【導讀】射頻 PA+FEM 加上屏蔽罩的傳導雜散更差（DCS 的二三次諧波），不知是何原因，請賜教！
問題：射頻 PA+FEM 加上屏蔽罩的傳導雜散更差（DCS 的二三次諧波），不知是何原因，請賜教！
可能原因三個 :
1. 匹配組件受 Shielding Cover 影響 以至于阻抗偏了
如下圖 :
若 Shielding Cover 跟匹配組件太近 其寄生效應改變其電感或電容值，以至于阻抗改變 那當然傳導諧波變大。尤其是早期 0402 組件更容易這樣 但現在 0201 組件很少會這樣了。
2. RF 訊號泄漏到 PA 的 Vcc
當你蓋上屏蔽罩時，PA 會把 RF 訊號 輻射或耦合到屏蔽罩上方，也就是說 屏蔽罩上方 會有殘留的 TX 訊號。
若屏蔽罩接地良好 那么這些殘留的 TX 訊號 會通通流到 GND；
若屏蔽罩接地良好 那么這些殘留的 TX 訊號，一部分流到 GND 一部分會再反射；
若反射的 TX 訊號 打到 PA 的 Vcc 那當然 TX 性能就劣化。
3. 屏蔽罩跟 PA 離太近 之間的寄生效應 改變了 PA 特性
驗證方式 :
第一種現在很少見了 所以就不提
第二種的話 可以這樣驗證 如下圖：
因為你說沒加屏蔽罩時 其傳導雜散會比較好，因此，如果在沒加屏蔽罩狀況下 你用這種方式。其傳導雜散變得跟加了屏蔽罩時一樣差，那兇手就可能是來自這原因。
值得注意的是，那個 DC Block 要加，避免 Vcc 的直流電源，回灌到 PA 或 CMW500。
第三種的話 在沒加屏蔽罩狀況下
在 PA 上方先貼個膠帶，再隨便放個金屬片。一樣，你說沒加屏蔽罩時，其傳導雜散會比較好。
因此，如果在沒加屏蔽罩狀況下，你用這種方式。
若其傳導雜散變得跟加了屏蔽罩時一樣差，那兇手就可能是來自這原因。
解決方案：
第一種現在很少見了，所以就不提。
第二種的話
因為兇手是來自 RF 訊號灌入 Vcc，所以你在 Vcc 那邊。擺放一個落地電容，讓灌入 Vcc 的 RF 訊號流到 GND。
既然你主頻是 DCS 以 0201 的電容來講，你就放個 18 pF。
第三種只能改結構
要嘛把屏蔽罩跟 PA 之間距離拉大，不然就是 PA 上方直接開天窗。
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