- 8月20日，2009中國半導體分立器件市場年會在深圳召開
- 年會對GaN HEMT 微波毫米波器件與電路的新進展情況進行了分析
- GaN HEMT 微波毫米波處于科研向工程化轉(zhuǎn)化時期
- GaN HEMT 微波毫米波2010年將進入軍民用系統(tǒng)中
8月20日，深圳，由中國半導體行業(yè)協(xié)會主辦，分立器件分會、華強電子網(wǎng)等聯(lián)合承辦的“2009中國半導體分立器件市場年會”上，中國電子科技集團公司趙正平副總經(jīng)理對GaN HEMT 微波毫米波器件與電路的新進展情況進行了分析。據(jù)趙總介紹，從上世紀九十年代中期誕生至今近，GaN HEMT在微波毫米波領域有了突破性進展，目前正處于從科研向工程化轉(zhuǎn)化的關鍵時期。由于其高的擊穿場強，高電子飽和速度，高的兩維電子氣濃度，SiC襯底的高熱導率，使得GaN HEMT的微波功率密度比Si、GaAs微波器件提高了十倍以上。小柵寬GaN HEMT器件在4GHz下，功率密度達到40w/mm；8GHz30w/mm；18GHz；9.1w/mm；40GHz;10.5w/mm；80.5GHz；2.1w/mm。其高頻特性：30nm柵長的GaN MIS-HFET的fT達到180 GHz；100nm柵長并具有背勢壘結構的GaN HEMT的fmax達到230GHz。在通訊雷達應用研究中，大柵寬GaN HEMT器件以及由其構成的功率放大器的性能也取得突破。在L波段輸出脈沖功率達500W，在S波段脈沖功率達800W，在C波段脈沖功率達220W；在X波段達250W，在Ku波段SSPA連續(xù)波功率達120W，在26GHz連續(xù)波輸出功率達20W。在GaN HEMT可靠性穩(wěn)定性研究中，攻克了由缺陷引起的漏電流崩塌效應，柵漏電引起的短期失效機理以及主要由柵下漏邊緣高電場導致的逆壓電效應引起的長期不穩(wěn)定機理等難題，交流穩(wěn)定性有很大提高。由加速壽命試驗評估的壽命已大于106小時。預期2010年GaN HEMT將在軍民用系統(tǒng)中獲得應用。
在本次會議上，全國200多位行業(yè)主管部門領導、專家及業(yè)界代表匯聚深圳，緊緊圍繞金融危機下中國半導體分立器件市場機遇及趨勢，分立器件新技術新工藝的發(fā)展，新型分立器件在汽車電子、節(jié)能照明等領域的應用前景進行了深入探討。工業(yè)和信息化部電子信息司丁文武副司長、中國半導體行業(yè)協(xié)會徐小田秘書長、中國半導體行業(yè)協(xié)會分立器件分會趙小寧秘書長、中國科學院許居衍院士等領導、專家出席了本次會議并發(fā)言。
