可編程范圍較寬的高性能輸出級，設計師往往要投入無數小時的時間。現在，技術進步帶來的放大器可以驅動這些負載，降低輸出級的復雜性，同時還能減少成本、縮短上市時間。
2020-05-19
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多通道探針定位系統
具有兩個以上通道的示波器會給人們帶來一個共同的問題：沒有任何人有足夠多的手來握住兩個以上的示波器探針。這一問題在使用諸如新型 PicoScope 6800E 設備等其他 8 通道示波器時尤為明顯，因此對于 Pico Technology 而言，解決這一問題尤其重要。
2020-05-19
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從輕負載到重負載均實現高效率 充分地延長電池設備的續航時間
BD83070GWL是一款內置MOSFET的升降壓型DC/DC轉換器IC，適用于電池驅動的移動設備、可穿戴式設備及IoT設備。這款DC/DC轉換器IC不僅可通過升降壓工作最大限度地利用電池的能量，還在從輕負載到重負載的廣泛負載條件下，均實現了高效率和超低消耗電流，從而可大幅延長電池驅動設備的續航時間。
2020-05-18
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IC引腳未在應用中使用如何處置？
在電路設計中，經常會遇到一些 IC 的引腳并未在應用中使用到的情況，那么，該如何處置呢？
2020-05-18
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意法半導體發布2020年可持續發展報告
中國，2020年5月15 日 – 橫跨多重電子應用領域的全球領先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM)發布了2020年可持續發展報告。
2020-05-15
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羅姆SiC MOSFET的新產品為何采用4引腳封裝
ROHM最近推出了SiC MOSFET的新系列產品“SCT3xxx xR系列”。SCT3xxx xR系列采用最新的溝槽柵極結構，進一步降低了導通電阻；同時通過采用單獨設置柵極驅動器用源極引腳的4引腳封裝，改善了開關特性，使開關損耗可以降低35%左右。此次，針對SiC MOSFET采用4引腳封裝的原因及其效果等議題，我們采訪了ROHM株式會社的應用工程師。
2020-05-14
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通過驅動器源極引腳將開關損耗降低約35%
ROHM最近推出了SiC MOSFET的新系列產品“SCT3xxx xR系列”。SCT3xxx xR系列采用最新的溝槽柵極結構，進一步降低了導通電阻；同時通過采用單獨設置柵極驅動器用源極引腳的4引腳封裝，改善了開關特性，使開關損耗可以降低35%左右。此次，針對SiC MOSFET采用4引腳封裝的原因及其效果等議題，我們采訪了ROHM株式會社的應用工程師。
2020-05-14
- 安森美與舍弗勒強強聯手，EliteSiC技術驅動新一代PHEV平臺
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