中心議題
- 市場(chǎng)每年對(duì)太陽(yáng)能逆變器的需求大約增長(zhǎng)30%
- IGBT幫助設(shè)計(jì)師應(yīng)對(duì)設(shè)計(jì)具有更高電路效率和性能的產(chǎn)品的挑戰(zhàn)
- 多款I(lǐng)GBT產(chǎn)品介紹
解決方案
- 安森美、英飛凌、STMicroelectronics、Microsemi可提供不同特性的IGBT
- 飛兆截止溝道式IGBT能夠幫助設(shè)計(jì)師減少傳導(dǎo)損耗和開(kāi)關(guān)損耗，實(shí)現(xiàn)極高的效率
- 截止溝道式IGBT適用于不間斷電源、太陽(yáng)能逆變器以及微波爐和感應(yīng)加熱類的應(yīng)用
隨著國(guó)際汽油價(jià)格的不斷攀升，運(yùn)輸成本和所有其他能源生產(chǎn)成本也隨著石油價(jià)格的上漲而不斷增大。同時(shí)，人們對(duì)電力的需求也達(dá)到了一個(gè)前所未有的高度。同樣糟糕的是，石化產(chǎn)品的價(jià)格也不可避免地提高了，導(dǎo)致廣大電子產(chǎn)品廠商使用元件成本提高。面對(duì)這些高成本問(wèn)題和日益嚴(yán)格的規(guī)定，廣大工程技術(shù)人員在努力增強(qiáng)產(chǎn)品性能、提高電路效率、縮小產(chǎn)品尺寸、改進(jìn)制造工藝效率等方面承受著前所未有的壓力。此外，管理機(jī)構(gòu)正逐漸提高對(duì)電子產(chǎn)品最低能效的要求，他們正對(duì)廠商施加越來(lái)越大的壓力，迫使他們減少溫室氣體、有毒固體和液體廢物的排放。同時(shí)，越來(lái)越多意識(shí)到成本和環(huán)境問(wèn)題的消費(fèi)者也逐漸要求使用包含更少有害材料的低能耗設(shè)備。然而，在有些地區(qū)密布著經(jīng)濟(jì)衰退烏云的形勢(shì)下仍然存在著一線曙光：廣大電子設(shè)計(jì)者仍有很多機(jī)會(huì)設(shè)計(jì)出新的產(chǎn)品，滿足人們對(duì)“綠色”產(chǎn)品和基于太陽(yáng)能和其他替代能源的產(chǎn)品需求。專家估計(jì)，市場(chǎng)每年對(duì)太陽(yáng)能逆變器的需求大約增長(zhǎng)30%；消費(fèi)者需要更便宜的電子設(shè)備，降低產(chǎn)品成本的一個(gè)重要途徑就是提高太陽(yáng)能逆變器的效率。絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）能夠幫助產(chǎn)品設(shè)計(jì)者應(yīng)對(duì)他們所面臨的設(shè)計(jì)具有更高電路效率和性能的產(chǎn)品的挑戰(zhàn)。這類器件也稱為電導(dǎo)調(diào)制場(chǎng)效應(yīng)晶體管（CMFET），是MOSFET的近親，主要在各種應(yīng)用中用作電源開(kāi)關(guān)。這些電壓控制的器件在市場(chǎng)上隨處可見(jiàn)，在高級(jí)開(kāi)關(guān)電源設(shè)備中采用合適的IGBT代替類似的MOSFET器件能夠提高能效，降低產(chǎn)品成本。
一些供應(yīng)商的產(chǎn)品及其廣泛應(yīng)用
例如，安森美半導(dǎo)體公司提供了將近20種不同型號(hào)的IGBT，用于電子汽車點(diǎn)火、燃料加注系統(tǒng)和其他一些需要控制高電流和高電壓開(kāi)關(guān)的應(yīng)用。該公司的產(chǎn)品特點(diǎn)是廣泛采用集成ESD和過(guò)電壓保護(hù)的單片集成電路。英飛凌公司針對(duì)高頻電源開(kāi)關(guān)應(yīng)用提供了幾款高速I(mǎi)GBT產(chǎn)品。該公司的TrenchStop IGBT 具有較低的飽和電壓、較高的溫度穩(wěn)定性和很低的傳導(dǎo)損耗，適用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。這類晶體管的動(dòng)態(tài)開(kāi)關(guān)特性降低了關(guān)斷過(guò)程的能量損耗，減少了電磁干擾。STMicroelectronics公司制造的條狀PowerMESH IGBT 適用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電子汽車點(diǎn)火、遮光器、高頻電子鎮(zhèn)流器、焊接設(shè)備、不間斷電源和家用電器等領(lǐng)域。這些300～1200V的晶體管具有很低的壓降，適用于更高效的產(chǎn)品設(shè)計(jì)。該公司的V系列IGBT瞄準(zhǔn)的是快速、高頻的應(yīng)用，提供了附帶和不帶續(xù)流二極管兩種配置。
Microsemi公司推出了十幾款支持600V和1200V電壓的專用IGBT。該公司的IGBT 產(chǎn)品支持硬開(kāi)關(guān)和軟開(kāi)關(guān)。這些IGBT主要瞄準(zhǔn)的是焊接設(shè)備、電感加熱器以及電信和醫(yī)療電子等應(yīng)用。Microsemi 公司的DL 系列提供了超軟的恢復(fù)二極管，能夠減少電磁干擾，減少傳導(dǎo)功率損耗，減少或取消原來(lái)需要使用的緩沖器。Microsemi 的Power MOS8 IGBT支持600V和900V的電壓，針對(duì)工業(yè)設(shè)備、電池充電器和太陽(yáng)能逆變器等應(yīng)用提供了穿通技術(shù)。
最新的場(chǎng)截止溝道技術(shù)
飛兆半導(dǎo)體公司研究了各種適用于不同應(yīng)用的IGBT技術(shù)。例如，他們推出的場(chǎng)截止溝道式（F i e l d S t o pTrench）IGBT采用了最新的場(chǎng)截止結(jié)構(gòu)和溝道柵單元設(shè)計(jì)，具有高速開(kāi)關(guān)和低飽和電壓的特點(diǎn)。支持600V和1200V電壓的這類晶體管適用于不間斷電源、太陽(yáng)能逆變器以及微波爐和感應(yīng)加熱類的應(yīng)用。它們能夠幫助電子設(shè)計(jì)人員減少傳導(dǎo)損耗和開(kāi)關(guān)損耗，實(shí)現(xiàn)極高的效率。飛兆半導(dǎo)體公司所有獨(dú)特的IGBT技術(shù)都經(jīng)過(guò)了專門(mén)的優(yōu)化，能夠減少漂移電阻，溝道柵結(jié)構(gòu)消除了器件中MOSFET 部分的寄生JFET電阻。與傳統(tǒng)的NPT 溝道IGBT 器件相比，飛兆半導(dǎo)體的FGA20N120FTD可減小25%的傳導(dǎo)損耗、8%的開(kāi)關(guān)損耗。
它們不僅提高了設(shè)備的能效，而且大大降低了系統(tǒng)的工作溫度。因此，使用這類IGBT的應(yīng)用對(duì)冷卻的要求較低，從而進(jìn)一步減少了功耗，提高了效率和可靠性。這些晶體管還采用了零電壓開(kāi)關(guān)(ZVS)技術(shù)，內(nèi)置了快速恢復(fù)二極管(FRD)，這也有利于提高產(chǎn)品的可靠性。飛兆憑借其先進(jìn)的場(chǎng)截止技術(shù)，提供了緊密的參數(shù)分布，增強(qiáng)了抗雪崩擊穿的能力，能夠在雪崩工作模式下保持一致的性能，減少器件失效。這些器件都采用了長(zhǎng)壽命設(shè)計(jì)，是高性能、低開(kāi)關(guān)損耗和傳導(dǎo)損耗應(yīng)用的理想選擇。在當(dāng)前普遍呼喚節(jié)能的市場(chǎng)上，電子設(shè)計(jì)者必須關(guān)注高能效器件，關(guān)鍵是要針對(duì)不同的應(yīng)用選擇合適的IGBT。無(wú)論你的產(chǎn)品需求如何，市場(chǎng)上總有一款晶體管能夠滿足要求。
