【導讀】本系列文章的第 1 部分至第 4 部分詳細介紹了開關(guān)電源穩(wěn)壓器引起的傳導發(fā)射和輻射發(fā)射，包括噪聲產(chǎn)生機制、測量要求、頻率范圍、適用的測試限值、傳播模式和寄生效應。在第 5 部分中，我將基于這一理論基礎(chǔ)介紹抑制電磁干擾 (EMI) 的實用電路技術(shù)。
一般來說，電路原理圖和印刷電路板 (PCB) 對于實現(xiàn)出色的 EMI 性能至關(guān)重要。第 3 部分重點強調(diào)通過謹慎的元器件選型和 PCB 布局盡量減小“功率回路”寄生電感的重要性。電源轉(zhuǎn)換器集成電路 (IC) 的封裝技術(shù)及其提供的 EMI 特定功能對此產(chǎn)生了巨大的影響。如第 2 部分所述，必須使用差模 (DM) 濾波方可將輸入紋波電流的幅值充分降低至滿足 EMI 合規(guī)性要求的水平。與此同時，如果需要抑制約 10MHz 以上的發(fā)射，通常使用共模 (CM) 濾波。在高頻條件下，使用屏蔽也可以獲得優(yōu)異的結(jié)果。
本文主要介紹這些方面的內(nèi)容，專門聚焦于帶有集成功率 MOSFET 和控制器的轉(zhuǎn)換器解決方案，提供抑制 EMI 的實例和應用指導。一般來說，轉(zhuǎn)換器應在合理范圍內(nèi)超出傳導 EMI 一定的裕度，為達到輻射限值預留空間。幸運的是，多數(shù)減少傳導發(fā)射的步驟對于抑制輻射 EMI 同樣有效。
了解 EMI 的相關(guān)挑戰(zhàn)
DC/DC 轉(zhuǎn)換器中的 EMI 主要由其快速開關(guān)的電壓和電流特性所致。與轉(zhuǎn)換器的不連續(xù)輸入或輸出電流相關(guān)的 EMI 相對容易處理，但更大的問題是開關(guān)電壓 dv/dt 和電流 di/dt 中的諧波成分，以及與開關(guān)波形相關(guān)的振鈴。
圖 1 所示為存在噪聲的同步降壓轉(zhuǎn)換器的開關(guān) (SW) 電壓波形。振鈴頻率范圍為 50MHz 至 200MHz，具體取決于寄生效應。此類高頻成分可以通過近場耦合傳播到輸入電源線、周邊元器件或輸出總線（如 USB 電纜）。體二極管反向恢復存在類似的問題，隨著恢復電流流入寄生回路電感，振鈴電壓升高。
圖 1：同步降壓轉(zhuǎn)換器在 MOSFET 導通和關(guān)斷開關(guān)轉(zhuǎn)換期間的開關(guān)節(jié)點電壓波形和等效電路
圖 2 的原理圖標識了降壓轉(zhuǎn)換器電路的兩條重要回路。最大限度縮減電源回路的面積至關(guān)重要，原因是該參數(shù)與寄生電感和相關(guān) H 場傳播成正比。主要設(shè)計目標是通過減小寄生電感最大程度提升寄生 LC 諧振電路的諧振頻率。此舉可以降低存儲的無功能量總值，減少開關(guān)電壓峰值過沖。
圖 2：簡化的同步降壓轉(zhuǎn)換器原理圖（針對 EMI 標出了關(guān)鍵回路和走線）
在圖 2 所示的自舉電容回路中，高側(cè) MOSFET 的導通速度由一個標記為 RBOOT 的可選串聯(lián)自舉電阻進行控制。自舉電阻會改變驅(qū)動電流瞬變率，降低 MOSFET 導通期間的開關(guān)電壓和電流轉(zhuǎn)換率。另一種方法是在 SW 和 GND 之間添加一個緩沖電路。同理，該緩沖電路應根據(jù)每次開關(guān)轉(zhuǎn)換時的瞬態(tài)電流尖峰，占用最小的回路面積。當然，緩沖電路和柵極電阻會增加開關(guān)功率損耗，需要在效率和 EMI 之間進行權(quán)衡。如果效率和散熱性能同樣非常重要，則需要使用其他技術(shù)解決 EMI 相關(guān)的挑戰(zhàn)。
轉(zhuǎn)換器的 PCB 布局
表 1 至表 5 總結(jié)了通過優(yōu)化 PCB 布局及元器件排布削弱 DC/DC 轉(zhuǎn)換器 EMI 信號的基本準則。我將在本文的后續(xù)部分提供一項 PCB 布局案例研究，探討如何優(yōu)化降壓轉(zhuǎn)換器的 EMI 特性。
表 1：布線及元器件排布。
表 2：GND 平面設(shè)計。
表 3：輸入和輸出電容。
表 4.電感和開關(guān)節(jié)點布局。
表 5.EMI 管理。
EMI 輸入濾波器
圖 3 所示為典型的多級 EMI 輸入濾波器。低頻和高頻部分可提供 DM 噪聲衰減，也可選擇 p 級，通過 CM 扼流器提供 CM 衰減。標記為 CBULK 的電解電容具有固有的串聯(lián)電阻 (ESR)，可用于設(shè)置所需阻尼，降低轉(zhuǎn)換器輸入的有效品質(zhì)因子，保持輸入濾波器的穩(wěn)定性。
DM 電感的自諧振頻率 (SRF) 限制濾波器第一級可實現(xiàn)的高頻 DM 衰減。濾波器第二級通常至關(guān)重要，其使用鐵氧體磁珠在高頻條件下提供附加的 DM 衰減，此時額定阻抗通常為 100MHz。標記為 CF1 和 CF2 的陶瓷電容可將噪聲分流到接地端。
圖 3：具有 DM 和 CM 級的三級 EMI 輸入濾波器
DM 濾波器的電感一般設(shè)置為削弱基波和低頻諧波的值。應使用盡可能小的電感來滿足低頻濾波要求，因為匝數(shù)較多的大電感具有較高的等效并聯(lián)電容 (EPC)，導致其 SRF 較高，影響其在高頻下的性能。
標記為 LCM 的 CM 扼流器針對 CM 電流提供較高的阻抗，其泄漏電感也可提供 DM 衰減。然而，在部分要求接地連接必須保持完好的應用中，該元器件不適用，這些應用需要更安靜的轉(zhuǎn)換器設(shè)計，CM 扼流器不再是首選。
為了演示 CM 扼流器的效果，圖 4 展示了德州儀器 (TI) LM53603，這是一款采用雙層 PCB 的 36V、3A DC/DC 轉(zhuǎn)換器解決方案 [7]。該器件的功率級位于頂層，EMI 輸入濾波器則放置于底部。如圖 4 中的布局所示，濾波器附近的接地平面覆銅區(qū)可借助過孔縫合提供屏蔽效果。此外，在濾波器級以下的所有層中插入敷銅層切口，可避免 VIN 和 GND 走線之間產(chǎn)生寄生電容，從而為噪聲電流提供繞過 CM 扼流器的路徑并讓步于濾波器的阻抗特性。
圖 4：DC/DC 轉(zhuǎn)換器原理圖和 PCB 布局實施方案
圖 5 所示為國際無線電干擾特別委員會 (CISPR) 25 針對圖 4 的轉(zhuǎn)換器設(shè)計在 150kHz 至 108MHz 之間進行的傳導發(fā)射測量。我們提供了使用與不使用 CM 扼流器兩種情況下的測量結(jié)果。使用 Rohde & Schwarz 的頻譜分析儀，所得檢測器掃描結(jié)果的峰值和平均值分別以黃色和藍色表示。紅色限值圖象為 5 類峰值和平均值限值（峰值限值通常比平均值限值高出 20dB）。
圖 5：CISPR 25 在使用 CM 扼流器 (a) 與不使用 CM 扼流器 (b) 情況下進行的傳導 EMI 測量
金屬外殼屏蔽
另一種優(yōu)化高頻 EMI 性能的有效方式是添加金屬外殼屏蔽層，從而阻擋輻射電場。外殼通常由鋁制成，采用框架（敞開式）或封閉式設(shè)計實施方案。屏蔽外殼可覆蓋除 EMI 濾波器之外的所有功率級元器件，外殼與 PCB 上的 GND 相連，基本形成了一個帶有 PCB 接地平面的法拉第籠。
這使得從開關(guān)單元到 EMI 濾波器或長輸入線連接（也用作天線）的輻射噪聲耦合顯著減少。當然，這會產(chǎn)生額外的元器件和裝配成本，導致散熱管理和散熱測試的難度增加。鋁電解電容的外殼也可以提供電場屏蔽，為實現(xiàn)此目的，可在電路板上針對性地放置該電容。
DC/DC 轉(zhuǎn)換器案例研究
圖 6 為 60V、1.5A 單片式集成同步降壓轉(zhuǎn)換器電路的原理圖，該電路通過多項功能實現(xiàn)最佳 EMI 性能。該原理圖還顯示了一個兩級 EMI 輸入濾波器級，旨在滿足汽車或噪聲敏感型工業(yè)應用的 EMI 規(guī)范。為了幫助實現(xiàn)最佳的 PCB 布局，原理圖中將高電流走線（VIN、PGND、SW 連接）、噪聲敏感型網(wǎng)絡(luò) (FB) 和高 dv/dt 電路節(jié)點（SW、BOOT）突出顯示。
圖 6：采用 EMI 優(yōu)化型封裝和引腳布局的 DC/DC 轉(zhuǎn)換器。內(nèi)置一個兩級 EMI 輸入濾波器
a. 引腳布局設(shè)計
圖 6 所示的轉(zhuǎn)換器 IC 優(yōu)勢在于，其 VIN 和 PGND 采用對稱且均衡的引腳排布。該轉(zhuǎn)換器利用兩個并聯(lián)的輸入回路使寄生回路電感成功減半。上述回路在 PCB 布局中標記為“IN1”和“IN2”，如圖 7 所示。兩個外殼尺寸為 0402 或 0603 的小型電容（在圖 6 中分別標記為 CIN1 和 CIN3）放置在盡可能靠近 IC 的位置，最大限度減小輸入回路面積。兩個回路中的環(huán)流產(chǎn)生相反的磁矩，消除 H 場并降低有效電感。為了進一步降低寄生電感，PCB 第 2 層（緊靠頂層電源電路的下方）的 IN1 和 IN2 回路下方設(shè)有返回電流的連續(xù)接地平面，可使場效應自行消除。
在電感兩側(cè)各使用一個陶瓷輸出電容（COUT1 和 COUT2）同樣能夠優(yōu)化輸出電流回路。在輸出端引出兩個并聯(lián)的接地返回路徑可以將返回電流分成兩部分，有助于減弱“地彈反射”效應。
圖 7：僅部署在 PCB 頂層的功率級布局
SW 引腳位于 IC 中心，因此輻射電場會由 IC 兩側(cè)相鄰的 VIN 和 PGND 引腳屏蔽。GND 平面覆銅區(qū)可對將 IC 的 SW 引腳連接到電感端子的多邊形覆層施加屏蔽。SW 和 BOOT 的單層布局意味著 PCB 的底側(cè)不會有 dv/dt 較高的過孔。這樣可以避免在 EMI 測試期間，電場與基準接地平面耦合。
b. 封裝設(shè)計
與優(yōu)化的引腳排布類似，電源轉(zhuǎn)換器 IC 封裝設(shè)計也是改善 EMI 信號的關(guān)鍵屬性。例如，德州儀器 (TI) 的 HotRodÔ 封裝技術(shù)采用引線框上倒裝芯片 (FCOL) 的方式，規(guī)避了功率器件線焊導致封裝寄生電感過高的情況。如圖 8 所示，IC 以上下翻轉(zhuǎn)的形式放置，IC 上的銅柱（也稱為凸點或支柱）直接焊接到引線框架。這種構(gòu)造方法能夠提升密度并較薄的外型，因為每個引腳都與引線框架直接相連。從 EMI 角度來看，最重要的一點是，與傳統(tǒng)線焊封裝相比，HotRod 封裝降低了封裝的寄生電感。
圖 8：QFN 線焊封裝 (a) 和 HotRod FCOL (b) 封裝的結(jié)構(gòu)對比
HotRod 封裝不僅可以在開關(guān)換向（50MHz 至 200MHz 頻率范圍）期間減少振鈴，還可以降低導通和開關(guān)損耗。圖 9 所示為開關(guān)節(jié)點電壓振鈴隨之得到改善的情況。圖 8 所示為圖 6 中的轉(zhuǎn)換器在 150kHz 至 108MHz 下測得的傳導發(fā)射。測量結(jié)果符合 CISPR 25 5 類要求。
圖 9：使用傳統(tǒng)線焊封裝的轉(zhuǎn)換器 (a) 和 HotRod FCOL 轉(zhuǎn)換器 (b) 時的開關(guān)節(jié)點電壓波形
圖 10：CISPR 25 傳導發(fā)射測量結(jié)果，(a) 頻率范圍為 150kHz 至 30MHz，(b) 頻率范圍為 30MHz 至 108MHz
總結(jié)
在本文中，我討論了使用電源轉(zhuǎn)換器 IC 的 DC/DC 穩(wěn)壓器電路可以采用的 EMI 抑制技術(shù)。減弱 EMI 的 PCB 布局步驟包括盡量減小布局中的電流“熱回路”面積、避免阻斷電流路徑、采用具有內(nèi)部接地平面的四層 PCB 結(jié)構(gòu)實現(xiàn)屏蔽（屏蔽效果遠超雙層 PCB），以及通過盡量減小開關(guān)節(jié)點覆銅區(qū)域面積來降低電場輻射耦合。
轉(zhuǎn)換器封裝類型是一項重要的選擇標準，新一代器件的開關(guān)節(jié)點振鈴和引腳設(shè)計得到顯著提升，有助于實現(xiàn)最優(yōu)的電容放置方案。從輸入濾波的角度而言，抑制低頻噪聲（通常小于 10MHz）相對容易，使用傳統(tǒng)的 LC 濾波器級即可實現(xiàn)。然而，抑制高頻噪聲（10MHz 以上）通常需要額外使用 CM 扼流器和/或鐵氧體磁珠濾波器級。焊接到 PCB 接地平面的金屬外殼屏蔽層也能有效減輕高頻發(fā)射。
在本系列文章的下一部分中，我將探討使用控制器驅(qū)動分立式功率 MOSFET 的 DC/DC 穩(wěn)壓器電路適用的 EMI 抑制技術(shù)。根據(jù) EMI 進行分析，這些技術(shù)更具挑戰(zhàn)性。
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