【導讀】大電流MOSFET的使用廣泛，它們的導通電阻低，電流能力較大，適合在各種開關電源中應用，在具體的器件驅動電路設計中，需要注意其門極電容較大，適合的門極驅動器需要有足夠的電流，去將門極電容充電，從而使電壓達到Vth，進而在系統允許的時間內去完全導通。
大電流MOSFET的使用廣泛，它們的導通電阻低，電流能力較大，適合在各種開關電源中應用，在具體的器件驅動電路設計中，需要注意其門極電容較大，適合的門極驅動器需要有足夠的電流，去將門極電容充電，從而使電壓達到Vth，進而在系統允許的時間內去完全導通。
在門極驅動電路設計中，需要注意一些典型的錯誤。例如，不能混淆門即輸入電容CISS和門極等效電容CEI之間的差異，不能簡單的通過CISS和電容的基本公式來計算門極驅動電流，如圖1所示。
圖1：電容充電基本公式
一般來說，MOSFET實際的門極等效電容CEI會比CISS大一些，這個數值需要從MOSFET廠家給出的門極總電荷QG中得到，它也和MOSFET門極驅動電壓有關。
圖2：門級總電荷的分解
這里我們先解釋一下QG的概念，進而說明一下QGS、QGD、QOD的實際意義。
圖3：MOSFET的門級電荷特性
圖3是典型的MOSFET的門極電荷變化特性，其中在曲線上我們可以看到，MOSFET從完全不導通到充電到米勒平臺，這階段需要的門極電荷是QGS，經過米勒平臺需要的門極電荷是QGD，米勒電容到最終完全導通需要的門級電荷是QOD，這三部分門級電荷之和就是門極總電荷QG，我們會從MOSFET廠家規格書中得到這些數據。
從這里，我們可以得到計算門極驅動電流的方法：
首先，為了讓MOSFET導通徹底，所以會選擇適合的門極驅動電壓，這個電壓會遠高于Vth。
其次，考慮到門極驅動電壓確定之后，可以根據門極總電荷得到門極等效充電電容CEI，二者關系是總電荷除以給定的VGS就是等效電容CEI。
最后，計算門極驅動電流的方法就是根據總門極電荷除以需要的門極電壓轉換時間，就得到需要的門極驅動峰值電流值。
圖4：門級驅動電流計算方法
圖4給出了計算驅動電流的公式，只要知道轉換時間，以及門極驅動總電荷，就可以得到需要的驅動電流，這里我們需要注意門極等效電荷CEI是和門極驅動電壓VGS相關。
門極驅動電流計算雖然簡單，但是真正理解它的計算過程，是需要搞清楚一些基本概念的，上述分析可以作為一個基本的知識基礎。
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