【導讀】氮化鎵 (GaN) 是需要高頻率工作（高 Fmax）、高功率密度和高效率的應用的理想選擇。與硅相比，GaN 具有達 3.4 eV 的 3 倍帶隙，達 3.3 MV/cm 的 20 倍臨界電場擊穿，達 2,000 cm2/V·s 的 1.3 倍電子遷移率，這意味著與 RDS(ON) 和擊穿電壓相同的硅基器件相比，GaN RF 高電子遷移率晶體管（HEMT）的尺寸要小得多。因此，GaN RF HEMT 的應用超出了蜂窩基站和國防雷達范疇，在所有 RF 細分市場中獲得應用。
其中許多應用需要很長的使用壽命，典型的國防和電信使用場景需要 10 年以上的工作時間。高功率 GaN HEMT 的可靠性取決于基礎半導體技術中的峰值溫度。為了最大限度地延長和提升 GaN 型放大器系統的壽命和性能，設計者必須充分了解熱環境及其局限性。
#1 結溫和可靠性
衡量半導體器件可靠性的行業標準指標是平均失效時間（MTTF），這是一種統計方法，用于估計在給定的器件樣本經過一定時間的測試后，單個器件失效前經過的時間。MTTF 值通常以年表示，樣本中單個器件發生故障前經過的時間越長，MTTF 越高。
結溫 Tj，或器件中基礎半導體的溫度，與襯底材料在保持基礎半導體散熱上的作用一樣，對器件可靠性起著重要作用。與硅的 120 W/mK 熱導率相比，碳化硅 (SiC) 的熱導率為 430 W/mK，且溫度上升時，下降的更緩慢，這使得后者非常適合用于 GaN。對于類似的晶體管布局：60 W 的功耗和 100 μm 的芯片厚度，碳化硅基氮化鎵（GaN on SiC） 比 硅基氮化鎵（GaN on Si）工作溫度低 19 °C，因此 MTTF 更長。[1,2]
Wolfspeed 通過在直流工作條件下對 GaN HEMT 施加應力，生成 MTTF 與結溫的曲線，其中結溫高達 375 °C。峰值結溫與 MTTF 直接相關，Wolfspeed 的所有 GaN 技術表明，在 225 °C 的峰值結溫下，MTTF 大于 10 年。
#2 GaN 結溫和表面溫度
在 GaN HEMT 的工作過程中，電子在其中從漏極流向源極的 GaN 溝道或結內，達到峰值溫度。這種結溫無法直接測量，因為它被金屬層阻擋（圖 1）。
圖 1：無法使用 IR 相機直接測量結溫或通道溫度
使用紅外 (IR) 顯微鏡可以測量的是器件表面溫度，但該溫度低于結溫。有限元分析 (FEA) 的使用允許創建精確的通道到表面溫差，從中可計算出結殼熱阻。因此，通過有限元法（FEM）模擬，我們可以將紅外表面測量與結關聯起來。[3]
在 Ansys 軟件中創建物理模型，以反映 IR 測量系統中使用的硬件。這包括器件夾具底部 75 °C 的邊界條件，以匹配 IR 成像條件。軟件使用物理對稱性對模型進行分段，以減少計算資源消耗和模擬時間（圖 2）。
圖 2：模型截面。器件夾具的底部被限制在 75°C，因為這是為進行最佳器件校準而取用的所有 IR 測量值對應的散熱器溫度
放大率為 5 倍的 IR 相機分辨率約為 7 μm，而產生熱量的通道寬度小于 1 μm，并埋在其他幾層材料之下。因此，IR 相機測量的是空間平均值（圖 3）。由此產生的數據值明顯低于實際峰值結溫。例如，當 7 μm 以上的空間平均溫度為 165 °C 時，峰值結溫可能高達 204 °C。
圖 3：利用以熱源為中心的 7μm 截面上模型的平均溫度，通過統計分析計算 IR 測量值與模擬結果的相關性
#3 計算熱阻
結與殼之間的溫差由熱阻引起，通過將結與殼之間傳遞的熱量乘以結與殼之間的熱阻而得出。下面的等式 1 將熱阻描述為空間中支持固定熱流（q）的兩個表面之間的溫差（Δ）。[4]
等式 1：
這種關系允許 Wolfspeed 計算峰值結溫并確定受測器件（DUT）的 MTTF。
采用 FEM 熱仿真來提取熱阻 Rθjc。封裝法蘭底側的溫度保持在固定值 Tc，固定 DC 功率 Pdiss 在 GaN HEMT 中耗散。計算結 （Tj）和封裝法蘭背面（Tc）之間的溫差，如等式 2 所示。
等式 2：
熱阻計算如下。
等式 3：
然而，許多使用碳化硅基氮化鎵（GaN on SiC）HEMT 的系統在脈沖調制模式下工作，而不是在連續波（CW）模式下工作。了解熱阻如何響應脈沖寬度和占空比定義的瞬態而變化，以便將正確的 Rθjc 值應用到應用中，這一點很重要。
為了獲得脈沖寬度和占空比的無數組合，使用了幾個占空比的熱阻與脈沖長度的關系圖，其中脈沖長度用對數表示（圖 4）。
圖 4：瞬態熱阻響應曲線顯示了 Rθjc 如何隨脈沖寬度和占空比而變化
#4 器件貼裝考慮因素
大功率晶體管與系統其余部分之間的界面是長期可靠性的關鍵，因為它引入了設計者必須在系統級考慮的額外熱阻（等式 4）。
等式 4：
其中，Raj 是環境到結熱阻，Rint 是界面熱阻，Rhs 是散熱器到環境熱阻。
Wolfspeed 建議用焊接封裝的 GaN 器件以獲得最佳的熱性能。銦箔也可用作熱界面材料，但必須選擇正確的箔厚度，以避免對法蘭施加應力。法蘭安裝的扭矩不得超過數據表中規定的最大值。[5,6]
#5 使用數據表來計算 Tj
以 Wolfspeed 適用于 0.5 GHz - 3.0 GHz 的 CG2H30070F-AMP GaN HEMT 為例，在 25 °C 的外殼溫度下用于 CW 應用。元器件數據表（表 1）中的性能數據可用于計算最高耗散功率，如等式 5 和 6 所示。
表 1：使用數據表計算最高耗散功率
等式 5：
等式 6：
將數據表中的信息插入電子表格軟件 - 頻率、Pout (dBm)、效率 (%)、Pout (W)、Pin (W) 和 Pdc (W) - 可以快速計算 Pdiss (W) 并選擇最高的 Pdiss，在我們的示例中，在 1.5 GHz 下為 79.8 W 或約 80 W。
參考數據表，我們發現這對應于 1.5oC/W 的 CW 熱阻 Rθjc。現在可以按照等式 7 計算峰值結溫。
等式 7：
使用以下值：Tc = 25oC、Pdiss = 80 W 以及 Rθjc = 1.5oC/W，得到 Tj = 145oC。
#6 設計支持
在國防和商業雷達應用以及 LTE 和 5G 部署中，RF GaN 的使用率正在迅速增加。這些應用要求在設計時考慮可靠性。
高功率 GaN HEMT 的可靠性取決于峰值結溫，對于工程師來說，了解如何設計最新的 GaN HEMT 以滿足其設計可靠性目標變得越來越重要。
若需設計支持，請立即聯系 Wolfspeed。
參考資料：
1. Thermal Analysis and its application to High Power GaN HEMT Amplifiers (https://www.wolfspeed.com/knowledge-center/article/thermal-considerations-for-high-power-gan-rf-amplifiers/)
2. Silicon Thermal Properties (http://www.ioffe.ru/SVA/NSM/Semicond/Si/thermal.html)
3. Thermal Performance Guide for High Power SiC MESFET and GaN HEMT Transistors (https://assets.wolfspeed.com/uploads/2021/06/Appnote%252010.pdf)
4. Thermal Resistance and Thermal Conductance (https://ctherm.com/resources/helpful-links-tools/thermalresistanceandconductivity/)
5. Indium Mounting Procedure (https://cms.wolfspeed.com/app/uploads/2020/12/Indium_Mounting_Procedure.pdf)
6. Eutectic Die Bond Procedure (https://cms.wolfspeed.com/app/uploads/2020/12/Appnote-2-Eutectic.pdf)
英文原稿，敬請訪問：
https://www.wolfspeed.com/knowledge-center/article/thermal-considerations-for-high-power-gan-rf-amplifiers/
來源：Wolfspeed
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