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非隔離型柵極驅動器與功率元器件
ROHM不僅提供電機驅動器IC，還提供適用于電機驅動的非隔離型柵極驅動器，以及分立功率器件IGBT和功率MOSFET。我們將先介紹羅姆非隔離型柵極驅動器，再介紹ROHM超級結MOSFET PrestoMOSTM。
2021-08-05
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碳化硅如何為電機驅動賦能
近年來，電力電子領域最重要的發展是所謂的寬禁帶（WBG）材料的興起，即碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）。WBG材料的特性有望實現更小、更快、更高效的電力電子產品。WBG功率器件已經對從普通的電源和充電器到太陽能發電和能量存儲的廣泛應用和拓撲結構產生了影響。SiC功率器件進入市場的時間比氮化鎵長，通常用于更高電壓、更高功率的應用。
2021-08-05
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電動汽車快速充電系列文章之三：常見拓撲結構和功率器件及其他設計考慮因素
在上一節中，已經介紹了快速DCEV充電基礎設施的標準配置，以及未來可能的典型基礎設施。下面介紹當今快速DCEV充電器中使用的典型電源轉換器拓撲結構和AC-DC和DC-DC的功率器件的概況。
2021-08-03
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SiC功率器件篇之SiC SBD
SiC能夠以高頻器件結構的SBD（肖特基勢壘二極管）結構得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。
2021-05-20
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功率器件和被動元件點亮第97屆中國電子展，CEF下半年成都上海再相見
2021年4月11日，為期三天的第97屆中國電子展在深圳會展中心圓滿落幕，展會與第九屆中國電子信息博覽會（CITE2021）同期舉辦，現場有超1500家參展商參展，共發布近萬件新產品、新技術，全方位、多角度展示我國電子信息產業的最新發展成果。同時，博覽會期間還舉辦了近100場同期活動，吸引了超過10萬名專業觀眾到場參觀，500余萬觀眾線上觀展。據主辦方介紹，展會以“創新驅動 高質量發展”為主題，展覽展示、論壇會議和現場活動三大板塊聯動，三位一體，亮點紛呈。
2021-04-19
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瑞能半導體將攜IGBT和碳化硅等功率器件新品亮相2021慕尼黑上海電子展覽會
中國上海 - 2021年4月7日 — 2021慕尼黑上海電子展覽會即將于4月14日至16日在上海新國際博覽中心舉辦。慕尼黑上海電子展作為電子行業展覽，是行業內重要的盛事。本屆慕尼黑上海電子展覽會將匯聚近千家國內外優質電子企業，涵蓋從產品設計到應用落地的上下游產業，展示內容包括了半導體、傳感器、物聯網技術、汽車電子及測試等。
2021-04-08
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集成柔性功率器件的應用理解
什么是集成柔性功率器件?它有什么作用?工業電子產品的發展趨勢是更小的電路板尺寸、更時尚的外形和更具成本效益。由于這些趨勢，電子系統設計人員必須降低印刷電路板(PCB)的尺寸和成本。
2020-10-28
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功率器件的前世今生
電力電子器件(Power Electronic Device)，又稱為功率半導體器件，用于電能變換和電能控制電路中的大功率(通常指電流為數十至數千安，電壓為數百伏以上)電子器件。由于早期主要用于電力設備的電能變換和控制電路方面，因此得名“電力電子器件”。
2020-10-22
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碳化硅肖特基二極管的設計與優化
碳化硅（SiC）具有寬禁帶、高熱導率等優良的材料特性，在中高壓功率半導體器件制造中得到了廣泛的應用。目前，肖特基二極管、mosfet和jfet是市場上最流行的SiC功率器件。特別是sic schottky二極管已經成功地應用于電力領域近20年。最早的SiC肖特基二極管采用純肖特基勢壘二極管（SBD）結構。后來，這種結構演變成一種結勢壘肖特基（JBS）具有低反向泄漏電流。最新的結構被稱為合并PN肖特基（MPS），表現出大幅增加的浪涌電流處理能力。
2020-10-21
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工業設備逆變器的絕佳CP：智能功率模塊
智能功率模塊(Intelligent Power Module, IPM)是一種先進的功率開關器件，適應了當今功率器件的發展方向—模塊化、復合化和集成化(PIC)，在電力電子領域得到了越來越廣泛的應用。
2020-09-09
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致工程師系列之五：優化寬禁帶材料器件的半橋和門驅動器設計
現代寬禁帶功率器件(SiC, GaN)上的開關晶體管速度越來越快，使得測量和表征成為相當大的挑戰，在某些情況下幾乎不可能實現。隔離探測技術的出現改變了這種局面，通過這一技術，設計人員終于能夠放心地測量以前回避的半橋和門驅動器波形。
2020-08-31
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一文掌握 GaN 器件的直接驅動配置！
在設計開關模式電源時，主要品質因數（FOM）包括成本、尺寸和效率。[1]這三個FOM是耦合型，需要考慮諸多因素。例如，增加開關頻率可減小磁性元件的尺寸和成本，但會增加磁性元件的損耗和功率器件中的開關損耗。由于GaN的寄生電容低且沒有二極管反向恢復，因此與MOSFET和IGBT相比，GaN HEMT具有顯著降低損耗的潛力。
2020-08-07
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