PCIM-ASIA電力電子展上ABB半導(dǎo)體和賽晶電力電子合 作出展
賽晶電力電子集團(tuán)有限公司將與ABB半導(dǎo)體聯(lián)合將參加2012年6月19-21日在上海世博展覽館舉辦的“PCIM-ASIA2012電力電子、 智能運動、可再生能源與能源管理國際展覽會暨研討會”。在今年P(guān)CIM-ASIA電力電子展上，賽晶電力電子集團(tuán)有限公司將與ABB半導(dǎo)體聯(lián)合參展，將展出ABB半導(dǎo)體、ABB晶閘管、IGCT、 IGBT、母排等可以滿足各大功率變流裝置選型要求的眾多優(yōu)勢產(chǎn)品。賽晶集團(tuán)將繼續(xù)致力于提高電力的使用效率和傳輸效率的新技術(shù)、新裝備的研發(fā)工作，以保 持其競爭力和行業(yè)領(lǐng)先地位。
由賽晶集團(tuán)旗下嘉善華瑞賽晶電氣設(shè)備科技有限公司自主研發(fā)生產(chǎn)的密閉式冷卻水循環(huán)系統(tǒng)適用于電力電子系統(tǒng)高電壓大功率電子元器件的水冷循環(huán)降溫。本裝置采 用高純水及乙二醇做循環(huán)介質(zhì)，熱量最后用熱交換器，將熱量排入大氣。內(nèi)循環(huán)水在完全密閉條件下工作，工作過程中避免了循環(huán)介質(zhì)的蒸發(fā)損失，不會出現(xiàn)一般水 冷系統(tǒng)中出現(xiàn)的因結(jié)垢、長菌造成的堵塞，也不會造成對換熱器及管道的腐蝕。
PCIM是電力轉(zhuǎn)換與智能運動的英文縮寫，為來自電力電子產(chǎn)品及其驅(qū)動技術(shù)和變電質(zhì)量應(yīng)用界的廣大專業(yè)人士提供了一個良好的交流平臺，使他們有機(jī)會領(lǐng)略電 力電子產(chǎn)品和系統(tǒng)領(lǐng)域的最新研發(fā)成果。其展覽會與研討會內(nèi)容涵蓋分立器件、無源器件、電源管理與IC、散熱管理以及測試測量、伺服技術(shù)和測試設(shè)備等。
ABB晶閘管
ABB半導(dǎo)體公司生產(chǎn)的IGCT規(guī)格有非對稱型、反向阻斷型、反向?qū)ㄐ腿N類型，共14種規(guī)格。比較成功地用于6000V高壓變頻調(diào)速設(shè)備中。
此次亮相的復(fù)合母排產(chǎn)品，由賽晶集團(tuán)旗下浙江賽英電力科技有限公司的研發(fā)制造,致力于為軌道交通、電力、新能源、船舶等行業(yè)領(lǐng)域提供優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品（如圖六、 七、八），公司全面引進(jìn)國外先進(jìn)的功率母排設(shè)計理念與制造工藝，同時瞄準(zhǔn)國際上的行業(yè)技術(shù)發(fā)展趨勢，不斷提升產(chǎn)品的技術(shù)品位，通過引進(jìn)國際先進(jìn)的母排自動 化生產(chǎn)線與檢測線，充分保證了母排的生產(chǎn)效率與產(chǎn)品質(zhì)量。
關(guān)于ABB半導(dǎo)體
ABB半導(dǎo)體公司為國際電氣集團(tuán)ABB下屬的全資子公司，該公司具有超過一百年的功率半導(dǎo)體的設(shè)計和生產(chǎn)經(jīng)驗，在功率器件的制造技術(shù)上一直處于世界領(lǐng)先地 位。功率半導(dǎo)體廣泛應(yīng)用在電力、傳動、牽引、化工等各個領(lǐng)域。ABB半導(dǎo)體公司將改變以往主要為核心客戶服務(wù)的營銷策略，決定面向中國市場實行開放式銷售 和服務(wù)，為中國基礎(chǔ)工業(yè)領(lǐng)域的客戶提供最先進(jìn)的功率器件并進(jìn)行技術(shù)服務(wù)，幫助中國客戶開發(fā)自己的電力電子裝置。
關(guān)于賽晶電力電子集團(tuán)有限公司
賽晶電力電子集團(tuán)有限公司是業(yè)內(nèi)深具影響力的電力系統(tǒng)解決方案供應(yīng)商和集成商。自2002年「賽晶」品牌正式創(chuàng)立以來，公司迅速成為最受歡迎電力電子元器 件提供商和廣受業(yè)內(nèi)好評的電力設(shè)備及系統(tǒng)供應(yīng)商之一。由于強(qiáng)調(diào)精益求精的產(chǎn)品品質(zhì)和服務(wù)共贏的客戶感受，「賽晶Sun.King」在品質(zhì)上一直享有令人盛 贊的聲譽。了解我們。
ABB半導(dǎo)體公司生產(chǎn)的絕緣柵雙極晶體管（IGBT）是三相全橋式逆變模塊（圖四），采用密集型封裝結(jié)構(gòu)系統(tǒng)(母線控制)，安裝簡便，有銅底板和無銅底板 系列兩種。SPT結(jié)構(gòu)的IGBT具有如下特性：通態(tài)電壓和關(guān)斷損耗可降低20%，熱阻無增加，并增加有效電流，皺紋狀表面有利于散熱，EMC良好的軟開關(guān) 波形。目前IGBT的最高水平為：單管，3000A/5000V；模塊，1200A/3300V，從不串不并的前提出發(fā)，IGBT在低于 1000KW的功率范圍內(nèi)使用。
