- 新一代TrenchFET Gen IV系列MOSFET在4.5V下導通電阻為1.35mΩ
- 實現了非常高密度的設計，而沒有明顯增加柵極電荷
- Qgd/Qgs比值僅有0.5或更低
- 高功率密度DC/DC轉換器、同步整流、同步降壓轉換器和OR-ing應用
- 開關電源、電壓調節模塊(VRM)、POL、通信磚式電源、PC和服務器
Vishay推出新一代TrenchFET Gen IV系列30V N溝道功率MOSFET器件，新器件采用高密度設計，與前一代器件相比，SiRA00DP的導通電阻與面積乘積減小了60%，在10V電壓下實現了1.0mΩ的極低導通電阻，4.5V下1.35mΩ的導通電阻達到業內最佳水準。
新一代TrenchFET Gen IV系列30V N溝道功率MOSFET器件包括四款型號——SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN。在4.5V下導通電阻低至1.35mΩ，Miller電荷Qgd低至1.8nC，采用PowerPAK SO-8和1212-8封裝。對于設計者而言，MOSFET的低導通電阻可以實現更低的傳導損耗，減少功率損耗，達到更高的效率。
TrenchFET Gen IV MOSFET采用了一種新型結構，這種結構實現了非常高密度的設計，而沒有明顯增加柵極電荷，克服了經常在高晶格數量器件上出現的這個問題。今天發布的MOSFET的總柵極電荷較低，使得SiRA04DP在4.5V下導通電阻與柵極電荷乘積優值系數(FOM)降至56nC-Ω。
SiRA00DP、SiRA02DP和SiRA04DP可提高系統效率，降低溫度，采用6.15mm x 5.15mm PowerPAK SO-8封裝，SiSA04DN的效率與之相近，3.30mm x 3.30mm PowerPAK 1212-8封裝的面積只有前三款器件的1/3。今天發布的所有器件的Qgd/Qgs比值僅有0.5或更低。更低的比值可以降低柵極感應電壓，有助于防止擊穿的發生。
SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN適用于高功率密度DC/DC轉換器、同步整流、同步降壓轉換器和OR-ing應用。典型終端產品包括開關電源、電壓調節模塊(VRM)、POL、通信磚式電源、PC和服務器。
TrenchFET Gen IV經過了100%的Rg和UIS測試。這些器件符合IEC 61249-2-21的無鹵素規定和RoHS指令。TrenchFET Gen IV MOSFET現可提供樣品，在2012年1季度實現量產，大宗訂貨的供貨周期為十二周。
表：Vishay新一代TrenchFET MOSFET器件規格表
