±0.05 ppm/°C 和 ±0.2 ppm/°C 的超低絕對TCR- 最高可提供±0.01%的嚴格容差匹配及0.1 ppm/°C 的TCR
- 倒裝芯片接頭采用卷繞方式，可減少所需的電路板空間
- 可承受高達 25kV 的靜電放電
- 電阻范圍: 1 k? 至 10 k?
- 2000 個小時保持 ±0.005% 的負載壽命穩定率
- 高精度儀器放大器、橋接網絡、差分放大器及電橋電路
- 醫療、測試及軍用設備等
VFCD1505 可在同時蝕刻在公共襯底上的一塊箔上的兩個電阻間提供 ±0.01%（可低至 ±0.005 %）的嚴格容差匹配及 0.1 ppm/°C 的 TCR 跟蹤。對設計人員而言，該一體化結構的電氣特性可改進性能,并實現比分離電阻和配對設計更高的構建利用率。
VFCD1505 的倒裝芯片接頭采用卷繞方式，接頭片位于電阻下方而不是側面，因此可最大限度地減少所需的電路板空間。在由兩個電阻和三個接頭組成的分壓器中，倒裝芯片分壓器在電阻下方配置三個墊片，而不是在側面配置四個墊片。倒裝芯片早期的缺點被認為是防礙檢查焊流，但這一缺點后來通過采用 X 光和其他更先進的技術而得以克服。
VFCD1505 具有最強的靜電放電抗擾能力，可承受高達 25kV 的靜電放電，從而提高了產品的可靠性。在 1 k? 至 10 k? 的電阻范圍內，分壓器兩面均可實現規定的電阻值。與所有 Vishay 箔電阻一樣，VFCD1505 不受標準值限制，可提供“所要求”的電阻值（如 7 kΩ 及 7.6543 kΩ），且不會增加成本或供貨時間。
該器件的應用包括高精度儀器放大器、橋接網絡、差分放大器及電橋電路中的比例臂,以生產具有超高穩定性和可靠性的產品，例如醫療、測試及軍用設備等。可根據 EEE-INST-002 標準進行篩選 (MIL-PRF 55342)。
VFCD1505 可在溫度為 70°C 時，連續 2000 個小時保持 ±0.005% 的負載壽命穩定率；0.1W 的額定功率（由兩個電阻按其電阻值比例分攤）；小于 0.1PPM/V 的低電壓系數；小于 -40 dB的電流噪聲；及 0.05uV/°C 的熱 EMF。該器件具有 1.0 納秒的無振鈴快速響應時間，并且采用無電感 (<0.08uH) 和無電容設計。
即使具有較低的 TCR 跟蹤，電阻比率也可能會根據絕對 TCR 發生極大變化。為了確保良好的電阻比率穩定性，設計人員應利用絕對 TCR 盡可能低的電阻，如 VFCD1505，該器件采用 Vishay 的突破性“Z 箔”技術制成，極大地降低了電阻元件對外加功率變化的敏感性。
在其他技術中，如薄膜與厚膜，即使電阻比率為 1:1，在相同功率負載條件下，電阻對之間仍有溫差。這是由于各電阻因設計及/或制造容差產生的自身散熱，及因封裝內熱阻差異產生的傳熱不對稱所致，即使外加功率極小（接近零）也不例外。
目前，VFCD1505 分壓器可提供樣品，并已實現量產，樣品供貨周期為 72 小時，而標準訂單的供貨周期為 3 周。
