【導讀】進入2012年后，SiC功率元件的開發(fā)也在加快，最先行動的是羅姆，，科銳及三菱電機則緊跟其后。GaN功率元件在2012年也有長足進步，已有耐壓600V的GaN功率晶體管產(chǎn)品亮相，2013年相關(guān)行動將更為活躍。
SiC及GaN等新一代功率半導體有望實現(xiàn)現(xiàn)有Si材料無法實現(xiàn)的大幅提高效率及小型化。2012年，這些新一代功率半導體在實用化方面取得了很大進展。其中，應用最為活躍的是SiC二極管，已擴展到鐵路及工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域。
比如鐵路領(lǐng)域，東京Metro地鐵銀座線的“01系車輛”配備三菱電機制造的帶SiC二極管的逆變器裝置，從2012年2月開始運營。
在工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域，富士電機于2012年9月推出了配備SiC二極管的、可驅(qū)動泵機及風扇的逆變器裝置。三菱電機在對連接在CNC（數(shù)控裝置）上的機床馬達進行驅(qū)動及控制的“馬達驅(qū)動裝置”上采用SiC二極管，從2012年12月開始銷售。
SiC功率元件的開發(fā)也在加快。尤其是功率模塊方面，不斷有新產(chǎn)品亮相。進入2012年后，科銳（Cree）、三菱電機、羅姆均推出了全SiC功率模塊產(chǎn)品。最先行動的是羅姆，，科銳及三菱電機則緊跟其后。三菱電機早已在自家的逆變器裝置上采用SiC功率模塊，而對外銷售是從2012年開始的。
SiC晶體管方面也有新種類的晶體管產(chǎn)品推出，這就是BJT（bipolar junction transistor）。飛兆半導體（Fairchild Semiconductor）宣布，將于2013年上半年開始量產(chǎn)BJT。
耐壓600V的GaN產(chǎn)品亮相
GaN功率元件在2012年也有長足進步，已有耐壓600V的GaN功率晶體管產(chǎn)品亮相。以往產(chǎn)品的最大耐壓只有200V。開始提供耐壓600V產(chǎn)品的是美國的TransPhorm公司，該公司的GaN功率晶體管單體為常開工作，但通過在該GaN功率晶體管上級聯(lián)Si制MOSFET，可實現(xiàn)常閉工作。
隨著耐壓600V的產(chǎn)品亮相，GaN功率元件在輸出功率為數(shù)kW的功率轉(zhuǎn)換器領(lǐng)域的應用也進入了實質(zhì)性階段。實際上，安川電機就試制出了使用GaN功率元件的太陽能發(fā)電用功率調(diào)節(jié)器，該公司2012年10月宣布，力爭在2014年內(nèi)實現(xiàn)實用化。
如上所述， SiC及GaN功率元件的實用化在2012年取得了長足進步，2013年相關(guān)行動將更為活躍。
