【導(dǎo)讀】電流源對(duì)于工程師來說，不可或缺。但是更多的工程師都只是用一整套的PCB，元件，程序等成套產(chǎn)品，將套件的東西焊接好，調(diào)試一下就可以了。其實(shí)里面的技術(shù)含量很高，不是那么簡單。本文只是從講述原理出發(fā)，指導(dǎo)大家做個(gè)人人能掌控的電流源。
對(duì)于工程師來說，電流源是個(gè)不可或缺的儀器，也有很多人想做一個(gè)合用的電流源，而應(yīng)用開源套件，就只是用一整套的PCB，元件，程序等成套產(chǎn)品，參與者只需要將套件的東西焊接好，調(diào)試一下就可以了，這里面的技術(shù)含量能有多高，而我們能從中學(xué)到的技術(shù)又能有多少呢？本文只是從講述原理出發(fā)，指導(dǎo)大家做個(gè)人人能掌控的電流源。本文主要就是設(shè)計(jì)到模擬部分的內(nèi)容，而基本不涉及單片機(jī)，希望朋友能夠從中學(xué)到點(diǎn)知識(shí)。
加速補(bǔ)償--校正Aopen
校正Aopen是補(bǔ)償?shù)淖罴逊椒ǎ唵蔚腁open補(bǔ)償會(huì)起到1/F補(bǔ)償難以達(dá)到的效果，但并非解決一切問題。
如果振蕩由于po位于0dB線之上造成，可想到的第一辦法是去掉po.
去掉極點(diǎn)作用的基本方法是引入零點(diǎn)。
引入零點(diǎn)的最佳位置為Ro，Ro上并聯(lián)電容Cs可為MOSFET輸入端引入一個(gè)零點(diǎn)zo.
但Ro是運(yùn)放內(nèi)部電阻，無法操作，因此在Ro后添加一只電阻Rs，并將Cs與Rs并聯(lián)。
如果Rs>Ro，則可基本忽略Ro的作用。
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增加Rs和Cs后，會(huì)使MOSFET輸入端的極點(diǎn)po和零點(diǎn)zo頻率分別為：
po=1/2pi（Cs+Cgs）Rs，zo=1/2pICsRs.
如果Cs>Cgs，則原有的極點(diǎn)po=1/2piRoCs由高頻段移至低頻段，頻率由Cs、Cgs和Rs決定，而非Cgs和Ro決定，新引入的零點(diǎn)zo也在低頻段并與po基本重合，兩者頻率差由Cgs與Cs的比例決定，因而很小。
通常Rs=2k-5kOhm，Cs=0.01-0.1uF.
Rs和Cs將原有極點(diǎn)po移至低頻段并通過zo去除。像極了chopper運(yùn)放里通過采樣將1/f噪聲量化到高頻段后濾除。很多不沾邊的方法思路都是相通的。
由瞬態(tài)方法分析，Cs兩端電壓不可突變，因此運(yùn)放輸出電壓的變化會(huì)迅速反應(yīng)到柵極，即Cs使為Cgs充電的電流相位超前pi/2.因此Cs起到加速電容作用，其補(bǔ)償稱為加速補(bǔ)償或超前補(bǔ)償。
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很多類似電路里在Rs//Cs之后會(huì)串聯(lián)一只小電阻，約100 Ohm，再稍適調(diào)整零點(diǎn)和極點(diǎn)位置，此處不必再加，那個(gè)忽略的Ro很合適。
看個(gè)范例，Agilent36xx系列的MOSFET輸入級(jí)處理，由于PNP內(nèi)阻很小，至少比運(yùn)放低得多，因此后面有一只R42=100 Ohm.
在此之前，如果看到C49和R39，恐怕很多壇友會(huì)很難理解其作用，然而這也正是體現(xiàn)模擬電路設(shè)計(jì)水平之處。有人感嘆36xx系列電路的復(fù)雜，然而內(nèi)行看門道，其實(shí)真正吃功夫的地方恰在幾只便宜的0805電阻和電容上，而非那些一眼即可看出的LM399、AD712之類的昂貴元件。
本次增加成本：
3.9k Ohm電阻 1只 單價(jià)0.01元，合計(jì)0.01元
0.1uF/50V電容 1只 單價(jià)0.03元，合計(jì)0.03元
合計(jì)0.04元
合計(jì)成本：9.46元
潛在的振蕩：運(yùn)放的高頻主極點(diǎn)pH
通過加速補(bǔ)償，由Cgs造成的極點(diǎn)作用基本消除。
然而，0dB線附近還有一個(gè)極點(diǎn)--運(yùn)放的高頻主極點(diǎn)pH.
事實(shí)上，就純粹的運(yùn)放而言，pH只在0dB線之下不遠(yuǎn)的位置。與po類似，由于gmRsample的增益作用，pH也有可能浮出0dB線，從而使Aopen與1/F的交點(diǎn)斜率差為40dB/DEC，引起振蕩。
pH的位置比po低，因此gmRsample的增益必須更高才能使電路由于pH而產(chǎn)生振蕩，然而gmRsample由于datasheet中沒有完整參數(shù)，實(shí)際上只能大致預(yù)測而無法精確計(jì)算。因此必須采取一定措施避免pH的作用。
