機遇與挑戰：
- 功率半導體下游需求旺盛，發展前景看好
- 中國企業技術實現突破，功率半導體行業進口替代空間巨大
- 國家對于功率半導體行業發展的扶持力度加大
市場數據：
- iSuppli公司預測2010年半導體市場營業收入為 2833億美元，增長率達到23.2%
- MOSFET的銷售額占全部功率半導體的比重大約為20%
- 2009年我國功率半導體銷售額已超過870億元，2010年預計將增長10%
功率半導體下游需求旺盛，發展前景看好。隨著全球經濟復蘇勢頭增強，iSuppli公司預測2010年半導體市場營業收入為 2833億美元，增長率達到23.2%。
MOSFET市場前景廣闊。2007年全球MOSFET的銷售額大約為52.89億美元，MOSFET的銷售額占全部功率半導體的比重大約為20%，MOSFET主要應用于消費電子、計算機、工業控制、網絡通信、汽車電子和電力設備六大領域。
IGBT:節能減排的先鋒。2007年全球IGBT的銷售額大約為31.36億美元，IGBT的銷售額占全部功率半導體的比重大約為8%。IGBT主要用于通信、工業、醫療、家電、照明、交通、新能源、半導體生產設備、航空、航天及國防等諸多領域。
中國企業技術實現突破，功率半導體行業進口替代空間巨大。2009年我國功率半導體銷售額已超過870億元，同比增長5.86%。我國的功率半導體市場在未來幾年里還會保持增長，2010年預計將增長10%，市場規模將達到956.6億元，2011年將達到1060.5億元。由于目前中國市場功率半導體器件有接近90%需要進口，因此中國掌握功率半導體核心技術的企業未來面臨巨大的進口替代市場空間。
國家對于功率半導體行業發展的扶持力度加大。在2009年出臺的《電子信息產業調整和振興規劃》中，明確提出要提高新型電力電子器件、高頻頻率器件等產品的研發生產能力，初步形成完整配套、相互支撐的電子元器件產業體系。2010年3月19日國家發改委專門出臺針對支持功率半導體發展的文件《國家發展改革委辦公廳關于組織實施2010年新型電力電子器件產業化專項的通知》，重點支持MOSFET、IGCT、IGBT、FRD等新型電力電子芯片和器件的產業化。
