【導讀】節能、高效、低碳、體積小、反應快、抗震性強等優點，使得LED為用戶提供環保、穩定、高效和安全的全新照明體驗。LED的發展勢不可擋，可是話說LED是如何“打造”的呢？這里就詳解LED打造過程：倒裝技術及工藝流程。
倒裝LED技術的發展及現狀
倒裝技術在LED領域上還是一個比較新的技術概念，但在傳統IC行業中已經被廣泛應用且比較成熟，如各種球柵陣列封裝（BGA）、芯片尺寸封裝（CSP）、晶片級芯片尺寸封裝（WLCSP）等技術，全部采用倒裝芯片技術，其優點是生產效率高、器件成本低和可靠性高。
倒裝芯片技術應用于LED器件，主要區別于IC在于，在LED芯片制造和封裝過程中，除了要處理好穩定可靠的電連接以外，還需要處理光的問題，包括如何讓更多的光引出來，提高出光效率，以及光空間的分布等。
針對傳統正裝LED存在的散熱差、透明電極電流分布不均勻、表面電極焊盤和引線擋光以及金線導致的可靠性問題，1998年，J.J.Wierer等人制備出了1W倒裝焊接結構的大功率AlGaInN-LED藍光芯片，他們將金屬化凸點的AIGalnN芯片倒裝焊接在具有防靜電保護二極管(ESD)的硅載體上。
圖1是他們制備得到的LED芯片的圖片和截面示意圖。他們的測試結果表明，在相同的芯片面積下，倒裝LED芯片（FCLED）比正裝芯片有著更大的發光面積和非常好的電學特性，在200-1000mA的電流范圍，正向電壓（VF）相對較低，從而導致了更高的功率轉化效率。
圖1 倒裝結構的LED芯片圖片和截面示意圖
2006年，O.B.Shchekin等人又報道了一種新的薄膜倒裝焊接的多量子阱結構的LED（TFFC-LED）。所謂薄膜倒裝LED，就是將薄膜LED與倒裝LED的概念結合起來。
在將LED倒裝在基板上后，采用激光剝離（Laser lift-off）技術將藍寶石襯底剝離掉，然后在暴露的N型GaN層上用光刻技術做表面粗化。
如圖2所示，這種薄膜結構的LED可以有效地增加出光效率。但相對來說，這種結構工藝比較復雜，成本會相對較高。
圖2 薄膜倒裝LED芯片結構示意圖
隨著硅基倒裝芯片在市場上銷售，逐漸發現這種倒裝LED芯片在與正裝芯片競爭時，其成本上處于明顯的劣勢。
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由于LED發展初期，所有封裝支架和形式都是根據其正裝或垂直結構LED芯片進行設計的，所以倒裝LED芯片不得不先倒裝在硅基板上，然后將芯片固定在傳統的支架上，再用金線將硅基板上的電極與支架上的電極進行連接。
使得封裝器件內還是有金線的存在，沒有利用上倒裝無金線封裝的優勢；而且還增加了基板的成本，使得價格較高，完全沒有發揮出倒裝LED芯片的優勢。
為此，最早于2007年有公司推出了陶瓷基倒裝LED封裝產品。這一類型的產品，陶瓷既作為倒裝芯片的支撐基板，也作為整體封裝支架，實現整封裝光源的小型化。
這一封裝形式是先將倒裝芯片焊接（Bonding）在陶瓷基板上，再進行熒光粉的涂覆，最后用鑄模（Molding）的方法制作一次透鏡，這一方法將LED芯片和封裝工藝結合起來，降低了成本。
這種結構完全消除了金線，同時散熱效果明顯改善，典型熱阻<10℃/W，明顯低于傳統的K2形式的封裝（典型10-20℃/W）。
隨著倒裝技術的進一步應用和發展，2012年開始，出現了可直接貼裝（Direct Attach，DA）倒裝芯片；隨后幾年，各個公司都開始研發和推出這一類型的倒裝芯片。
該芯片在結構上的變化是，將LED芯片表面的P、N兩個金屬焊盤幾何尺寸做大，同時保證兩個焊盤之間的間距足夠，這樣使得倒裝的LED芯片能夠在陶瓷基板上甚至是PCB板上直接貼片了，使40mil左右的倒裝芯片焊盤尺寸能夠到達貼片機的貼片精度要求，簡化了芯片倒裝焊接工藝，降低了整體成本。
至目前為止（2014年中）倒裝DA芯片已基本成熟，市場銷售量逐步增加，未來將會成為大功率LED芯片的主流。
在直接貼裝DA芯片基礎上，2013年開始發展出了白光芯片（部分公司稱為免封裝或無封裝）產品，如圖6所示。它是在倒裝DA芯片制造過程中同時完成了熒光粉的涂敷，應用時可在PCB上直接進行貼片，完全可以當作封裝光源直接應用。
其優勢是LED器件體積小，芯片直接貼片可以減少散熱的界面，進一步降低了熱阻，散熱性能進一步提高。到目前為止，白光芯片仍然處于研發階段，市場的應用還不成熟，需要大家共同努力，推動白光芯片技術和應用的發展。
圖3 白光芯片與封裝示意圖
倒裝LED芯片的制作工藝
倒裝LED芯片的制作工藝流程，如圖4所示，總體上可以分為LED芯片制作和基板制造兩條線，芯片和基板制造完成后，將LED芯片倒裝焊接在基板表面上，形成倒裝LED芯片。
圖4 倒裝LED芯片工藝流程框圖
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1、藍寶石襯底和GaN外延工藝技術
對于倒裝芯片來說，出光面在藍寶石的一側，因此在外延之前，制作圖形化的襯底（PSS），將有利于藍光的出光，減少光在GaN和藍寶石界面的反射。因此PSS的圖形尺寸大小、形狀和深度等都對出光效率有直接的影響。在實際開發和生產中需要針對倒裝芯片的特點，對襯底圖形進行優化，使出光效率最高。
在GaN外延方面，由于倒裝芯片出光在藍寶石一側，其各層的吸光情況與正裝芯片有差異，因此需要對外延的緩沖層（Buffer）、N-GaN層、多層量子阱（MQW）和P型GaN層的厚度和摻雜濃度進行調整，使之適合倒裝芯片的出光要求，提高出光效率，同時適合倒裝芯片制造工藝的歐姆接觸的需要。
2、倒裝LED圓片制程工藝
倒裝芯片與正裝芯片的圓片制作過程大致相同，都需要在外延層上進行刻蝕，露出下層的N型GaN；然后在P和N極上分別制作出歐姆接觸電極，再在芯片表面制作鈍化保護層，最后制作焊接用的金屬焊盤，其制作流程如圖5所示。
圖5 倒裝LED圓片制作流程
與正裝芯片相比，倒裝芯片需要制作成電極朝下的結構。這種特殊的結構，使得倒裝芯片在一些工藝步驟上有特殊的需求，如歐姆接觸層必須具有高反射率，使得射向芯片電極表面的光能夠盡量多的反射回藍寶石的一面，以保證良好的出光效率。
倒裝芯片的版圖也需要根據電流的均勻分布，做最優化的設計。由于圓片制作工藝中，GaN刻蝕（Mesa刻蝕）、N型接觸層制作、鈍化層制作、焊接金屬PAD制作都與正裝芯片基本相同，這里就不詳細講述了，下面重點針對倒裝芯片特殊工藝進行簡單的說明。
在LED芯片的制作過程中，歐姆接觸層的工藝是芯片生產的核心，對倒裝芯片來說尤為重要。歐姆接觸層既有傳統的肩負起電性連接的功能，也作為反光層的作用，如圖9所示。
在P型歐姆接觸層的制作工藝中，要選擇合適的歐姆接觸材料，既要保證與P型GaN接觸電阻要小，又要保證超高的反射率。此外，金屬層厚度和退火工藝對歐姆接觸特性和反射率的影響非常大，此工藝至關重要，其關系到整個LED的光效、電壓等重要技術參數，是倒裝LED芯片工藝中最重要的一環。
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目前這層歐姆接觸層一般都是用銀（Ag）或者銀的合金材料來制作，在合適的工藝條件下，可以獲得穩定的高性能的歐姆接觸，同時能夠保證歐姆接觸層的反射率超過95%。
圖6 倒裝芯片出光方向、散熱通道、歐姆接觸、反光層位置示意圖
3、倒裝LED芯片后段制程
與正裝LED芯片一樣，圓片工藝制程后，還包括芯片后段的工藝制程，其工藝流程如圖7所示，主要包括研磨、拋光、切割、劈裂、測試和分類等工序。這里工序中，唯一有不同的是測試工序，其它工序基本與正裝芯片完全相同，這里不再贅述。
圖7 LED芯片后段工藝制程流程圖
倒裝芯片由于出光面與電極面在不同方向，因此在切割后的芯片點測時，探針在LED正面電極上扎針測量時，LED的光是從背面發出。要測試LED的光特性（波長、亮度、半波寬等），必須從探針臺的下面收光。
因此倒裝芯片的點測機臺與正裝點測機臺不同，測光裝置（探頭或積分球）必須放在探針和芯片的下面，而且芯片的載臺必須是透光的，才能對光特性進行測試。
所以，倒裝芯片的點測機臺需要特殊制造或改造。
