【導(dǎo)讀】近年來(lái)，一些用電量稍大的便攜式電子產(chǎn)品（如便攜式DVD、礦燈、攝像機(jī)、便攜式測(cè)量?jī)x器、小型電動(dòng)工具等）往往采用1500mAh到5400mAh容量的鋰離子電池。若采用500～1000mA充電電流充電器充電，則充電時(shí)間太長(zhǎng)。若按0.5C充電率來(lái)充3000mAh及5400mA時(shí)的電池時(shí)，其充電電池的容量要求為1500mA及2700mA。
有人提出：能否在1A線性充電器電路中加一個(gè)擴(kuò)流電路，使充電電流擴(kuò)大到2～2.5A，解決3000～5400mAh容量鋰離子電池的充電問(wèn)題。如果擴(kuò)流的充電器性能不錯(cuò)、電路簡(jiǎn)單、成本不高，這是個(gè)好主意。筆者就按這一思路設(shè)計(jì)一個(gè)擴(kuò)流電路。這電路采用型號(hào)為CN3056的1A線性充電器為基礎(chǔ)，另外加上擴(kuò)流電路及控制電路組成。
CN3056簡(jiǎn)介
CN3056組成的充電器按恒流、恒壓模式充電，若充電電池電壓<3V，則有小電流預(yù)充電模式；充電電流可設(shè)定，最大充電電流為1A；精電密度4.2V±1%、有熱調(diào)節(jié)、欠壓鎖存及電池溫度檢測(cè)、超溫保護(hù)及充電狀態(tài)和溫度超差指示功能；10引腳小尺寸DFN封裝（3mm×3mm）。
若充電率在0.5～1C之間、電池的溫度在0～45℃之間（室溫充電），則CN3056充電器電路中可省去電池溫度檢測(cè)電路及電池超溫指示電路（引腳TEMP及FAULT端接地），電路如圖1所示。VIN是電源輸入端、CE是使能端，（高電平有效）；RISET為充電電流ICH設(shè)定電阻，RISET（Ω）=1800（V）/ICH（A）；CHRG為充電狀態(tài)信號(hào)輸出端：充電時(shí)此端為高電平，LED亮；充電結(jié)束時(shí)此端為高阻抗，LED滅；電池未裝入或接觸不良，LED閃亮。VIN一般取4.5～5V，10μF及6.8μF為輸入、輸出電容，保證充電器穩(wěn)定工作。
圖1：由CN3056構(gòu)成的充電電路
電器擴(kuò)流電路
充電器擴(kuò)流電路是在原充電器電路上加上擴(kuò)流電路組成的。擴(kuò)流電路由兩部分組成：擴(kuò)流部分及控制部分。采用CN3056充電器為基礎(chǔ)，加上擴(kuò)流部分及控制部分電路如圖2所示。現(xiàn)分別介紹其工作原理。
圖2：充電器電路
擴(kuò)流部分電路
擴(kuò)流部分電路如圖3所示。它由P溝道功率MOSFET（VT）、R及RP組成的分壓器、肖特基二極管D4組成。利用分壓器調(diào)節(jié)P-MOSFET的-VGS大小，使獲得所需擴(kuò)流電流[page]
ID.P-MOSFET的輸出特性（以Si9933DY為例）如圖4所示。在-VGS=2.1V、VDS>0.5V時(shí)，其輸出特性幾乎是一水平直線；在不同的VDS時(shí)，ID是恒流。從圖4也可以看出，在-VGS增加時(shí)，ID也相應(yīng)增加。
圖3：括流部分電路
圖4：P-MOSFET輸出特性
控制部分電路
控制部分電路的目的是要保持原有的三階段充電模式，在預(yù)充電階段及恒壓充電階段不擴(kuò)流，擴(kuò)流僅在恒流階段，如圖5所示。
圖5：括流電路的電流表現(xiàn)
原充電器以1A電流充電，若擴(kuò)流電流為1A，則在恒流充電階段時(shí)充電電流為2A.圖5中紅線為充電電池電壓特性、黑線為充電電流特性，實(shí)線為加擴(kuò)流特性，虛線為未加擴(kuò)流特性。從圖5可看出：擴(kuò)流的充電時(shí)間t5比不擴(kuò)流的時(shí)間要短（圖5中的時(shí)間坐標(biāo)并未按比例畫）；并且也可以看出：擴(kuò)流僅在恒流充電階段進(jìn)行。
為保證擴(kuò)流在電池電壓3.0V開始，在電池電壓4.15V時(shí)結(jié)束，控制電路設(shè)置了窗口比較器，在電池電壓（VBAT）為3.0～4.15V之間控制P-MOSFET導(dǎo)通。在此窗口電壓外，P-MOSFET截止。
在圖2中，由R5、R6及R7、R8組成兩個(gè)電壓分壓器（檢測(cè)電池的電壓VBAT），并分別將其檢測(cè)的電壓輸入比較器P1及比較器P2組成的窗口比較器。R3、R4分別為P1及P2[page]
的上拉電阻，D2、D3為隔離二極管。充電電池電壓VBAT與P1、P2的輸出及P-MOSFET的工作狀態(tài)如表1所示。
表1：充電電池電壓和P-MOSFET工作狀態(tài)
從圖2可看出：P-MOSFET的-VGS電壓是由R2、RP往D1提供的，則P-MOSFET在上電后應(yīng)是一直導(dǎo)通的。現(xiàn)要求在電池電壓（VBAT）小于3.0V及大于4.15V時(shí)P-MOSF ET要關(guān)斷，則控制電路要在VBAT<3.0V及VBAT> 4.15V時(shí)，在P-MOSFET的柵極G上加上高電平，使其-VGS=0.7V，小于導(dǎo)通閾值電壓-VGS（th），則P-MOSFET截止（關(guān)斷）。現(xiàn)由P1、P2比較器及其他元器件組成窗口比較器實(shí)現(xiàn)了這一控制要求：無(wú)論是P1或P2輸出高電平時(shí)，VIN通過(guò)R4或R3及D3或D2加在P-MOSFET的柵極上，迫使柵極電壓為VIN=0.7V，則-VDS=0.7V而截止，滿足了控制的要求（見圖6）。圖中，D1、D2、D3是隔離二極管，是正確控制必不可少的。
圖6：窗口比較器電路
P-MOSFET的功耗及散熱
擴(kuò)流管P-MOSFET的功耗計(jì)算
P-MOSFET在擴(kuò)流時(shí)的功耗PD與輸出電壓VIN電池電壓VBAT、肖特基二極管的正向壓降VF及擴(kuò)流電流ID有關(guān)，其計(jì)算公式如下：
PD=VIN-（VBAT+VF）×ID （1）
其最大的功耗是在VIN（max）及VBAT（min）時(shí)，即在擴(kuò)流開始時(shí)（VBAT=3V），則上式可寫成：
PDmax=VIN（max）-（3V+VF）×ID （2）
若VIN（max）=5.2V、在ID=1A時(shí)，VF=0.4V，則PDmax=1.8W.選擇的P-MOSFET的最大允許功耗應(yīng)大于計(jì)算出的最大功耗。
P-MOSFET的散熱
貼片式功率MOSFET采用印制板的敷銅層來(lái)散熱，即在設(shè)計(jì)印制板時(shí)要留出一定的散熱面積。例如，采用DPAK封裝的MTD2955E在計(jì)算出PDmax=1.75W時(shí)，需11mm2散熱面積；若PDmax=3W時(shí)，需26mm2散熱面積。若采用雙面敷銅板（在上下層做一些金屬化孔相互連接，利用空氣流通），則其面積可減小。若散熱不好，功率MOSFET的溫度上升，ID的輸出會(huì)隨溫度增加而上升。所以足夠的散熱是要重視的，最好是實(shí)驗(yàn)確定其合適散熱面積，使ID穩(wěn)定。
這里還需要指出的是，不同封裝的P-MOSFET，在同樣的最大功耗時(shí)，其散熱面積是不同的。例如采用SO-8封裝的Si99XXDY系列P-MOSFET時(shí)，封裝尺寸小、背面無(wú)金屬散熱墊，其散熱面積要比用DPAK封裝大得多。具體的散熱面積由實(shí)驗(yàn)確定。
兩種功率MOSFET
這里介紹兩種P-MOSFET：Si9933DY及MTD2955E。
引腳排列
Si9933DY引腳排列如圖7所示，MTD2955E引腳排列如圖8所示。
圖7：Si9933DY引腳排列
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圖8：MTD2955E引腳排列
輸出特性
Si9933DY時(shí)可將兩MOSFET并聯(lián)應(yīng)用，使功率增加一倍，PDS（ON）減小一半。采用Si9933DY可擴(kuò)流1A.采用MTD2955E可擴(kuò)流2A或2A以上。
圖9：Si9933DY輸出曲線
圖10：MTD2955E輸出曲線
采用上述簡(jiǎn)單的擴(kuò)流電路可增加充電電流到2～3A.但由于擴(kuò)流管工作于線性狀態(tài)，管耗大，效率60%～70%.若需要更大的充電電流還是用開關(guān)電源，它可獲得更高的效率。
