【導讀】PCIM Asia深圳國際電力元件、可再生能源管理展覽會是中國市場少有的專注于電力電子領域的領軍級專業(yè)展覽會，致力于向業(yè)界呈現(xiàn)電力電子應用的最新研究成果、分享行業(yè)發(fā)展趨勢。在展會上不僅可以了解、采購最新電力電子產(chǎn)品，還可以參與同期主題論壇。今年，主題論壇更超過50場次。
PCIM Asia深圳國際電力元件、可再生能源管理展覽會是中國市場少有的專注于電力電子領域的領軍級專業(yè)展覽會，致力于向業(yè)界呈現(xiàn)電力電子應用的最新研究成果、分享行業(yè)發(fā)展趨勢。在展會上不僅可以了解、采購最新電力電子產(chǎn)品，還可以參與同期主題論壇。今年，主題論壇更超過50場次。
主題論壇一覽
● 電力電子應用技術論壇
● 電動交通論壇
● 電力電子儲能行業(yè)論壇
● 英飛凌第三屆碳化硅技術應用發(fā)展論壇
● 2021三代半風向-SiC與GaN功率器件技術與應用分析大會
電力電子應用技術論壇簡介
PCIM Asia 2021電力電子應用技術論壇，將于9月9日至11日在深圳國際會展中心舉行，海內外參展企業(yè)將派出的精英級應用工程師以現(xiàn)場宣講的形式推薦當前中國電力電子市場最新的研發(fā)產(chǎn)品及解決方案。
論壇云集全球頂尖學者和行業(yè)專家，將涵蓋多個“功率器件”話題，為參會者提供與專家交流、向聽眾傳遞電力電子專業(yè)知識的機會，多角度分享電力電子新發(fā)展。
電力電子應用技術論壇演講企業(yè)一覽
電力電子應用技術論壇演講主題預告（一）
01富士電機（中國）有限公司
（?大會銀牌贊助商?）主題（一）：RC-IGBT技術及其應用
演講嘉賓：張騁，技術經(jīng)理
摘要：IGBT模塊的小型化，低功耗以及高可靠性越來越被市場重視，為了實現(xiàn)該目標，富士電機研發(fā)了集IGBT芯片與FWD芯片為一體的可反向導通的IGBT芯片（RC-IGBT），并實現(xiàn)工業(yè)和汽車應用。該芯片基于第7代芯片技術，可以提供更低的損耗，更好的散熱和I2t能力，從而幫助實現(xiàn)增加輸出電流，輸出功率，以及系統(tǒng)小型化等設計目標。
主題（二）：第7代智能功率模塊
演講嘉賓：李組精，技術經(jīng)理
摘要：IPM（智能功率模塊）相較于IGBT，增加了驅動和多種保護功能，除了設計簡便，系統(tǒng)集成度高，也提高了更高的可靠性。富士的第7代IPM，基于第7代IGBT和FWD芯片和封裝技術，降低了損耗，并允許更高的操作結溫。此外，第7代IPM載有最新的控制IC，首次在工業(yè)上實現(xiàn)溫度預警功能，并新增單獨控制逆變部分的保護等多種新功能。
這些新技術將有助于實現(xiàn)系統(tǒng)小型化，高性能和高可靠性。
02上海賀利氏工業(yè)技術材料有限公司
主題：基于碳化硅器件的電驅動系統(tǒng)先進封裝解決方案
演講嘉賓：張靖博士，賀利氏電子中國區(qū)研發(fā)總監(jiān)
摘要：工作溫度達到200°C，使用壽命要求10年以上，所有材料的性價比要盡可能高：新能源汽車、可再生能源、智能電網(wǎng)等新應用領域對電力電子器件提出了巨大的挑戰(zhàn)。功率半導體行業(yè)正在經(jīng)歷一場由碳化硅和氮化鎵等寬禁帶半導體引領的技術革命，以實現(xiàn)更高的功率密度和開關速率。然而，目前普遍應用的電力電子封裝技術與解決方案已經(jīng)無法滿足如上所述的挑戰(zhàn)和要求，甚至成為了限制寬禁帶半導體發(fā)揮性能的瓶頸。因此，新一代封裝材料與相匹配的解決方案已經(jīng)成為寬禁帶半導體革命成功的關鍵。需要在提升工作溫度，降低寄生電感的同時，大幅提高系統(tǒng)可靠性。本場演講將介紹一套針對碳化硅功率器件的完整封裝解決方案。該方案采用賀利氏電子的新型封裝材料，包括賀利氏銀燒結材料、高可靠的金屬陶瓷基板和Die Top System等。同時，還將分享該解決方案提高寬禁帶封裝性能的理論依據(jù)和極限。
03合肥科威爾電源系統(tǒng)股份有限公司
主題：功率半導體測試設備機遇與挑戰(zhàn)
演講嘉賓：唐德平、研究院院長
摘要：模塊測試的自動化解決方案
04龍騰半導體股份有限公司
主題：新型功率器件在電動交通中的應用
演講嘉賓：朱飛，龍騰半導體 技術應用中心經(jīng)理
摘要：介紹國產(chǎn)功率器件在電動交通中的應用：詳細解讀功率器件靜態(tài)、動態(tài)參數(shù)如何匹配應用要求，設計中容易出現(xiàn)的失效風險。SGT MOSFET在低速電動車的驅動器中的應用；
?SGT MOSFET在低壓BMS中的應用；
?Super-junction MOSFET在高壓BMS中的應用；
?Super-junction MOSFET在OBC及充電樁中的應用。
05安世半導體（?論壇贊助商?）
主題：高可靠性/高功率/高效率應用的氮化鎵晶體管
演講嘉賓：李琪， 安世半導體氮化鎵晶體管首席應用工程師
摘要：氮化鎵功率器件和創(chuàng)新CCPAK貼片封裝介紹。
06 Power Intergrations Inc.
主題：簡化可再生能源應用中的可擴展IGBT并聯(lián)，SCALE-iFlex門極驅動器實現(xiàn)高效的模塊化變換器設計
演講嘉賓：王皓
摘要：IGBT功率模塊的并聯(lián)非常流行，因為它可以在使用簡單、低壓元件的同時提供高變換器輸出功率。并聯(lián)還支持模塊化變換器設計，可以輕松調整輸出功率。然而，變換器設計者需要考慮不同的動態(tài)和靜態(tài)影響因素，以實現(xiàn)較高的變換器效率。Power Integrations的SCALE-iFlex門極驅動器產(chǎn)品具有高性能、完善的保護功能和高度的設計靈活性，可為變換器設計助力，從而實現(xiàn)出色的均流控制并提高效率。
07深圳市先進連接科技有限公司
主題：基于納米金屬燒結的低溫互連方法
演講嘉賓：李明雨 哈爾濱工業(yè)大學（深圳）教授、深圳市先進連接科技有限公司首席科學家
摘要：目前高溫功率芯片封裝的解決方案中，低溫燒結銀技術是最具前景的封裝方式。由于尺寸效應，納米或微米銀顆粒可以在遠低于塊體銀熔點的溫度下實現(xiàn)冶金接合與組織致密化。銀顆粒燒結成形后的燒結體具有著與致密塊體銀相似的物理特性，如高熔點、高導熱、高導電以及高機械強度等。雖然低溫燒結銀膏的制備以及互連焊點工藝探索已經(jīng)取得了很大的進展，但是要想將燒結銀技術進行廣泛地推廣與應用，還需要深入理解銀燒結體及其互連焊點的物理特性，特別是不同服役狀態(tài)下的力學性能。因此，本文以低溫燒結納米銀的方法為例，闡述納米銀互連焊點在不同服役狀態(tài)下的組織結構與力學性能。
08賽米控電子（珠海）有限公司
主題（一）：可再生能源和驅動器中的高功率模塊
演講嘉賓：葉常生 大中華區(qū)產(chǎn)品市場部負責人
摘要：隨著大功率可再生能源和驅動解決方案的需求不斷增加，對功率模塊的要求也隨之進一步提高。賽米控電子一直致力于開發(fā)最先進的大功率模塊和IPM，為大功率應用提供完整的產(chǎn)品解決方案。最新的產(chǎn)品系列集成了新一代的IGBT7芯片，進一步提高了功率密度，效率和可靠性。同時，對最新推出的ST20模塊進行了內部的結構優(yōu)化和設計，使得在二電平和三電平拓撲下的功率可擴展性大大簡化。因此，整個系統(tǒng)將具有更好的魯棒性和成本效益。
主題（二）：電源模塊:驅動未來的智能電網(wǎng)
演講嘉賓：程慕宇 產(chǎn)品市場經(jīng)理
摘要：電網(wǎng)正在從由大型、集中的發(fā)電場向小型、分散的可再生能源與主動負荷結合的架構轉變。隨著這種變化，電網(wǎng)中電力電子變換器需要更高效率和功率密度的高可靠性模塊。對于電機驅動和UPS, SEMIKRON搭載第7代IGBT的產(chǎn)品組合提供了多種工業(yè)標準封裝。最新的SiC產(chǎn)品組合可幫助如能源存儲和電動汽車充電等實現(xiàn)功率密度和電源效率大幅提升。對于太陽能，通過結合SiC和最新的IGBT技術實現(xiàn)低成本和高效的電氣設計。
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