【導(dǎo)讀】富士通半導(dǎo)體日前宣布，推出可耐壓150 V的基于硅襯底的氮化鎵(GaN)功率器件芯片MB51T008A。該產(chǎn)品初始狀態(tài)是斷開(Normally-off)，相比于同等耐壓規(guī)格的硅功率器件，品質(zhì)因數(shù)(FOM)可降低近一半。基于富士通新型GaN功率器件，用戶可以設(shè)計(jì)出體積更小，效率更高的電源組件。
富士通新型GaN功率器件可廣泛的運(yùn)用于ICT設(shè)備、工業(yè)設(shè)備和汽車電子等領(lǐng)域，將于2013年7月起開始提供新品樣片。
富士通半導(dǎo)體今日宣布，推出基于硅襯底的氮化鎵(GaN)功率器件芯片MB51T008A，該芯片可耐壓150 V。富士通半導(dǎo)體將于2013年7月起開始提供新品樣片。該產(chǎn)品初始狀態(tài)是斷開(Normally-off)，相比于同等耐壓規(guī)格的硅功率器件，品質(zhì)因數(shù)(FOM)可降低近一半。基于富士通半導(dǎo)體的GaN功率器件，用戶可以設(shè)計(jì)出體積更小，效率更高的電源組件，可廣泛的運(yùn)用于ICT設(shè)備、工業(yè)設(shè)備和汽車電子等領(lǐng)域。
MB51T008A具有許多優(yōu)點(diǎn)，包括：1)導(dǎo)電阻13 mΩ，總柵極電荷為16 nC，使用相同的擊穿電壓，實(shí)現(xiàn)的品質(zhì)因數(shù)(FOM)大約是基于硅的電源芯片產(chǎn)品的一半；2)使用WLCSP封裝，最小的寄生電感和高頻率操作；3) 專有的柵極設(shè)計(jì)，可實(shí)現(xiàn)默認(rèn)關(guān)閉狀態(tài)，可進(jìn)行常關(guān)操作。新產(chǎn)品是數(shù)據(jù)通信設(shè)備、工業(yè)產(chǎn)品和汽車電源中使用的DC-DC轉(zhuǎn)換器的高邊開關(guān)和底邊開關(guān)的理想選擇。此外，由于其支持電源電路中更高的開關(guān)頻率，電源產(chǎn)品可實(shí)現(xiàn)整體尺寸縮小和效率的提高。富士通半導(dǎo)體計(jì)劃于2013年7月起開始提供樣片，并于2014年開始批量生產(chǎn)。
除了提供150 V的耐壓值產(chǎn)品，富士通半導(dǎo)體還開發(fā)了耐壓為600 V 和 30 V的產(chǎn)品，從而有助于在更寬廣的產(chǎn)品領(lǐng)域提高電源效率。這些GaN功率器件芯片采用富士通研究所自20世紀(jì)80年代來(lái)牽頭開發(fā)的HEMT (高電子遷移率晶體管)技術(shù)。富士通半導(dǎo)體在GaN領(lǐng)域擁有大量的專利技術(shù)和IP，可迅速將GaN功率器件產(chǎn)品推向市場(chǎng)。富士通半導(dǎo)體還計(jì)劃與客戶在各個(gè)行業(yè)建立合作伙伴關(guān)系，以進(jìn)一步拓展業(yè)務(wù)。
富士通半導(dǎo)體于TECHNO- FRONTIER 2013展出MB51T008A和其它GaN產(chǎn)品。時(shí)間：2013年7月17-19日，地點(diǎn)：日本東京國(guó)際博覽中心。公司會(huì)提供性能有進(jìn)一步提高的具有2.5KW輸出功率的電源原形產(chǎn)品和測(cè)試數(shù)據(jù)， 該產(chǎn)品的高頻PFC模塊和高頻DC-DC轉(zhuǎn)換器采用了600V耐壓的GaN功率器件。
富士通MB51T008A主要規(guī)格
