【導(dǎo)讀】常見的電源設(shè)計(jì)方式中，有一種叫反激。反激的過程是將初級(jí)取消時(shí)的次級(jí)輸出，并將存儲(chǔ)的能量釋放。反激電路中涉及到波形的問題，如果反激電源發(fā)生電流波形異常的情況，該如何解決？請(qǐng)看高人指點(diǎn)迷津。
圖1
圖2
測(cè)試方法的方法是：次級(jí)開路，初級(jí)測(cè)并聯(lián)電容，頻率100kHZ。
使用到的變壓器繞發(fā)是：
變壓器初級(jí)6匝，初級(jí)6匝中間密繞，1.5mm特氟龍線;次級(jí)18匝，次級(jí)0.5mm特氟龍線繞滿一層，貼近骨架在最里層。
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可以確定的是，波形是沒有錯(cuò)誤的，波形的異常是由IGBT拖尾造成的，換MOSFET即可。下面的表格中總結(jié)了MOSFET和IGBT的開關(guān)時(shí)間。
表1 MOSFET開關(guān)時(shí)間
表2 IGBT開關(guān)時(shí)間
第一個(gè)表格是MOSFET的開關(guān)時(shí)間，第二個(gè)表格是IGBT的開關(guān)時(shí)間，只有關(guān)斷延時(shí)時(shí)間長(zhǎng)一些，其他三個(gè)時(shí)間差不多，那么這些關(guān)斷延時(shí)是否對(duì)初級(jí)電流的波形產(chǎn)生了影響?實(shí)際上，這些時(shí)間是電流降到額定10%的時(shí)間，實(shí)際上還有一條細(xì)長(zhǎng)尾巴，并且由于電流較小，所以這條尾巴就越發(fā)明顯。
在更換了MOSFET的型號(hào)之后，測(cè)量出來的波形如下圖所示：
圖3
有人也許會(huì)問，C內(nèi)阻大點(diǎn)是應(yīng)該發(fā)熱比較嚴(yán)重，不至于引起這么大的震蕩吧?
電源是給高壓大電容充電的，輸入220V直流，初級(jí)峰值電流10A。電流在圖上可以看到，振蕩部分遠(yuǎn)大于10A，采樣電阻10毫歐，震蕩峰值有30-40A，所以要選這么大管子。
如果是用幾個(gè)微秒的掃描時(shí)間去測(cè)量一個(gè)工頻電路基本都會(huì)顯示類似的震檔波形，其實(shí)這個(gè)波形是不真實(shí)的東西。只是一個(gè)無關(guān)緊要的瞬間斷續(xù)電流的信號(hào)，如果用示波器兩通道把這個(gè)電流波形與正弦電壓波同時(shí)測(cè)量顯示出來，就比較容易看明白了。
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