- 器件具有背面絕緣的特點
- 1.55mm ×1.55mm的超小尺寸及0.64mm的超薄厚度
- VGS 1.8V時0.043? 至4.5V時0.037?的低導通電阻
- 最大柵源電壓為 ±8 V
- 手機、PDA、數碼相機
- MP3 播放器及智能電話等便攜設備
Si8422DB 針對手機、PDA、數碼相機、MP3 播放器及智能電話等便攜設備中的功率放大器、電池和負載切換進行了優化。該器件 2-mil背面涂層可實現對 MICRO FOOT 封裝的頂部絕緣，以防與便攜器件中移動部件暫時接觸而產生的電路短路。
此絕緣設計令該器件可用于具有非常嚴格的高度要求的應用，從而設計人員可靈活放置 MOSFET，屏蔽、按鈕或觸摸屏等其他零部件可直接放置在 MOSFET 的上方，這在壓低上述部件空間時將進一步壓縮產品的高度。此設計靈活性還可減少寄生效應，由于無需路由至 PCB 上的區域及更少的高度限制，電路布局可更好地優化。
20V n 通道 Si8422DB 具有 1.55mm × 1.55mm 的超小尺寸及 0.64mm 的超薄厚度。該器件提供了1.8V VGS 時 0.043 ? 至 4.5V VGS 時 0.037? 的低導通電阻范圍，且最大柵源電壓為 ±8 V。
目前，新型 Si8422DB 可提供樣品，并已實現量產，大宗訂單的供貨周期為 10 至 12 周。
