【導讀】Vishay 宣布將攜其全線最新技術(shù)方案，在6月20至22日成都世紀城新國際會展中心舉行的2013中國電子展成都站（夏季會）上展出。Vishay的展位在3號館A214，展示亮點是其最新的業(yè)界領(lǐng)先的創(chuàng)新產(chǎn)品，包括無源元件、二極管、功率MOSFET、功率IC和光電子產(chǎn)品。
在2013中國電子展上，Vishay Siliconix將展出在4.5V柵極電壓下最大導通電阻低至0.00135Ω的TrenchFET® Gen IV MOSFET，提高效率的600V和650V E系列器件，以及采用PowerPAK® SO-8L和8x8L封裝的50W前大燈照明LED驅(qū)動。重點展示的電源IC包括3mm x 3mm DFN10封裝的28V可編程的保護智能負載開關(guān)，5mm x 5mm封裝的高密度60A功率級，100V全橋PWM控制器功率級。
Vishay Semiconductors將展示多種二極管產(chǎn)品，包括SMPD封裝的45V～120V TMBS® Trench MOS勢壘肖特基整流器和50V高電流密度器件，用于電動汽車、UPS和太陽能逆變器的Gen2 650 V FRED Pt®超快二極管，以及FRED Pt 超快恢復整流器。
另外，Vishay Semiconductors的表面貼裝PAR®和TRANSZORB®瞬態(tài)電壓抑制器也讓人眼前一亮，還有白光高亮度、高功率LED模塊，高亮度0402和0603尺寸的ChipLED，以及全集成的接近和環(huán)境光傳感器等光電子產(chǎn)品。
Vishay的無源元件包括多種最新型電容器、電阻和電感器。頗值得一看的電阻有可在235℃下工作的Vishay Beyschlag高電流溫度保險絲，Vishay Draloric 20kW不銹鋼功率電阻，以及采用模塑外殼的Vishay Dale Power Metal Strip®電池電流采樣電阻。
主推的電容器包括Vishay Vitramon高頻RF和微波MLCC，可用于DC-link和AC應用的高峰值電流Vishay Roederstein薄膜電容器，以及Vishay ESTA功率電容器。主推的電容器還包括Vishay Sprague MICROTAN®固鉭片式電容器和Vishay液鉭電容器。
Vishay Dale將展出薄型、高電流IHLP®器件等電感器，用于LED SEPIC轉(zhuǎn)換器電路的IHCL耦合電感器，IWAS無線充電的Rx線圈。
除此以外，Vishay還將在2013中國電子展的展位上進行兩項產(chǎn)品演示。Vishay Siliconix將展示對優(yōu)化了熱和電性能的SiZF904DT PowerPAIR® TrenchFET IV功率MOSFET。Vishay Semiconductors將系統(tǒng)演示采用低正向電壓和快速導通時間的TMBS整流器，以及高阻抗和減少信號損失的低CJ TVS產(chǎn)品。
中國電子展是中國西部地區(qū)領(lǐng)先的和最全面的電子和信息行業(yè)的展會。更多信息，請訪問http://www.icef.com.cn/summer_eng/index_ge.shtm。
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