【導(dǎo)讀】本文淺析了反激式電源的開關(guān)過程，著重描述了Mos管關(guān)斷前、后的穩(wěn)態(tài)分析，我們分析的主要問題還是在Q1管子在關(guān)斷過程中的響應(yīng)。
反激式電源的開關(guān)過程分析
圖1：反激式電源的開關(guān)過程分析
我們分析的主要問題還是在Q1管子在關(guān)斷過程中的響應(yīng)。
在關(guān)斷過程中，如果不考慮加入抑制暫態(tài)過程的電路，我們看到的波形將不會是理想的，如下圖所示：
圖2：如果不考慮加入抑制暫態(tài)過程的電路，我們看到的波形將不會是理想的
把功率變壓器模型改進(jìn)模型2帶入其中分析：
圖3：把功率變壓器模型改進(jìn)模型2帶入其中分析
Mos管關(guān)斷前的穩(wěn)態(tài)分析：
勵(lì)磁電感和漏電感中均儲存能量，同時(shí)由于二極管的結(jié)電容存在，次級電容上都存在一定的電壓，次級漏感中無電流。
圖4：Mos管關(guān)斷前的穩(wěn)態(tài)分析
然后我們把Mos管關(guān)掉，看下圖：
圖5：Mos管關(guān)斷后的穩(wěn)態(tài)分析
上面的過程整理一下：
1.MOS管關(guān)斷后,初級電流（勵(lì)磁電感和初級漏電感和電源的綜合作用）給MOS輸出電容充電，初級電容，初次級之間電容，次級電容，次級二極管電容，負(fù)載電容則開始放電（你可以這樣理解，因?yàn)閴翰钚×耍娙莘烹姡部梢岳斫鉃榉聪虺潆姡琈os管DS端電壓是上升的（這里可以認(rèn)為是上面所涉及的分布參數(shù)之間的諧振，這個(gè)電路的Q之很小的），此時(shí)的電壓可以認(rèn)為是線性上升的。
注意此時(shí)的次級的二極管是沒有導(dǎo)通的，因?yàn)镈S端電壓比較小。
2.當(dāng)DS端電壓上升，次級的電壓達(dá)到輸出電壓（這是客觀存在的，因?yàn)槲覀円ＷC輸出電壓的穩(wěn)定）+整流管的電壓后,如果沒有次級漏感，次級回路就導(dǎo)通了，因此DS端電壓會繼續(xù)上升，當(dāng)克服了次級漏感的影響后，次級電流開始上升，在這個(gè)時(shí)候勵(lì)磁電感的能量由于有更小的阻抗通路，從初級來看，初級電流會減小。
圖6：當(dāng)DS端電壓上升，次級的電壓達(dá)到輸出電壓
3.這個(gè)時(shí)候起決定性作用的就變成了初級漏感，它不能耦合到次級上沒有小的阻抗通路，因此初級漏電感就和Mos管輸出電容之間和初級電容之間諧振，電壓形成幾個(gè)震蕩（如果沒有吸收和clamped電路這個(gè)過程會持續(xù)很久）。
初級漏感電流是初級電流的一部分，因此伴隨著初級漏感電流的下降的是次級電流的上升，如果沒有clamped電路，電流的下降會非常快，如果加入clamped電路等于把這個(gè)過程拉長，電壓應(yīng)力也就減小了。
圖7：加入clamped電路等于把這個(gè)過程拉長，電壓應(yīng)力也就減小了
