- 功率半導體器件開始邁向新能源、軌道交通、智能電網、變頻家電等諸多產業
- 國外企業掌控關鍵技術
- IGBT是近期發展重點
- IC制造為功率半導體搭建工藝平臺
- 上世紀80年代以后發展起來的新型功率半導體器件約占所有功率半導體器件的80%以上
- 我國的功率半導體市場預計2010年將達到956.6億元，2011年將達到1060.5億元
- 國內市場所需的功率半導體約有90%仍然依賴進口
功率半導體是弱電控制與強電運行之間、信息技術與先進制造之間的橋梁，是國民經濟的重要基礎。隨著世界各國對節能減排的需求越來越迫切，功率半導體器件已從傳統的工業控制和4C領域邁向新能源、軌道交通、智能電網、變頻家電等諸多產業。
國外企業掌控關鍵技術
·2011年中國功率器件市場將占全球半壁江山。
·我國功率半導體企業生產條件和工藝技術大多仍停留在國外上世紀90年代水平，關鍵技術掌握在少數國外公司手中。
功率半導體器件是指能承受較大電流和電壓的半導體器件，是半導體產業中僅次于大規模集成電路的另一大分支。功率半導體器件可分為功率半導體分立器件和功率集成電路兩大類，功率半導體分立器件在我國又常被稱為電力電子器件，據北京工業大學亢寶位教授介紹，IGBT(絕緣柵雙極晶體管)、功率MOS(金屬-氧化物-半導體場效應晶體管)和功率FRD(快恢復二極管)是該領域的三大支柱產品，以前作為主體的晶閘管和功率雙極晶體管所占市場已經很少。
功率半導體的作用主要是節能和傳統產業信息化。我國每年約60%的發電量用于各種電機，采用變頻調速的電機驅動技術是電機節能的重要手段，節電幅度約為20%-30%，而變頻調速所用的器件正是功率半導體。從技術水平來看，上世紀80年代以后發展起來的更先進的新型功率半導體器件約占所有功率半導體器件的80%以上，而以前的傳統的功率半導體只剩下不到20%的份額。
從傳統的應用領域來看，功率半導體約70%用于通信、計算機、消費電子和汽車等所謂“4C”產業，約30%應用于工業和醫療領域。江蘇宏微科技有限公司總經理趙善麒在接受《中國電子報》記者采訪時表示，從全球范圍來看，太陽能發電、風能發電、電動汽車、智能電網等領域是功率半導體器件新的應用熱點。
如今，中國正在成長為全球最大的功率半導體市場。從2005年到2008年，我國功率半導體市場年平均增長率為23%，2008年的銷售額是821.8億元，經初步測算，2009年我國功率半導體銷售額已超過870億元。我國的功率半導體市場在未來幾年里還會保持增長，預計2010年將達到956.6億元，2011年將達到1060.5億元。據預測，2011年功率半導體在中國市場的銷售量將占全球的50%。
盡管中國已經成為全球功率半導體產業的重要市場，但中國功率半導體器件的設計、制造能力還有待提高，我國功率半導體企業的生產條件和工藝技術大多仍停留在國外上世紀90年代的水平，關鍵技術仍掌握在少數國外公司手中。嘉興斯達半導體有限公司董事長沈華告訴記者，目前我國新型功率半導體尤其是IGBT產業還處于起步階段，上下游的配套還很不完善。據統計，目前國內市場所需的功率半導體約有90%仍然依賴進口，缺乏核心技術將嚴重阻礙中國新興節能產業的發展。
江蘇宏微科技有限公司總經理趙善麒：
與其他國家相比，中國的功率半導體器件市場的特點是使用的器件品種多，應用領域寬；但是，目前國內市場上的高端產品(如IGBT)基本上被國外廠商壟斷，國內產品市場認證周期非常長，而且獲得的市場認可度不高。
IGBT是近期發展重點
·近年來，我國政府出臺了一系列政策對功率半導體產業進行扶持。
·中國企業在立足于提升產品質量、加強客戶服務的同時，也嘗試用海外并購的方式實現跨越式發展。
正是認識到我國功率半導體產業與國外先進水平的差距，中國企業開始尋找各種路徑提升自己的實力，中國政府也出臺了一系列政策對該產業進行扶持。浙江大學電氣工程學院長江特聘教授盛況在接受《中國電子報》記者采訪時表示，從產業化的角度看，未來3-5年內我國功率半導體領域的發展重點應該是IGBT，因為我國對IGBT器件的需求比較迫切，國家在該領域也有較大的支持和投入。
在2009年出臺的《電子信息產業調整和振興規劃》中，明確提出了“加快電子元器件產品升級”，“充分發揮整機需求的導向作用，圍繞國內整機配套調整元器件產品結構”，提高新型電力電子器件、高頻頻率器件等產品的研發生產能力，“初步形成完整配套、相互支撐的電子元器件產業體系”。
根據《國家中長期科學和技術發展規劃綱要(2006-2020年)》，科技部在“十一五”國家科技支撐計劃重點項目“電力電子關鍵器件及重大裝備研制”中，將“新型電力電子器件及電力電子集成技術”列為該重點項目的第一項課題。據該課題的承擔單位之一西安電力電子技術研究所副所長白繼彬透露，該課題主要致力于IGBT、FRD及PEBB(電力電子組塊)關鍵技術的研發，目前已接近課題驗收階段。白繼彬同時表示，在我國，整機受制于器件已成為共識；事實上，電力電子器件也受制于材料。目前，我國新型功率半導體器件的原材料還嚴重依賴進口，需要在產業鏈的上游環節加大投入。
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在爭取國家政策扶持的同時，中國企業也嘗試通過資本運作迅速提升自身的實力。2008年，南車時代集團完成了對加拿大上市公司DynexPower的并購。據了解，Dynex公司大功率半導體器件銷售額居全球第6位，是國際上少數掌握高壓IGBT制造技術的公司之一。南車時代集團通過此次并購實現了在功率半導體領域技術和產業的跨越式發展。
嘉興斯達半導體自2005年成立以來，目前已發展成為國內IGBT領域產銷量最大、技術領先的企業。“與國外公司相比，中國企業最大的優勢在于貼近市場，可以迅速、全面地了解客戶的需求。”沈華表示，“我們要幫助客戶選擇最適合他們產品的模塊，必要時為他們量身定制，努力使產品的性價比達到最高。”產品的質量和可靠性也是中國企業能否在市場競爭中站穩腳跟的關鍵，在沈華看來，這就要求中國企業加大在設備、技術研發等領域的投入，要從采購供應、生產過程和生產后等多個環節進行質量控制，產品的檢測要實現標準化的機器測評，將人為因素降到最低。
浙江大學電氣工程學院長江特聘教授盛況：
器件只是產業鏈的一個環節，IGBT產業的發展需要得到產業鏈上下游的支持，需要材料、制造設備、檢測儀器等多個環節的完整配套，并且研發、生產和應用應緊密結合。
IC制造為功率半導體搭建工藝平臺
集成電路產業在制造能力上的優勢可以為功率半導體的生產提供工藝平臺，“設計+代工”的模式有望提升我國功率半導體產業競爭實力。
功率器件標準化程度較差，其工藝的特殊性應受關注。
近年來，我國微電子產業尤其是集成電路制造業的進步也為功率半導體產業的發展夯實了基礎。盡管多年來我國微電子和電力電子兩大行業之間多少有點“瑜亮情結”，但在功率半導體器件工藝水平相對落后、高端集成電路市場競爭異常激烈的背景之下，微電子與電力電子兩大產業的攜手將有望創造雙贏的結局。
據亢寶位教授介紹，從器件制造工藝角度來看，上世紀80年代后發展起來的現代功率半導體器件VDMOS、IGBT、平面型快恢復功率二極管和功率集成電路都使用精細光刻和平面工藝技術，其設備和工藝線的要求與集成電路基本相同，即超凈廠房、精細光刻、離子注入摻雜和各種CVD技術(如多晶硅、氮化硅、二氧化硅)等等。可見，把集成電路企業的制造優勢和功率半導體的市場潛力相結合，既可以為芯片制造企業提供廣闊的市場，又可以大幅提升功率半導體企業的產品檔次。據了解，我國集成電路領域的主流芯片代工企業早已看到這一市場機遇，有的企業已經把功率半導體器件列為公司重點工藝平臺。
不過，集成電路領域的制造經驗并不能完全復制在功率半導體產業。以IGBT為例，盡管其設計技術相對集成電路而言不算復雜，但由于其大電流、高電壓、高頻和高可靠性的要求，加工工藝十分特殊和復雜；另外，對于不同電壓等級和頻率范圍的IGBT，其主要工藝也有較大差異，從而增加了器件生產的特殊性和復雜性。
“相對于數字IC，功率器件代工的最大特點就是標準化程度低，導致移植性差，每家工廠做出的產品都有不同之處，而設計企業面對的最終產品市場始終要求快速的市場反應和有針對性的設計。”華虹NEC市場部技術市場科科長陳儉在接受《中國電子報》記者采訪時表示，“這就要求代工企業和設計企業之間有更加緊密的技術合作，需要設計企業有針對性地根據代工廠提供的技術設計和優化產品，需要從前期市場調查、產品開發、制造、產品的認證、大規模生產到最后進入市場，整個周期的通力合作。因此，設計企業與代工企業應建立長期的戰略合作關系。”
北京工業大學教授亢寶位：
功率半導體的設計技術與集成電路制造工藝技術的結合將有力地推動功率半導體產業向前發展。
