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第11講：三菱電機工業SiC芯片技術
1200V級SiC MOSFET是一種能充分發揮SiC優勢的器件，廣泛應用于工業、汽車等領域。目前，1200V級SiC MOSFET被多家器件廠商定位為主力產品，本文主要介紹三菱電機1200V級SiC MOSFET的技術開發概要。
2024-12-12
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如何選擇有效的ESD保護二極管
ESD 保護器件的目的是將數千伏的 ESD 輸入降低至受保護 IC 的安全電壓，并將電流從 IC 分流出去。盡管所需 ESD 波形的輸入電壓和電流在過去幾年中沒有變化，但保護 IC 所需的安全電壓水平卻有所下降。過去，IC 設計對 ESD 更加穩健，并且可以處理更高的電壓，因此選擇能夠滿足 IEC61000-4-2 4 級要求的任何保護二極管就足夠了。
2024-12-12
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意法半導體和ENGIE在馬來西亞簽訂可再生能源發電供電長期協議
服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM) 于11月7日宣布與BKH Solar Sdn Bhd太陽能發電公司簽訂為期21年的購電協議(PPA)。BKH Solar Sdn Bhd是全球著名的低碳能源服務公司ENGIE Renewable SEA Pte Ltd (ENGIE) 和馬來西亞迅速崛起的太陽能開發商Conextone energy Sdn Bhd的合資公司。
2024-12-10
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安森美斥資1.15億美元收購碳化硅JFET技術，強化AI數據中心電源產品組合
安森美（onsemi，納斯達克股票代碼：ON）宣布已與Qorvo達成協議，以1.15億美元現金收購其碳化硅結型場效應晶體管(SiC JFET) 技術業務及其子公司United Silicon Carbide。該收購將補足安森美廣泛的EliteSiC電源產品組合，使其能應對人工智能（AI）數據中心電源AC-DC段對高能效和高功率密度的需求，還將加速安森美在電動汽車斷路器和固態斷路器(SSCB) 等新興市場的部署。
2024-12-10
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授權代理商貿澤電子供應Same Sky多樣化電子元器件
貿澤電子 (Mouser Electronics) 是Same Sky（原CUI Devices）電子元器件和創新解決方案的全球授權代理商。Same Sky是全球知名的互連、音頻、熱管理、運動、繼電器、傳感器和開關解決方案制造商。貿澤有9500多種Same Sky創新產品開放訂購，其中5500多種有現貨庫存。
2024-12-10
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貿澤電子攜手安森美和Würth Elektronik推出新一代太陽能和儲能解決方案
專注于引入新品的全球電子元器件和工業自動化產品授權代理商貿澤電子 (Mouser Electronics) 攜手安森美 (onsemi) 和 Würth Elektronik為持續增長的太陽能逆變器市場提供豐富的解決方案。
2024-12-09
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功率器件熱設計基礎（六）——瞬態熱測量
功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，并保證系統的可靠性。
2024-12-09
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功率器件熱設計基礎（五）——功率半導體熱容
功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，并保證系統的可靠性。
2024-12-06
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雷諾旗下安培與意法半導體簽署碳化硅長期供應協議，合作開發電動汽車電源控制系統
雷諾集團旗下純智能電動汽車制造公司安培 (Ampere) 與服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體 (STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM) 今天宣布了下一步戰略合作行動，雷諾集團與意法半導體簽署了一份從 2026 年開始為安培長期供應碳化硅 (SiC) 功率模塊的供貨協議，該協議是雷諾集團與意法半導體為安培超高效電動汽車逆變器開發電源控制系統 (powerbox) 的合作計劃的一部分。功率模塊是電源控制系統的關鍵元件，安培和意法半導體合作優化功率模塊，確保電驅系統具有很強的性能和競爭力，同時充分發揮安培在電動汽車技術方面的特長和意法半導體在先進功率元器件研制領域的獨到之處。
2024-12-05
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面對電動汽車和數據中心兩大主力應用市場，SiC和GaN該如何發力？
氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）是寬禁帶（WBG）半導體材料，由于其獨特性，使其在提高電子設備的效率和性能方面起著至關重要的作用，特別是在DC/DC轉換器和DC/AC逆變器領域。
2024-12-04
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貿澤電子與Analog Devices和Bourns聯手發布全新電子書
貿澤電子 (Mouser Electronics) 宣布與Analog Devices, Inc. (ADI) 和Bourns合作推出全新電子書，探討氮化鎵 (GaN) 在效率、性能和可持續性方面的優勢，以及發揮這些優勢所面臨的挑戰。
2024-12-03
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第10講：SiC的加工工藝（2）柵極絕緣層
SiC可以通過與Si類似的熱氧化過程，在晶圓表面形成優質的SiO2絕緣膜。這在制造SiC器件方面具有非常大的優勢。在平面柵SiC MOSFET中，這種熱氧化形成的SiO2通常被用作柵極絕緣膜，并已實現產品化。然而，SiC的熱氧化與Si的熱氧化存在一些差異，在將熱氧化工藝應用于SiC器件時必須考慮到這一點。
2024-12-02
- 安森美與舍弗勒強強聯手，EliteSiC技術驅動新一代PHEV平臺
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