【導(dǎo)讀】單片機晶振旁的2個電容是晶體的匹配電容，只有在外部所接電容為匹配電容的情況下，振蕩頻率才能保證在標稱頻率附近的誤差范圍內(nèi)。 最好按照所提供的數(shù)據(jù)來，如果沒有，一般是30pF左右。太小了不容易起振。
晶振的標稱值在測試時有一個“負載電容”的條件，在工作時滿足這個條件，振蕩頻率才與標稱值一致。一般來講，有低負載電容（串聯(lián)諧振晶體），高負載電容（并聯(lián)諧振晶體）之分。在電路上的特征為：晶振串一只電容跨接在IC兩只腳上的，則為串聯(lián)諧振型；一只腳接IC，一只腳接地的，則為并聯(lián)型。如確實沒有原型號，需要代用的可采取串聯(lián)諧振型電路上的電容再并一個電容，并聯(lián)諧振電路上串一只電容的措施。例如：4.433MHz晶振,并一只3300PF電容或串一只70P的微調(diào)電容。
常見的晶振大多是二只腳，3腳的晶振是一種集晶振和電容為一體的復(fù)合元件。由于在集成電路振蕩端子外圍電路中總是以一個晶振（或其它諧振元件）和兩個電容組成回路，為便于簡化電路及工藝，人們便研制生產(chǎn)了這種復(fù)合件。其3個引腳中，中間的1個腳通常是2 個電容連接一起的公共端，另外2個引腳即為晶振兩端，也是兩個電容各自與晶振連接的兩端。由此可見，這種復(fù)合件可用一個同頻率晶振和兩個 100～200pF的瓷片電容按常規(guī)連接后直接予以代換。
單片機晶振旁的2個電容是晶體的匹配電容，只有在外部所接電容為匹配電容的情況下，振蕩頻率才能保證在標稱頻率附近的誤差范圍內(nèi)。
最好按照所提供的數(shù)據(jù)來，如果沒有，一般是30pF左右。太小了不容易起振。
在某些情況下，也可以通過調(diào)整這兩個電容的大小來微調(diào)振蕩頻率，當(dāng)然可調(diào)范圍一般在10ppm量級。
晶振等效于電感/電容/內(nèi)阻
