【導讀】電子工程師都知道要消除全橋逆變IGBT電壓尖峰一般用的都是無感電容，但是理論知識了解不代表實踐中也能解決，問題來了，這樣的無感電容要選擇多大呢？本文就結合實例給出大家方法。
全橋逆變器中的IGBT電壓尖峰，通常來說都需要使用無感電容來消除。但是究竟該使用多大的無感電容卻是一個相對復雜的問題，本篇文章就舉例說明了IGBT的電壓尖峰消除問題。
圖1
從圖1中能夠看到，尖峰已經達到穩定輸出電壓的二倍，并且這個IGBT的功率并不高，只有75A。接下來就看看如何消除尖峰。
需要做的很簡單，就是調整反并在IGBT上的二極管的反向恢復時間。
IGBT沒有結構上需要的體二極管，出于安全考慮（避免反向擊穿），一般IGBT內部都反向并聯了一只二極管，隨著現代開關電源技術的發展，軟開關得到普遍應用，要求這只二極管具有很好的反向恢復特性，所以現在的IGBT內并聯的二極管反向恢復特性越來越好。但是如果用這種IGBT做硬開關，因為漏感等因素在CE上，產生的尖峰電壓通過二極管反向恢復通道泄放的時間太短，造成剩余能量太多，就會出現尖峰過高的問題。
此時就要再并聯一個4007，但是有三點需要注意。
第一、這個并聯要求二極管的反向恢復時間恰到好處，如果覺得4007不合適，可以換別成其他型號的二極管試試。
第二、如果覺得4007的電流太小不放心，就2只4007串了以后再與IGBT反并，這樣主反向電流就只走原來的二極管了，只有電壓尖峰才走4007的反向恢復通道。
第三、如果由于反向恢復電流（即吸收電流）太大而效率降低二極管發熱，就需要考慮驅動方式了，讓上下管錯開驅動時間，避免同步驅動引起的二極管反向恢復直通引起的損耗。
這里說的主要是關閉時的電壓尖峰，以前用MOS做全橋一般不會出現這個問題，因為MOS的體二極管反向恢復時間足夠長，原因在這里。
