- 在六個(gè)關(guān)鍵參數(shù)方面找到了最佳平衡點(diǎn)
- 具有行業(yè)最低的RDS (on)
- 同步降壓穩(wěn)壓器、DC-DC轉(zhuǎn)換、穩(wěn)壓器模塊和功率OR-ing
恩智浦半導(dǎo)體NXP Semiconductors N.V.近日宣布，其采用LFPAK封裝的NextPower系列25V和30V MOSFET將有15款新產(chǎn)品開始供貨。這些恩智浦功率MOSFET家族的最新成員在六個(gè)關(guān)鍵參數(shù)方面找到了最佳平衡點(diǎn)，并且具有行業(yè)最低的RDS (on) （25V和30V均為亞1 mΩ級(jí)），是高性能、高可靠性開關(guān)應(yīng)用的理想之選。傳統(tǒng)方法主要著眼于降低RDS (on) 和Qg，而恩智浦NextPower則采用超結(jié)技術(shù)來優(yōu)化低RDS (on)、低Qoss、低Qg(tot) 與Qgd之間的平衡，從而實(shí)現(xiàn)強(qiáng)大的開關(guān)性能，減少漏極輸出與源極引腳之間的損耗，同時(shí)提供卓越的SOA性能。此外，恩智浦LFPAK作為最堅(jiān)固的Power-SO8封裝，尺寸緊湊，面積僅為5mm x 6mm，可在惡劣環(huán)境下提供出色的功率開關(guān)功能。
事實(shí)/要點(diǎn)：
恩智浦NextPower系列25V和30V MOSFET在以下六個(gè)參數(shù)方面性能表現(xiàn)優(yōu)異：
- 低RDS (on) —— 擁有行業(yè)最低RDS(on)的Power-SO8封裝產(chǎn)品 —— 在SYNC FET或功率OR-ing應(yīng)用下具有I2R損耗低、性能出色的特點(diǎn)
- 低Qoss，有利于減少漏極與源引腳之間的損耗，當(dāng)輸出引腳上出現(xiàn)電壓變化時(shí)，還可減少輸出電容 (Coss) 中存儲(chǔ)的損耗能量
- 低Miller電荷 (Qgd)，有利于減少開關(guān)損耗和高頻開關(guān)次數(shù)
- SOA性能可以極好地承受過載和故障條件
- 低柵極電荷 (Qg) 可以減少柵極驅(qū)動(dòng)電路中的損耗
- 出色的額定結(jié)點(diǎn)溫度Tj(max)，堅(jiān)固型Power-SO8 LFPAK封裝則為條件惡劣且對(duì)可靠性要求較高的環(huán)境提供了保障
積極評(píng)價(jià)：
恩智浦半導(dǎo)體功率MOSFET部營(yíng)銷經(jīng)理Charles Limonard表示：“在25V和30V條件下實(shí)現(xiàn)行業(yè)最低的RDS (on)，這只是其突出表現(xiàn)的一部分。最新NextPower器件的真正突破在于，我們還可以控制MOSFET行為的各個(gè)方面——超越導(dǎo)通電阻和柵極電荷——為開關(guān)應(yīng)用帶來高性能、高可靠性和最大功效。”
型號(hào)：
NextPower 25V MOSFET：PSMN0R9-25YLC、PSMN1R1-25YLC、PSMN1R2-25YLC、PSMN1R7-25YLC、PSMN1R9-25YLC、PSMN2R2-25YLC、PSMN2R9-25YLC、PSMN3R2-25YLC、PSMN3R7-25YLC、PSMN4R0-25YLC
NextPower 30V MOSFET：PSMN1R0-30YLC、PSMN1R2-30YLC、PSMN1R5-30YLC、PSMN2R2-30YLC、PSMN2R6-30YLC、PSMN3R2-30YLC、PSMN3R7-30YLC、PSMN4R1-30YLC、PSMN4R5-30YLC
