產(chǎn)品特性：
- QFN-6封裝，體積只有1.0 x 1.45 x 0.65mm
- 240MHz時最大電容僅0.85pF
- 達(dá)到IEC第四級保護(hù)標(biāo)準(zhǔn)的放電等級
- 低功耗，最大漏電流僅0.5μA
- 3GHz頻率時，額定插入損耗為零
- 鉗位電壓極低
應(yīng)用范圍：
- 手機(jī)、手持電腦、個人媒體播放器
- 其它要求IEC61000-4-2保護(hù)功能的便攜高速通信設(shè)備
意法半導(dǎo)體推出一款體積只有1.0 x 1.45 x 0.65mm的微型ESD（靜電釋放）保護(hù)器件USBULC6-2M6。這款QFN-6封裝的產(chǎn)品尺寸極小，能夠滿足高速USB接口對完整ESD保護(hù)功能（包括電源電壓Vbus）的全部要求。由于在240MHz時最大電容只有0.85pF，USBULC6-2M6能夠最大限度地降低失真，有助于工程師設(shè)計達(dá)到480 Mbps傳輸速率所要求的10pF最大額定線路負(fù)載。
緊湊的占位面積和超薄的封裝使USBULC6-2M6特別適用于手機(jī)、手持電腦、個人媒體播放器以及其它要求IEC61000-4-2保護(hù)功能的便攜高速通信設(shè)備。新產(chǎn)品達(dá)到IEC第四級保護(hù)標(biāo)準(zhǔn)的15kV空氣放電和8kV接觸放電等級，擊穿電壓 6.1V。此外，0.5μA的最大漏電流有助于降低功耗，延長電池使用時間。
在電路內(nèi)部，USBULC6-2M6是為最大化信號透明度而優(yōu)化設(shè)計的；為簡化電路板布局，保護(hù)整個數(shù)據(jù)線的阻抗匹配度，新產(chǎn)品還在外部提供一個直通引腳連接方式。
通過組成兩個互補(bǔ)性的保護(hù)型二極管網(wǎng)絡(luò)，把電容匹配度控制在0.1pF內(nèi)，USBULC6-2M6可用于保護(hù)各種高速差分和單端傳輸信號的應(yīng)用。在3GHz頻率時，額定插入損耗為零，這個特性允許新產(chǎn)品用于千兆以太網(wǎng)以及未來的高速通信協(xié)議。與其它的ESD保護(hù)產(chǎn)品如金屬氧化物變阻器相比，新產(chǎn)品的鉗位電壓極低，能夠為100nm以下的CMOS芯片提供更好的保護(hù)功能。
