產(chǎn)品特性：
- 滿足航天技術(shù)要求，抗SEE輻射
- 快速開關(guān)性能，密封式封裝
- 100%雪崩測(cè)試
- 可承受70/100 krad總離子輻射量(TID)
應(yīng)用范圍：
- 衛(wèi)星和運(yùn)載火箭電子子系統(tǒng)
隨著全球?qū)πl(wèi)星通信、衛(wèi)星電視、衛(wèi)星天氣預(yù)報(bào)及衛(wèi)星地理數(shù)據(jù)的需求不斷升溫，橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST） 推出首款完全符合衛(wèi)星和運(yùn)載火箭電子子系統(tǒng)質(zhì)量要求的功率系列產(chǎn)品。
據(jù)衛(wèi)星產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)報(bào)告顯示，全球衛(wèi)星市場(chǎng)正在穩(wěn)步增長(zhǎng)，每年收入達(dá)1600多億美元 。雖然核心電子元器件產(chǎn)自于全球不同地區(qū)，包括歐洲和亞洲，但獲得航天應(yīng)用認(rèn)證的器件主要來自美國。意法半導(dǎo)體與歐洲航天局（ESA）和法國航天研究中心（CNES）合作研發(fā)的全新抗輻射功率MOSFET系列完全符合歐洲航天元器件協(xié)調(diào)委員會(huì)（ESCC）的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)。
意法半導(dǎo)體不僅擴(kuò)大了全球航天質(zhì)量級(jí)元器件的貨源，還成功打破可能拖延項(xiàng)目工期或禁止使用某些器件和進(jìn)入某些市場(chǎng)采購限制。意法半導(dǎo)體功率晶體管產(chǎn)品部總經(jīng)理Ian Wilson表示：“這款新的防輻射功率MOSFET系列產(chǎn)品是根據(jù)航天技術(shù)要求設(shè)計(jì)的，也是首款來自歐洲半導(dǎo)體廠商制造的航天級(jí)元器件。”
全新抗輻射功率MOSFET系列產(chǎn)品的額定輸出電流為6A至80A，由5款N溝道和P溝道產(chǎn)品組成，包括額定電壓100V的STRH100N10、STRH8N10和STRH40P10；額定電壓60V的STRH100N6和STRH40N6。100V的P溝道器件的額定電流為34A。低柵電荷量是意法半導(dǎo)體STripFET制程的特性，可提升晶體管的開關(guān)性能，是直流功率模塊如電機(jī)控制器和線性穩(wěn)壓器、線路開關(guān)和電子限流熔斷器的理想選擇。
意法半導(dǎo)體航天級(jí)功率MOSFET晶體管的主要特性：
• 快速開關(guān)性能
• 100%雪崩測(cè)試
• 密封式封裝
• 可承受70/100 krad總離子輻射量(TID)
• 抗SEE輻射
STRHxxxN10、STRHxxxN6和STRH40P10系列現(xiàn)已上市，達(dá)到EM（工程模型）或 ESCC的航空質(zhì)量級(jí)標(biāo)準(zhǔn)，封裝采用TO254-AA和TO-39通孔封裝。此外，意法半導(dǎo)體還提供SMD.5貼裝版抗輻射晶體管。STRH100N10達(dá)到了 ESCC 5205/021技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，其它產(chǎn)品預(yù)計(jì)將于2011年下半年達(dá)到 ESCC 相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)。
關(guān)于航天級(jí)半導(dǎo)體：
抗輻射是航天元器件的主要要求。在太空中存在大量的輻射源，例如，范艾倫輻射帶、太陽風(fēng)和太陽耀斑以及銀河宇宙射線。
當(dāng)被迫受到伽瑪射線和重離子輻射時(shí)，抗輻射或防輻射元器件能夠在這種環(huán)境長(zhǎng)時(shí)間工作。MOSFET晶體管的抗輻射方法是，優(yōu)調(diào)產(chǎn)品設(shè)計(jì)和制程，提高耐輻射能力，最大限度減少重要參數(shù)因輻射而發(fā)生的漂移或偏差，例如閾壓、泄漏電流和動(dòng)態(tài)特性。抗輻射元器件須接受抗輻射測(cè)試，如 Co60伽瑪射線和重離子輻射，這些測(cè)試是ESCC22900和 ESCC25100技術(shù)規(guī)范規(guī)定的抗輻射測(cè)試。所有器件必須通過這些測(cè)試才能獲得ESCC質(zhì)量認(rèn)證。
