【導讀】近日，意法半導體（ST）推出首款MDmesh V超結MOSFET晶體管，擴大其高能效功率產品陣容。該產品采用了創新的4針封裝，增加專用控制輸入。新封裝技術可提高白色家電、電視、個人電腦、電信設備和服務器開關電源等設備的功率電路能效。
新的TO247-4 4針封裝提供一個開關控制專用直接源極針腳，而傳統封裝是開關和電源共用一個針腳。增加的針腳能夠提高開關能效，降低開關損耗，支持更高的開關頻率，進一步降低電源尺寸。
該封裝是意法半導體與英飛凌的合作開發成果，英飛凌也推出其新款超結器件，為客戶選購超結MOSFET提供了另一個選擇。意法半導體功率晶體管產品部市場總監Maurizio Giudice表示：“TO247-4具有很高的成本效益，用于替代標準TO-247 器件時，只需對印刷電路板布局略加修改，從而簡化了該器件在電源系統的應用。采用這一封裝的全新意法半導體MDmesh器件可提高工作能效，使終端設備更加節能環保。”
TO247-4封裝集成了實現至源極Kelvin連接的內部結構，這個連接旁通了主電源連接的共源電感，可消除高達60%的開關損耗，設計人員可使用更高的開關頻率和更小的濾波器件。新封裝結合意法半導體的MDmesh超結技術，實現最高的單位硅面積導電效率及最好的總體節能效果。
圖：意法半導體（ST）首款MDmesh V超結MOSFET晶體管
此次推出的產品是STW57N65M5-4。作為首款TO247-4封裝的MDmesh產品，STW57N65M5-4可提高主動功率因數校正（PFC）電路和全橋或半橋功率轉換器的能效，適用于各種消費電子和工業電子產品。
TO247-4封裝的STW57N65M5-4的其他特性：
●高抗噪性，可降低電磁干擾（EMI）敏感度
●增強的額定電壓，可提高安全系數
●高耐dv/dt能力，可提高可靠性
●100%雪崩測試，可用于耐用性設計
STW57N65M5-4的供貨信息：
STW57N65M5-4現已量產。
相關閱讀：
基于鋰電池保護電路中MOSFET選擇的相關知識
http://www.91bobo.cn/cp-art/80019356
MOSFET的選型及應用概覽
http://www.91bobo.cn/power-art/80012314
什么使得MOSFET性能大打折扣
http://www.91bobo.cn/power-art/80019366
