【導讀】看完《高速設計的三座大山——串聯電阻對信號的影響》的小伙伴們，有木有發現匹配最好的串聯端接電阻的阻值不是50ohm，而是30ohm。這是為什么呢？
看完(2)的小伙伴們，有木有發現匹配最好的串聯端接電阻的阻值不是50ohm，而是30ohm，如下圖。這是為什么呢？
對高速數字電路設計有一定了解的人就知道，其實驅動器本身有內阻，做串聯端接匹配時，串聯電阻的阻值和驅動內阻加起來大致等于傳輸線阻抗就可以了，即R_D+R_T≈Z_0 。
這個時候，有童鞋可能就要跳起來了，MR''S，你說的倒是容易，我也知道驅動內阻R_D 加串聯電阻等于傳輸線阻抗這個公式，大家都知道，so easy啊，問題在于，傳輸線阻抗可以很輕松的在datasheet找到，可是驅動器內阻上哪兒去找， datasheet上又沒有？
下圖是一個簡單的驅動電路。
當驅動器持續輸出高電平時，PMOS管導通，NMOS關閉，電流流經PMOS輸出，這個時候電流感受到的驅動內阻RD是PMOS管的導通電阻R_P；反之，當電流持續輸出低電平時，電流感受到的驅動內阻RD就是NMOS管的導通電阻RN 。一般情況下，PMOS管的導通電阻R_P 比NMOS管的導通電阻R_N 要大，這是它們的工藝所決定的，從上一篇(2)中，我們可以知道，輸出高電平時,其RC時間常數會大，上升沿更緩。有時候，我們看到信號的上升沿比下降沿要更緩一些，就是這個原因啦。
下面，我們來看一下怎樣得到驅動內阻的阻值？先使用仿真工具搭建兩個簡單的電路，如下：
以Xilinx V7芯片DDR2驅動為例，在圖a的驅動端中加入上升沿驅動(PMOS導通)，通過50ohm電阻下拉到地，通過電阻分壓的原理，即V_meas=50/(50+R_P )×VCC，可以求的R_P的值。
在圖b中驅動端加入下降沿驅動(NMOS導通)，通過50ohm電阻上拉到VCC，通過電阻分壓的原理，即V_meas=R_N/(50+R_N )×VCC，可以求得R_N的值。下圖是仿真得到的波形：
通過計算可以得到，R_P=12.1 ohm，R_N=10.8 ohm，兩個阻抗值相差不大，選取任何一個值來計算端接電阻，都可以。通過這樣簡單的仿真，我們就可以獲得驅動器的驅動內阻啦。
有時候，我們還會遇到這兩個值差別比較大的情況，比如R_P=20ohm，R_N=10ohm，那這個時候我們要怎么選擇呢？如果選擇R_P來計算匹配電阻，則匹配電阻R_T=30 ohm，高電平匹配很好，低電平時，匹配電阻就偏小，信號傳輸到傳輸線端時會出現正反射，過沖較大；如果選擇R_N來計算匹配電阻，則R_T=40ohm，低電平匹配很好，高電平時，匹配電阻就偏大，信號傳輸到傳輸線時出現負反射，上升沿會出現臺階，另外，上升沿還會因為R_T的增大而變緩。所以，這兩種選擇有利有弊，遇到這種情況時，就需要設計者酌(zi)情(qiu)考(duo)量(fu)啦。
不過我可以給大家泄露一個天機，假如你遇到了這種情況，你可以悄悄的來找高速先生幫你評估。
