【導讀】快捷半導體公司的40VN信道PowerTrench MOSFET產品，具有最低電阻和低總閘極電荷以降低功率損耗。
FDB9403 采用快捷半導體的屏蔽閘極技術，改進了電阻并降低了電容器。該組件提供比最接近競爭產品低20%的RDS(ON)值，同時具備低Qg值，可降低功率損耗并最終提高整體效率。FDB9403 MOSFET產品作為基本的電流控制開關，有效控制電力，無任何浪費，因此非常適合于電力操控系統、懸架控制及動力傳動管理應用。
在VGS = 10V和ID = 80A時，更低功率損耗的典型值RDS(ON)= 1mΩ，因而實現更高效率；在VGS = 10V和ID = 80A時，典型值Qg(tot) = 164nC，功耗更低，因而實現更高效率；UIS能力；以及符合RoHS及AEC Q101標準。
